本发明专利技术提供一种晶圆涂胶装置及晶圆涂胶方法，在晶圆外侧设置圆环片，使得处于晶圆边缘的光刻胶分子除了受到晶圆边缘附近的晶圆原子的吸引之外，还受到了圆环片对其的反方向吸引，进而将晶圆边缘上的一部分光刻胶引导到圆环片上，由此减少了光刻胶在晶圆边缘上形成边圈的条件，使得光刻胶在晶圆边缘上形成的边圈的尺寸大为减少，更容易去除，且使得后续去除边圈所使用的去胶溶剂的使用量更加精确可控且保持稳定，对于晶圆有效区域的光刻胶影响大幅减少，大大提高了光刻胶的边圈去除质量的稳定性和可控性，最终提高了晶圆涂胶的成品率。方案简单，易于实施，与现有晶圆涂胶工艺兼容，且改进成本低。且改进成本低。且改进成本低。
【技术实现步骤摘要】
晶圆涂胶装置及晶圆涂胶方法
[0001]本专利技术涉及芯片制造
，特别涉及一种晶圆涂胶装置及晶圆涂胶方法。
技术介绍
[0002]芯片制造的工艺流程的主要节点为掩模板、光刻胶和光刻机。其中，光刻胶作为图形转换的载体和媒介，发挥着非常重要的作用。光刻胶有两个方面的应用，第一个是在掩模板的掩膜上面涂布，作为掩模板的光刻胶。第二个是在制备芯片的晶圆上，作为晶圆光刻胶。
[0003]其中，针对晶圆光刻胶的涂布。晶圆光刻胶涂布有很多种方式，例如喷雾法、提拉法、流动法、滚动法、离心法等，其中最常用的是采用离心法通过涂敷设备旋转涂敷(即旋转涂布的方法)，具体是在晶圆的旋转过程中，通过离心力、重力、表面张力等的共同作用，使得涂布的光刻胶流动到晶圆片的边缘和背面。这种涂布方式下，光刻胶在晶圆片的边缘和边缘的背面形成凸起，该凸起被称作边圈，它存在于晶圆边缘的上下，容易发生剥离，影响晶圆上的工作区域的图形并且造成污染，必须予以清除。
[0004]因此，如何在晶圆上进行光刻胶涂布并去除晶圆上涂布的光刻胶的边圈，一直是本领域技术人员关注的热点问题之一。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种晶圆涂胶装置及晶圆涂胶方法，能够大大地减少晶圆上涂布的光刻胶的边圈的尺寸，提高晶圆涂胶的成品率。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种晶圆涂胶装置，其包括：
[0007]旋转机台，用于承载待涂胶的晶圆，并在涂布光刻胶的过程中带动所述晶圆旋转；
[0008]旋转控制系统，连接所述旋转机台并用于控制所述旋转机台的旋转；
[0009]圆环片，同心地安装在所述晶圆的边缘外侧，且与所述晶圆的边缘之间留有安全缝隙；
[0010]涂胶系统，设置在所述旋转机台周围相应位置，并用于向所述晶圆的表面涂布光刻胶。
[0011]可选地，所述的晶圆涂胶装置还包括夹具，用于夹持和固定所述圆环片，并调节所述圆环片与所述晶圆的同心度。
[0012]可选地，所述的晶圆涂胶装置还包括光刻胶边圈去除系统，用于去除光刻胶在所述晶圆边缘上形成的边圈。
[0013]可选地，所述光刻胶边圈去除系统包括用于向所述晶圆的边缘喷洒去胶溶剂的喷嘴。
[0014]基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种晶圆涂胶方法，其包括：
[0015]将待涂胶的晶圆固定在旋涂机台上，并在所述晶圆的边缘外侧同心地安装一圆环片，且所述圆环片与所述晶圆的边缘之间留有安全缝隙；
[0016]通过控制所述旋涂机台的旋转，在所述晶圆上旋转涂布光刻胶，且所述晶圆边缘上的光刻胶在所述圆环片的引力和其他相关作用力的共同作用下，越过所述安全缝隙继续向所述圆环片的边缘发散，直至所述晶圆边缘上的光刻胶的边圈尺寸减少至要求程度。
[0017]可选地，通过所述旋涂机台的旋转，在所述晶圆上旋转涂布光刻胶的步骤包括：
[0018]控制所述旋涂机台低速旋转第一指定时间，以将光刻胶涂布且摊开到所述晶圆的边缘以内的表面上；
[0019]控制所述旋涂机台逐渐增大转速，使摊开的所述光刻胶均匀涂布到所述晶圆的整个表面上，并且使所述晶圆边缘上的光刻胶越过所述安全缝隙继续向所述圆环片的边缘发散，直至所述晶圆边缘上的光刻胶的边圈尺寸减少至要求程度。
[0020]可选地，在使所述晶圆上边缘的光刻胶的边圈尺寸减少至要求程度之后，还包括：
[0021]控制所述旋涂机台高速旋转第二指定时间，使所述光刻胶的表面趋近固化；
[0022]停止所述旋涂机台的旋转，并移去所述圆环片。
[0023]可选地，在移去所述圆环片之后，还包括：
[0024]再次控制所述旋涂机台旋转，同时采用相应的溶剂去除所述晶圆边缘上的光刻胶的边圈；
