低位错密度ＬＥＤ芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低位错密度ＬＥＤ芯片的制备方法，属于ＬＥＤ芯片制造技术领域，本发明专利技术提供一种能减低位错密度ＬＥＤ芯片的制造方法。采用的技术方案是：低位错密度ＬＥＤ芯片的制备方法，包括以下步骤：第一步，在Ｃ面蓝宝石衬底上生长ＧａＮ缓冲层；第二步，在ＧａＮ缓冲层上蒸镀透明的Ｎ型电极；第三步，在Ｎ型电极上逐层蒸镀Ｎｉ、Ａｇ、Ｔｉ、Ａｕ形成反射层；第四步，在反射层上生长一层厚度不小于５０μｍ的金属层；利用干法刻蚀技术将这层金属层制备成平整的、周期性的金属热沉单元层，间隔１００－２００μｍ；第五步，在金属热沉单元层上外延生长Ｎ型ＧａＮ层；第六步，在Ｎ型ＧａＮ层上生长有源层，采用四元ＡｌＩｎＧａＮ作为多量子阱层材料；第七步，在有源层上生长Ｐ型ＧａＮ层；第八步，在Ｐ型ＧａＮ层上生长Ｐ型电极；本发明专利技术应用在ＬＥＤ芯片设计与制造领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术低位错密度LED芯片的制备方法，属于LED芯片制造

技术介绍
近年来，以GaN和SiC为代表的第三代宽禁带半导体材料受到人们广泛关注和大力研究，尤其是ni-v族氮化物半导体材料以及与它们相关的合金和异质结材料，在高温、高频大功率器件方面具有很大的优势。 目前，高亮度的蓝绿LED已经研制成功，但是高的穿透位错密度的存在限制了这些器件性能的进一步提高，因此在实现高性能的LED方面能否取得突破性进展，降低GaN位错密度至关重要。 GaN基半导体有一些严重缺陷，其GaN基LED位错密度10S-l(Tcm—2。且GaN基LED的内量子效率主要受位错密度、多量子阱中压电场合量子阱横向形状等影响，通过降低位错密度和极化效应来最大限度增加LED的内量子效率。 GaN和蓝宝石之间存在很大的晶格失配和热失配，通常先在衬底上生长晶格常数渐变或者突变的缓冲层，然后在外延生长GaN。尽管缓冲层技术已很成熟，但用此技术生长得到的GaN薄膜仍具有很高的位错密度，对器件性能影响很大。 早期采用侧向外延技术首先是在蓝宝石衬底上生长一定厚度的GaN之后中断生长，将样品从反应室中取出，再在GaN上制本文档来自技高网...

【技术保护点】
低位错密度ＬＥＤ芯片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，在Ｃ面蓝宝石衬底上生长ＧａＮ缓冲层；第二步，在ＧａＮ缓冲层上蒸镀透明的Ｎ型电极；第三步，在Ｎ型电极上逐层蒸镀Ｎｉ、Ａｇ、Ｔｉ、Ａｕ形成反射层；第四步，在反射层上生长一层厚度不小于５０μｍ的金属层；利用干法刻蚀技术将这层金属层制备成平整的、周期性的金属热沉单元层，间隔１００－２００μｍ；第五步，在金属热沉单元层上外延生长Ｎ型ＧａＮ层；第六步，在Ｎ型ＧａＮ层上生长有源层，采用四元ＡｌＩｎＧａＮ作为多量子阱层材料；第七步，在有源层上生长Ｐ型ＧａＮ层；第八步，在Ｐ型ＧａＮ层上生长Ｐ型电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：伍永安，高绍兵，
申请(专利权)人：山西乐百利特科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：14[中国|山西]