磁记录介质的制造方法和制造设备技术

一种磁记录介质的制造方法和制造设备，能够有效地制造离散型磁记录介质，同时确实防止分隔的记录元件的退化等。磁记录介质的制造设备（４０）包括：记录层处理装置（４２），用于通过在形成有连续记录层的磁记录介质的中间物（１０）中以平面方向的微细间隔形成多个沟槽，将连续记录层分成多个分隔的记录元件；非磁性元件填充装置（４８），用于将非磁性元件填充到分隔的记录元件之间的沟槽中；平坦化装置（５０），用于使分隔的记录元件和非磁性元件的表面平坦化；保护层形成装置（５６），用于在分隔的记录元件和非磁性元件上形成保护层；和真空保持装置（５６），用于容纳记录层处理装置（４２）、非磁性元件填充装置（４８）、平坦化装置（５０）和保护层形成装置（５２），以使中间物（１０）的周围保持于真空条件下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁记录介质的制造方法和制造设备。
技术介绍
近年来，作为包括构成记录层的磁性粒子的微型化、新材料的发展以及磁头处理技术的微型化的改进结果，磁记录介质例如硬盘等在记录密度上有显著的提高，并且预计将来在记录密度方面将进一步提高。然而，通过常规改进技术例如磁性粒子的微型化来提高记录密度现在已经达到了其极限，其中将连续的记录层分为多个分隔的记录元件、然后使用非磁体填充这些分隔的记录元件之间沟槽的离散型磁记录介质已经作为能够进一步提高记录密度的磁记录介质的例子提出了(例如，参见日本专利特开公开号平9-97419)。干蚀刻技术例如反应离子蚀刻是能够用来在连续的记录层中建立微小分隔部分(partitions)的处理技术的例子(例如，参见日本特开公开号平12-322710)。此外，使用湿式处理的嵌入技术例如那些用于半导体制造领域的技术(例如，参见日本专利特开公开号平13-323381)可以用来实现上述非磁性填充。如果在分隔的记录元件和非磁体的表面之间出现水平(level)差，那么会出现例如磁头浮动的不稳定和杂质积聚的问题，因此优选使分隔的记录元件和非磁体的表面平坦化。也可以利用用于半导体制造领域的处理技术例如基于湿式处理的CMP(化学机械研磨)技术进行上述平坦化操作。此外，可以使用用于半导体制造的湿式清洗技术(例如，参见日本特开公开号平12-091290)从分隔的记录元件表面除去杂质。然而，如果原样使用用于半导体制造工艺的干蚀刻类型技术来处理连续的记录层，那么分隔的记录元件的部分易于出现退化例如氧化和腐蚀等问题。经过一段时间的后续制造，还会出现分隔的记录元件的退化。此外，在例如清洗等其它湿式处理期间，溶剂等的作用也会在分隔的记录元件的一些部分中引起例如氧化和腐蚀的问题。出现的另一个问题在于，使用湿式工艺增加了分隔的记录元件表面受杂质污染的可能性。分隔的记录元件的这些退化和污染的问题可以引起信息记录和读取的精度损失。此外，结合干式工艺和湿式工艺会出现另外的问题，即工件输送(磁记录介质的中间物(intermediate))变得更困难，并且制造效率退化。换句话说，由于磁记录介质具有独特的问题，包括磁性材料趋于易于氧化的事实，因此在磁记录介质的制造过程中使用在其它领域例如半导体制造中有效的处理技术会产生各种问题，例如磁性材料的氧化问题，据此证明在防止分隔的记录元件退化的同时高效地制造离散型磁记录介质非常困难。
技术实现思路
本专利技术考虑到上述问题，其目的是提供一种磁记录介质的制造方法和制造设备，能够有效地制造离散型磁记录介质，同时可靠地防止分隔的记录元件的任何退化。本专利技术通过将工作环境维持在真空状态并且使用干式工艺进行连续记录层的处理，能够解决上面的问题。在可靠地防止分隔的记录元件的任何退化方面，将分隔的记录元件与大气完全隔离是非常有效的，因此优选在工作环境维持在真空状态的情况下进行从分隔的记录元件的形成到保护层的形成的所有步骤。在本说明书中，术语“真空”并不限于气压为0[Pa]的状态，而是定义为其中压强在从大约0[Pa]到100[Pa]范围内的极低气压的状态。