【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种抛光方法及半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、随着集成电路(integrated circuit)制造技术的发展，对于半导体结构及其相关部件的抛光质量的要求越来越高。现有的抛光工艺一般是采用化学机械抛光工艺(chemical mechanical polishing，cmp)进行粗抛，再采用激光、等离子束或磁流变等抛光工艺进行精细抛光。然而，化学机械抛光工艺的耗材使用量大，且抛光液中的磨料颗粒容易污染并损伤抛光表面，严重影响抛光质量，无法实现高精度抛光。而激光抛光工艺是通过烧蚀材料表面，改善粗糙度，也难以满足精度抛光需求。以及，离子束或磁流变抛光工艺虽然可以实现纳米级精度抛光，但是其去除速度非常有限，且器械设备成本高昂，难以实施批量化抛光。
2、因此，亟需一种新的抛光工艺，以实现快速高精度抛光。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种抛光方法及半导体器件的制备方法，以解决如何提高抛光效率，如何提高抛光质量，以及如何降低抛光成本中的至少一个问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种抛光方法，包括：
3、提供一衬底；
4、沿所述衬底表面喷射若干束流体，且所述衬底以预设轨迹转动，以使所述流体在所述衬底表面流动，并抛光所述衬底表面。
5、可选的，在所述的抛光方法中，所述若干束流体贴附于所述衬底表面流动，和/或平行于所述衬底表面流动。
6、可选的，在所述的抛光方法
7、可选的，在所述的抛光方法中，在采用所述若干束流体抛光所述衬底表面之前或过程中，加热所述衬底。
8、可选的，在所述的抛光方法中，所述衬底的温度小于或等于100℃。
9、可选的，在所述的抛光方法中，在采用所述若干束流体抛光所述衬底表面的过程中，采用挡板调节所述流体相对所述衬底表面的压力；其中，所述挡板位于所述衬底上方，且与所述衬底表面的间距范围为：1mm～10mm。
10、可选的，在所述的抛光方法中，所述衬底表面至少具有凸出结构和凹坑，且在采用所述若干束流体抛光所述衬底表面的过程中，所述流体去除所述凸出结构，并使所述凸出结构的分子团随所述流体流动至所述凹坑，以填补所述凹坑。
11、可选的，在所述的抛光方法中，所述衬底按所述预设轨迹匀速或变速转动，且所述衬底的转速小于或等于1000rpm。
12、可选的，在所述的抛光方法中，所述流体为非化学活性且无磨料的液体和/或气体，包括：纯水、异丙醇、水蒸气、有机蒸汽或惰性气体。
13、基于同一专利技术构思，本专利技术提供一种半导体器件的制备方法，包括所述的抛光方法。
14、综上所述，本专利技术提供一种抛光方法及半导体器件的制备方法。其中，所述抛光方法是利用若干束所述流体沿所述衬底表面喷射，以向所述衬底表面形成近乎水平方向的作用力。且所述流体分子形成的作用力能够有效冲刷所述衬底表面的污染物，并切割所述衬底表面的凸出结构，实现对所述衬底表面的高速精细抛光。同时，在抛光过程中，所述衬底按预设轨迹转动，以使所述流体能够在所述衬底表面流动，并带动经切割而形成的分子团流动，且流经所述衬底表面的凹坑，实现对所述凹坑的填补修复。因此，本专利技术提供的所述抛光方法可以同步实现高速精细抛光和对衬底表面的修补，抛光效率高且抛光质量佳。
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1.一种抛光方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述若干束流体贴附于所述衬底表面流动，和/或平行于所述衬底表面流动。
3.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述若干束流体以相同方向沿所述衬底表面喷射，或部分束所述流体以不同方向沿所述衬底表面喷射。
4.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，在采用所述若干束流体抛光所述衬底表面之前或过程中，加热所述衬底。
5.根据权利要求4所述的抛光方法，其特征在于，所述衬底的温度小于或等于100℃。
6.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，在采用所述若干束流体抛光所述衬底表面的过程中，采用挡板调节所述流体相对所述衬底表面的压力；其中，所述挡板位于所述衬底上方，且与所述衬底表面的间距范围为：1mm～10mm。
7.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述衬底表面至少具有凸出结构和凹坑，且在采用所述若干束流体抛光所述衬底表面的过程中，所述流体去除所述凸出结构，并使所述凸出结构的分子团随所述流体流动至所述凹坑，以填补所述凹
8.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述衬底按所述预设轨迹匀速或变速转动，且所述衬底的转速小于或等于1000rpm。
9.根据权利要求1～8中任意一项所述的抛光方法，其特征在于，所述流体为非化学活性且无磨料的液体和/或气体，包括：纯水、异丙醇、水蒸气、有机蒸汽或惰性气体。
10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如权利要求1～9中任意一项所述的抛光方法。
...【技术特征摘要】
1.一种抛光方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述若干束流体贴附于所述衬底表面流动，和/或平行于所述衬底表面流动。
3.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述若干束流体以相同方向沿所述衬底表面喷射，或部分束所述流体以不同方向沿所述衬底表面喷射。
4.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，在采用所述若干束流体抛光所述衬底表面之前或过程中，加热所述衬底。
5.根据权利要求4所述的抛光方法，其特征在于，所述衬底的温度小于或等于100℃。
6.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，在采用所述若干束流体抛光所述衬底表面的过程中，采用挡板调节所述流体相对所述衬底表面的压力；其中，所述挡板位于所述衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：季明华，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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