图案化介质型磁记录介质的制造方法技术

本发明专利技术目的在于提供一种在形成中间层的凹凸图案时的干式蚀刻工艺中，能够以高精度仅对必要部位进行加工的图案化介质型磁记录介质的制造方法。其包括在基板上依次形成软磁层、蚀刻阻挡层、种子层、中间层、硬掩模层和抗蚀剂的工序；将上述抗蚀剂图案化，得到抗蚀剂图案的工序；将上述抗蚀剂图案作为掩模，对硬掩模层进行蚀刻，得到图案状硬掩模层的工序；剥离上述抗蚀剂图案的工序；将上述图案状硬掩模层作为掩模，对上述中间层进行蚀刻，得到图案状中间层的工序；剥离上述图案状硬掩模层的工序；和形成磁记录层的工序，该工序在上述图案状中间层上形成垂直取向部，并在上述种子层上形成无规取向部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图案化介质(PatternedMedia)型磁记录介质的制造方法。进一步具体而言，本专利技术的涉及仅在必要部位以高精度形成中间层的凹凸图案，能够实现介质的优异的记录密度的。
技术介绍
为了提高硬盘等磁记录介质的记录密度，采取了各构成部件所用的材料的优化、记录层颗粒的微细化、磁头的小型化和垂直磁记录方式的导入等各种各样的方案。但利用这些方案提高记录密度逐渐达到因此，为了进一步提高记录密度，提出了涉及将磁记录层加工成微细凹凸图案而得到的所谓的分立磁道型或位图样型的图案化介质型磁记录介质的技术。在专利文献1中，公开了一种磁记录介质，其包括基板；形成于该基板上的软磁层；记录层，其以在垂直于表面的方向上具有磁各向异性的方式取向，形成于上述软磁层上，并且以规定的凹凸图案分割成多个记录单元；和形成于该记录层与上述软磁层之间的中间层，上述记录单元在数据区域中以规定的磁道形状形成(权利要求1)。另外，在专利文献1中，还公开了一种取向膜，其上述中间层厚度方向的至少一部分具有提高上述记录层的取向性的性质，并且与上述记录层中的上述基板侧表面相接而形成(权利要求3)。另外，在专利文献1中，还公开了一种阻挡膜，其上述中间层厚度方向的至少一部分的对于规定蚀刻的蚀刻速率低于上述记录层(权利要求7)。在专利文献2中，公开了一种磁记录介质的制造方法，其包括将在基板表面上依次形成有连续记录层、掩模层、抗蚀剂层而得到的被加工体的上述抗蚀剂层加工成规定的图案形状的抗蚀剂层加工工序；根据上述抗蚀剂层，将上述掩模层加工成上述图案形状的掩模层加工工序；除去上述掩模层上的上述抗蚀剂层的抗蚀剂层除去工序；和根据上述掩模层，通过干式蚀刻，将上述连续记录层加工成上述图案形状，分割成多个分割记录单元的连续记录层加工工序，在上述连续记录层加工工序之前，实施上述抗蚀剂层除去工序(权利要求l)。专利文献l:日本专利特开2006—12285号公报专利文献2:日本专利特开2005 — 50468号公报
技术实现思路
作为图案化介质型的磁记录介质的结构，可以考虑下述结构。艮口，考虑在控制磁记录层的磁区取向的中间层上，形成有规定的微细凹凸图案，在整个凹凸图案表面上形成有颗粒(granular)膜，仅在中间层未加工部的经过结晶取向的凸部表面上形成有在垂直方向磁区取向的磁记录层的结构。其中，考虑上述中间层使用含有Ru的材料，上述微细凹凸图案通过干式蚀刻等形成，采用Co合金_&02作为上述颗粒膜。在该图案化介质型磁记录介质中，为了在中间层上形成预期的凹凸图案时，通常考虑下述方法。S卩，首先，在中间层上形成硬掩模层。接着，在硬掩模层上涂布抗蚀剂使其暂时固化，采用纳米刻印法(于乂^乂7。yy卜法)或电子束曝光法等使抗蚀剂图案化并固化，得到抗蚀剂图案。并且，使用该抗蚀剂图案，利用离子束或反应性离子蚀刻等干式蚀刻加工硬掩模。此外，在剥离抗蚀剂图案后，利用离子束或反应性离子蚀刻等干式蚀刻对硬掩模经过加工的部位的表面露出的中间层进行加工。在按照上述顺序在中间层上形成预期的凹凸图案时，通常，中间层的厚度为1 20nm。这样，由于中间层极薄，在利用离子束蚀刻或反应性离子蚀刻等干式蚀刻加工中间层，形成凹凸图案的工序中，加工有可能进展到中间层下的软磁层。一旦加工进展到软磁层，软磁层就会由于反应气体的残渣而腐蚀，有可能不能充分发挥软磁层固有的"抑制记录时由磁头产生的磁束的发散，充分确保垂直方向的磁场"的特性。另外，由于该进展使得形成磁记录层和保护膜后的凹凸部的台阶差过大，向磁记录层凹部填充 非磁性材料，难以得到该填充表面平坦的磁记录介质。这些不期望的事项在不使用硬掩模层、仅用抗蚀剂图案加工中间 层时也是同样。这样，通过干式蚀刻很难以纳米单位控制中间层的深度。