【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种刻蚀终点检测装置及方法。
技术介绍
1、刻蚀是用化学或物理方法有选择地从基板表面去除不需要的材料的过程，是半导体制造工艺中重要的一个步骤。一般地，刻蚀方法包括干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，湿法刻蚀利用溶液与待刻蚀材料(如感光膜或金属膜)之间的化学反应来去除待刻蚀材料，具有选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低的优点，在半导体工艺中有着广泛应用。
2、现有湿法刻蚀普遍采用旋转刻蚀工艺，旋转刻蚀过程中，将需要进行刻蚀处理的基板置于载台上，之后旋转载台带动基板旋转，同时向基板喷洒刻蚀液，从而将基板上的待刻蚀材料去除。一般地，为了确保待刻蚀材料完全去除，且避免出现过刻蚀，需要在刻蚀过程中进行刻蚀终点检测以控制刻蚀时间，及时停止刻蚀。
3、由于不同材料层的反射率不同，且材料层与基板的反射率也不同，所以，在刻蚀过程中，随材料层逐渐被刻蚀，材料层的反光率逐渐发生变化，从而可以根据材料层反射的光信号判断是否达到...
【技术保护点】
1.一种刻蚀终点检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，所述分别对所述第一电压测量值和所述第二电压测量值进行卡尔曼滤波处理，得到第一电压推断值和第二电压推断值的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，系统噪声常量Q的值为1。
4.根据权利要求2所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，传感器噪声常量R的值为5-50。
5.根据权利要求2所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，初始时刻的误差协方差预测值Pk-为1。
6.根据权利要求2所述的刻蚀...
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀终点检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，所述分别对所述第一电压测量值和所述第二电压测量值进行卡尔曼滤波处理，得到第一电压推断值和第二电压推断值的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，系统噪声常量q的值为1。
4.根据权利要求2所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，传感器噪声常量r的值为5-50。
5.根据权利要求2所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，初始时刻的误差协方差预测值pk-为1。
6.根据权利要求2所述的刻蚀终点检测方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：车翰宣，金钟洙，高潇嫚，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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