此外，术语“磁记录介质”并不限于仅使用磁力记录和读取信息的硬盘、软盘(注册商标)和磁带等，而是还包括结合磁和光学特性的磁光记录介质例如MO(磁光)盘。因此，如下所述提供本专利技术的各种示范性实施例。(1)磁记录介质的制造方法包括记录层处理步骤，其通过在来自磁记录介质的制造工序的中间物中(该磁记录介质通过在基板表面的顶部上形成连续记录层而制成)、在平面方向以其间的微小间距形成多个沟槽，将该连续记录层分隔为多个分隔的记录元件；非磁体填充步骤，用于利用非磁体填充分隔的记录元件之间的沟槽；和保护层形成步骤，用于形成保护层，该保护层保护分隔的记录元件和非磁体，其中在将围绕中间物的环境维持在真空状态的情况下进行该记录层处理步骤。(2)根据(1)的磁记录介质的制造方法，其中在将围绕所述中间物的环境维持在真空状态的情况下依次进行所述记录层处理步骤、所述非磁体填充步骤和所述保护层形成步骤。(3)根据(1)或者(2)的磁记录介质的制造方法，其中在所述记录层处理步骤和所述非磁体填充步骤之间设置干式工艺清洗步骤，该干式工艺清洗步骤使用气体和等离子体之一，用于从围绕所述分隔的记录元件的环境中除去杂质。(4)根据(1)至(3)的任意一项的磁记录介质的制造方法，其中在所述非磁体填充步骤和所述保护层形成步骤之间设置平坦化步骤，用于使所述分隔的记录元件和所述非磁体的表面平坦化。(5)根据(4)的磁记录介质的制造方法，其中所述平坦化步骤是干式等离子体(dry plasma)步骤，该干式等离子体步骤使离子以限于从-10°到15°的范围和从60°到90°的范围中的任意一个范围内的值的入射角撞击所述分隔的记录元件和所述非磁体的表面。(6)根据(5)的磁记录介质的制造方法，其中所述干式等离子体步骤使用离子束蚀刻。(7)根据(1)至(6)的任意一项的磁记录介质的制造方法，其中在所述记录层处理步骤中，通过使用包含添加的氮基化合物的一氧化碳气体作为反应气体的反应离子蚀刻，分隔所述连续记录层。(8)根据(1)至(7)的任意一项的磁记录介质的制造方法，其中在所述非磁体填充步骤中，通过使用对所述中间物施加偏置功率的等离子CVD和偏置溅射中的任意一种方法，利用所述非磁体填充所述分隔的记录元件之间的所述沟槽。(9)根据(8)的磁记录介质的制造方法，其中所述非磁体填充步骤使用包括从由氧化物材料、氮化物材料和非磁非晶材料构成的组中选择的任意一种材料的材料作为所述非磁体。(10)根据(9)的磁记录介质的制造方法，其中所述非磁体填充步骤使用二氧化硅作为所述非磁体。(11)根据(8)至(10)的任意一项的磁记录介质的制造方法，其中在所述记录层处理步骤和所述非磁体填充步骤之间设置阻挡膜形成步骤，该阻挡膜形成步骤使用等离子体CVD(化学汽相淀积)法和溅射法中的任意一种方法，用于在所述分隔的记录元件上形成阻挡膜。(12)根据(11)的磁记录介质的制造方法，其中所述阻挡膜形成步骤形成金刚石状碳(diamond-like carbon)的阻挡膜。(13)一种磁记录介质的制造设备，包括记录层处理装置，其通过在来自磁记录介质制造工序的中间物中(该磁记录介质通过在基板表面的顶部上形成连续记录层而制成)、在平面方向以其间的微小间距形成多个沟槽，从而将该连续记录层分隔为多个分隔的记录元件；和真空保持装置，其容纳所述记录层处理装置并且将围绕所述中间物的环境维持在真空状态。(14)根据(13)的磁记录介质的制造设备，其中在所述真空保持装置的内部设置非磁体填充装置和保护层形成装置，所述非磁体填充装置用于利用非磁体填充所述分隔的记录元件之间的所述沟槽，所述保护层形成装置用于形成保护所述分隔的记录元件和所述非磁体的保护层。(15)根据(13)或者(14)的磁记录介质的制造设备，其中在所述真空保持装置内部设置干式工艺清洗装置，用于利用气体和等离子体中的任意一种从围绕所述分隔的记录元件的环境中除去杂质。