基板清洗方法及基板清洗设备技术

本发明专利技术提供一种基板清洗方法及装置，该基板清洗方法包括以下步骤：对基板进行UV照射，切断基板表面污染物的化学键；对经UV清洗部清洗后的基板进行臭氧水清洗，氧化分解UV照射后残留的残渣和细菌；对经臭氧水清洗后的基板进行二氧化碳雪清洗，去除氧化分解后残留的细小残渣；对经二氧化碳雪清洗后的基板进行富氢水冲刷，去除清洗残留；对清洗后的基板进行干燥处理，使基板表面脱水干燥。上述的基板清洗方法广泛应用于短波长曝光工艺的清洗制程，具有能够提高短波长曝光工艺的良率及生产效率，且利于环保的有益效果。相应地，本发明专利技术还提供一种基板清洗设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种基板清洗设备及清洗方法。

技术介绍

1、近年来，随着半导体工艺元件的集成度的提高，为了提高图案的分辨率，曝光源的波长有进一步缩短的趋势。然而曝光波长缩短后出现了在传统波长带中未发生过的薄雾(haze)现象。这是因为在掩模基板及光掩膜制造过程中，为了去除表面杂质，使用了各种成分的清洗液，这些清洗液有sc-1(nh4oh/h2o2/h2o)、spm(h2so4/h2o2)、hpm(hcl/h2o2/h2o)、fpm(hf/h2o2)和ddf(hf/ho2)等。特别是sc-1及spm，在大多数掩模基板及光掩膜清洗工艺中，采用spm清洗去除有机物，再通过sc-1进行漂洗，在使用上述清洁液的清洁工艺之后，铵根离子(nh4+)和硫酸根离子(so42－)等会残留在掩膜表面上。如果这种残留物质暴露在具有高能量的短波长的曝光源中，就会通过光化学反应(photochemical reaction)制造生长性薄雾缺陷(growth defectsor haze)。

2、在传统的i-line以上的长波长下进行光刻工艺时，曝光能量本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，在所述对基板进行臭氧水清洗、对基板进行二氧化碳雪清洗及对基板进行富氢水冲刷的每个步骤之后，还包括以下步骤：对基板进行去离子水清洗。

3.根据权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，所述对基板进行富氢水冲刷的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的基板清洗方法，其特征在于，在所述对基板进行兆声波富氢水喷淋的步骤和所述对基板进行高压富氢水喷淋的步骤之间，还包括以下步骤：向基板的中心区域喷射去离子水。

5.根据权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种基板清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，在所述对基板进行臭氧水清洗、对基板进行二氧化碳雪清洗及对基板进行富氢水冲刷的每个步骤之后，还包括以下步骤：对基板进行去离子水清洗。

3.根据权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，所述对基板进行富氢水冲刷的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的基板清洗方法，其特征在于，在所述对基板进行兆声波富氢水喷淋的步骤和所述对基板进行高压富氢水喷淋的步骤之间，还包括以下步骤：向基板的中心区域喷射去离子水。

5.根据权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，所述基板进行二氧化碳雪清洗的步骤在露点温度不高于-40℃的环境下进行。

6.一种基板清洗设备，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的基板清洗设备，其特征在于，所述uv清洗室包括多个波长为178nm或185nm的紫外线灯管，多个所述紫外线灯管呈阵列分布。

8.根据权利要求6所述的基板清洗设备，其特征在于，所述臭氧水清洗室包括：腔室主体、旋转卡盘、挡板、移动臂、臭氧水喷嘴和去离子水喷嘴，所述旋转卡盘、所述挡板和所述移动臂均设置在所述腔室主体内，所述挡板围设在所述旋转卡盘外侧，所述移动臂与所述挡板相邻设置，所述臭氧水喷嘴设置在所述移动臂上，所述去离子水喷嘴设置在所述挡板和/或所述移动臂上。

9.根据权利要求6所述的基板清洗设备，其特征在于，所述二氧化碳雪清洗室包括：腔室主体、旋转卡盘、挡板、移动臂、二氧化碳雪喷嘴和去离子水...

【专利技术属性】
技术研发人员：车翰宣，金钟洙，张雄哲，向文超，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：