[0025]停止所述旋涂机台的旋转，并取下所述晶圆。
[0026]可选地，所述圆环片与所述晶圆的材质相同。
[0027]可选地，所述圆环片与所述晶圆具有相同结晶学取向，使得处于所述晶圆边缘上的光刻胶受到来自所述晶圆和所述圆环片两方相反的引力。
[0028]与现有技术相比，本专利技术的技术方案至少具有以下有益效果之一：
[0029]1.在晶圆外侧设置圆环片，使得处于晶圆边缘的光刻胶分子除了受到晶圆边缘附近的晶圆原子的吸引之外，还增加了圆环片对其的反方向吸引，进而将晶圆边缘上的一部分光刻胶引导到圆环片上，由此减少了光刻胶在晶圆边缘上形成边圈的条件，使得光刻胶在晶圆边缘上形成的边圈的尺寸大为减少，边圈更容易去除。
[0030]2、圆环片与晶圆具有相同结晶学取向，可以保证晶圆边缘附近的光刻胶收到晶圆和圆环片相反的吸引力基本一致，由此，对于位于晶圆边缘的光刻胶而言，除了在安全缝隙处受到小范围微小的引力不平衡外，其余地方可以达到平衡，从而大大地减少了光刻胶边圈的尺寸，使得后续去除边圈所使用的去胶溶剂的使用量更加精确可控且保持稳定，光刻胶存放时间和开盖次数对去胶溶剂的使用量影响显著减少，由此，去胶溶剂对于晶圆有效区域的光刻胶影响大幅减少，大大提高了光刻胶的边圈去除质量的稳定性和可控性，最终提高了晶圆涂胶的成品率。
[0031]3、方案简单，易于实施，与现有晶圆涂胶工艺兼容，且改进成本低。
附图说明
[0032]本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本专利技术，而不对本专利技术的范围构成任何限定。其中：
[0033]图1是现有的一种晶圆涂胶装置的结构示意图。
[0034]图2是本专利技术具体实施例的一种晶圆涂胶装置的结构示意图。
[0035]图3是本专利技术具体实施例的一种晶圆涂胶方法的流程示意图。
具体实施方式
[0036]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为"在
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上"、"连接到"其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、连接其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为"直接在
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上"、"直接连接到"其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。尽管可使用术语第一、第二等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆涂胶装置，其特征在于，包括：旋转机台，用于承载待涂胶的晶圆，并在涂布光刻胶的过程中带动所述晶圆旋转；旋转控制系统，连接所述旋转机台并用于控制所述旋转机台的旋转；圆环片，同心地安装在所述晶圆的边缘外侧，且与所述晶圆的边缘之间留有安全缝隙；涂胶系统，设置在所述旋转机台周围相应位置，并用于向所述晶圆的表面涂布光刻胶。2.如权利要求1所述的晶圆涂胶装置，其特征在于，还包括夹具，用于夹持和固定所述圆环片，并调节所述圆环片与所述晶圆的同心度。3.如权利要求1或2所述的晶圆涂胶装置，其特征在于，还包括光刻胶边圈去除系统，用于去除光刻胶在所述晶圆边缘上形成的边圈。4.如权利要求3所述的晶圆涂胶装置，其特征在于，所述光刻胶边圈去除系统包括用于向所述晶圆的边缘喷洒去胶溶剂的喷嘴。5.一种晶圆涂胶方法，其特征在于，包括：将待涂胶的晶圆固定在旋涂机台上，并在所述晶圆的边缘外侧同心地安装一圆环片，且所述圆环片与所述晶圆的边缘之间留有安全缝隙；通过控制所述旋涂机台的旋转，在所述晶圆上旋转涂布光刻胶，且所述晶圆边缘上的光刻胶在所述圆环片的引力和其他相关作用力的共同作用下，越过所述安全缝隙继续向所述圆环片的边缘发散，直至所述晶圆边缘上的光刻胶的边圈尺寸减少至要求程度。6.如权利要求5所述的晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵志伟，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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