【技术实现步骤摘要】
本专利技术照明用的LED芯片的制造方法，属于半导体发光二极管光源制造
技术介绍
发光二极管LED是一种新型光源，和传统光源相比它具有很多优点长寿、节能、低电压、体积小、无污染丄ED自诞生以来，技术在不断进步，发光效率在不断提高，目前白光LED发光效率已经超过普通荧光灯，LED已开始进入照明领域。 目前LED技术已经取得很大成果，但是LED电光转换效率还不是很高，主要在于LED的外量子效率不高。外量子效率ne为每注入一对载流子在LED外发出的光子数，它是内量子效率ni、载流子注入效率nj和出光效率nex的乘积 ii e= ii ex 内量子效率I是一个和辐射复合的微过程密切相关的参数，它定义为在一定注入条件下，单位时间内辐射复合产生的光子数与单位时间内注入的载流子对数之比。对于GaN基LED器件，其量子阱、异质结构载流子限制效应以及量子限制斯塔克效应(QCSE)将对内量子效率起着重要影响。 LED的注入效率nj为，在一定的注入条件下，单位时间内注入到发光区中产生复合的载流子数与注入载流子总数之比。提高载流子注入效率的方法主要是提高空穴的注入和降低电子的...
【技术保护点】
照明用的ＬＥＤ芯片的制造方法，其特征在于按下述步骤制造：第一步：选用蓝宝石作为衬底（１），采用金属有机源化学气相淀积系统，Ｎ源和Ｇａ源分别为高纯ＮＨ↓［３］和三甲基镓，高纯Ｈ↓［２］为载气；将衬底（１）的温度控制在５５０℃，在衬底（１）上生成２４－２６ｎｍ的第一层ＧａＮ缓冲层（２），然后将衬底（１）温度升高到１１１５℃－１１２５℃，再生成２μｍ左右的非掺杂的第二层ＧａＮ缓冲层（３）；第二步：在第二层ＧａＮ缓冲层（３）上生成Ｎ型电极（４），电极材料为Ｎｉ／Ａｕ；第三步：在Ｎ型电极（４）上生成反射层（５），反射层（５）的材料为Ａｇ；第四步：在衬底（１）温度为１１１５℃－１１２５...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：伍永安，高绍兵，
申请(专利权)人：山西乐百利特科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：14[中国|山西]
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