(16)根据(13)至(15)的任意一项的磁记录介质的制造设备，其中在所述真空保持装置的内部设置阻挡膜形成装置，该阻挡膜形成装置用于利用等离子体CVD法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质的制造方法，包括：记录层处理步骤，其通过在来自磁记录介质制造工序的中间物中、在平面方向以其间的微小间距形成多个沟槽，其中该磁记录介质通过在基板表面的顶部上形成连续记录层而制成，将所述连续记录层分隔为多个分隔的记录元件； 非磁体填充步骤，用于利用非磁体填充所述分隔的记录元件之间的所述沟槽；和保护层形成步骤，用于形成保护层，该保护层保护所述分隔的记录元件和所述非磁体，其中：在围绕所述中间物的环境维持在真空状态的情况下进行所述记录层处理步 骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-3-5 058381/2003;JP 2003-4-4 101570/20031.一种磁记录介质的制造方法，包括记录层处理步骤，其通过在来自磁记录介质制造工序的中间物中、在平面方向以其间的微小间距形成多个沟槽，其中该磁记录介质通过在基板表面的顶部上形成连续记录层而制成，将所述连续记录层分隔为多个分隔的记录元件；非磁体填充步骤，用于利用非磁体填充所述分隔的记录元件之间的所述沟槽；和保护层形成步骤，用于形成保护层，该保护层保护所述分隔的记录元件和所述非磁体，其中在围绕所述中间物的环境维持在真空状态的情况下进行所述记录层处理步骤。2根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中在使围绕所述中间物的环境维持在真空状态的情况下依次进行所述记录层处理步骤、所述非磁体填充步骤和所述保护层形成步骤。3.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中在所述记录层处理步骤和所述非磁体填充步骤之间设置干式工艺清洗步骤，该干式工艺清洗步骤使用气体和等离子体之一，用于从围绕所述分隔的记录元件的环境中除去杂质。4.根据权利要求2所述的磁记录介质的制造方法，其中在所述记录层处理步骤和所述非磁体填充步骤之间设置干式工艺清洗步骤，该干式工艺清洗步骤使用气体和等离子体之一，用于从围绕所述分隔的记录元件的环境中除去杂质。5.根据权利要求1至4任意一项所述的磁记录介质的制造方法，其中在所述非磁体填充步骤和所述保护层形成步骤之间设置平坦化步骤，用于使所述分隔的记录元件和所述非磁体的表面平坦化。6.根据权利要求5所述的磁记录介质的制造方法，其中所述平坦化步骤是干式等离子体步骤，该干式等离子体步骤使离子以限于从-10°到15°的范围和从60°到90°的范围中的任意一个范围内的值的入射角撞击所述分隔的记录元件和所述非磁体的表面。7.根据权利要求6所述的磁记录介质的制造方法，其中所述干式等离子体步骤使用离子束蚀刻。8.根据权利要求1至4任意一项所述的磁记录介质的制造方法，其中在所述记录层处理步骤中，通过使用包含添加的氮基化合物的一氧化碳气体作为反应气体的反应离子蚀刻，来分隔所述连续记录层。9.根据权利要求5所述的磁记录介质的制造方法，其中在所述记录层处理步骤中，通过使用包含添加的氮基化合物的一氧化碳气体作为反应气体的反应离子蚀刻，来分隔所述连续记录层。10.根据权利要求6所述的磁记录介质的制造方法，其中在所述记录层处理步骤中，通过使用包含添加的氮基化合物的一氧化碳气体作为反应气体的反应离子蚀刻，来分隔所述连续记录层。11.根据权利要求7所述的磁记录介质的制造方法，其中在所述记录层处理步骤中，通过使用包含添加的氮基化合物的一氧化碳气体作为反应气体的反应离子蚀刻，来分隔所述连续记录层。12.根据权利要求1至4的任意一项所述的磁记录介质的制造方法，其中在所述非磁体填充步骤中，通过利用对所述中间物施加偏置功率的等离子体CVD和偏置溅射中的任意一种方法，使用所述非磁体填充所述分隔的记录元件之间的所述沟槽。13.根据权利要求5所述的磁记...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部一博，高井充，诹访孝裕，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]