因此， 即使通过等离子体发光分光等能够检测出露出软磁层表面，如果在中 间层加工中凹部表面的水平高度不均匀，加工也很可能向软磁层进展。如上所述，虽然公开了涉及各种图案化介质型磁记录介质的技术， 但是仍然存在对在形成中间层的凹凸图案时的干式蚀刻工艺中，能够 仅对必要部位进行高精度加工的该介质的制造方法的要求。因此，本专利技术目的在于提供一种在形成中间层的凹凸图案时的干 式蚀刻工艺中，以高精度仅对必要部位进行加工，能够实现介质的优 异的记录密度的。本专利技术涉及一种，其包括在基板上依次形成软磁层、蚀刻阻挡层、种子层(seed)、中间层、硬掩 模层和抗蚀剂层的工序；将上述抗蚀剂图案化，得到抗蚀剂图案的工 序；将上述抗蚀剂图案作为掩模，对硬掩模层进行蚀刻，得到图案状 硬掩模层的工序；剥离上述抗蚀剂图案的工序；将上述图案状硬掩模 层作为掩模，对上述中间层进行蚀刻，得到图案状中间层的工序；剥 离上述图案状硬掩模层的工序；和形成磁记录层的工序，该工序在上 述图案状中间层上形成垂直取向部，并在上述种子层上形成无规取向 部。本专利技术的用于制造高记录密 度的硬盘等磁记录介质。在这样的中，优选上述蚀刻 阻挡层使用非磁性材料和/或非晶材料。另外，在通过离子束蚀刻进行上述中间层的蚀刻时，优选上述蚀 刻阻挡层的材料为溅射率低于上述中间层材料的材料。与此相对，在 通过反应性离子蚀刻进行上述中间层的蚀刻时，优选中间层材料为对 反应性气体具有耐受性的非磁性材料。上述蚀刻阻挡层的厚度优选为 10nm以下。而且，该制造方法可以通过电子束曝光法或刻印法进行上述抗蚀6剂的图案化。另外，还可以包括在上述磁记录层上形成保护层的工序。 此外，该制造方法可以在上述硬掩模层和上述中间层的至少其中 之一的蚀刻中采用干式蚀刻法。另外，在同时进行上述抗蚀剂图案的剥离和上述中间层的蚀刻时，上述中间层可以为含有Ru的材料，使用02类气体的等离子体进行上述蚀刻。专利技术效果根据本专利技术的，通过使蚀刻 阻挡层存在于软磁层和种子层之间，能够以高精度仅对中间层的必要 部位进行加工，结果，也能够以高精度形成位于其上方的磁记录层的 凹凸图案。另外，根据该制造方法，蚀刻不会达到软磁层。因此，能 够充分发挥软磁层固有的"抑制记录时由磁头产生的磁束的发散，充 分确保垂直方向的磁场"的特性。由于这些作用，根据本专利技术的制造 方法，能够实现磁记录介质的优异的记录密度。另外，在上述蚀刻阻挡层为非磁性材料时，不会影响磁记录介质 的磁特性，无需事后除去蚀刻阻挡层，因此作为介质整体能够实现简 单制造。附图说明图1为表示本专利技术的的一例 的各工序的截面示意图，(a)表示第一工序，(b)、 (c)表示第二工序， (d)表示第三工序，(e)表示第四工序和第五工序，(f)表示第六工 序，(g)表示第七工序，(h)表示任意的保护层形成工序。符号说明12:基板；14:软磁层；16:蚀刻阻挡层；18:种子层；20:中 间层；22:硬掩模层；24:抗蚀剂；26:磁记录层；26a:垂直取向部； 26b:无规取向部；28:保护层；30:图案状中间层；32:图案状硬掩 模层；34:抗蚀剂图案。具体实施例方式下面，详细说明本专利技术的。7其中，下述所示例子仅仅是举例说明，在本领域技术人员的通常创作 能力范围内可以适当设计变更。本专利技术的，包括在基板上依次形成软磁层、蚀刻阻挡层、种子层、中间层、硬掩 模层和抗蚀剂的工序(以下，有时简称为"第一工序")；将上述抗蚀剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案化介质型磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：　在基板上依次形成软磁层、蚀刻阻挡层、种子层、中间层、硬掩模层和抗蚀剂的工序；　将所述抗蚀剂图案化，得到抗蚀剂图案的工序；　将所述抗蚀剂图案作为掩模，对硬掩模层进行蚀 刻，得到图案状硬掩模层的工序；　剥离所述抗蚀剂图案的工序；　将所述图案状硬掩模层作为掩模，对所述中间层进行蚀刻，得到图案状中间层的工序；　剥离所述图案状硬掩模层的工序；和　形成磁记录层的工序，该工序在所述图案状中间层 上形成垂直取向部，并在所述种子层上形成无规取向部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：谷口克己，
申请(专利权)人：富士电机电子技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]