高效抗干扰ＬＥＤ芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高效抗干扰ＬＥＤ芯片的制备方法，属于ＬＥＤ芯片制造技术领域，本发明专利技术所要解决的问题是：在现有ＬＥＤ芯片上蒸镀有能提高ＬＥＤ出光效率及防止干扰光双层薄膜的的方法，采用的方案为：高效抗干扰ＬＥＤ芯片的制备方法，按照以下步骤制备：第一步，将ＬＥＤ芯片清洗干净；第二步，将ＬＥＤ芯片放入镀膜机，放入ＴｉＯ２靶材和ＺｎＳ－ＭｇＦ靶材；第三步，抽真空至２×１０－２Ｐａ，开始蒸镀；第四步，用光学监控法，先蒸镀ＴｉＯ２薄膜，再蒸镀ＺｎＳ－ＭｇＦ薄膜，待ＬＥＤ芯片上薄膜总厚度为蓝光波长的四分之一时，关挡板，停止蒸镀，上述制备方法中第二步只放入ＴｉＯ２靶材，第四步，只蒸镀ＴｉＯ２薄膜，镀两层，两层薄膜的总厚度仍为蓝光波长的四分之一，上述蒸镀的方法采取电子枪蒸发沉积薄膜方法；本发明专利技术可应用到制造照明用ＬＥＤ芯片的领域中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术高效抗干扰LED芯片的制备方法，属于LED芯片制造

技术介绍
半导体照明产业在全球已经兴起。在国家中长期科技规划战略研讨会议上，已将"新世纪照明工程"推荐为重大项目，发展半导体照明工程已经到了新时期。现在功率型白光LED的光效100 1201m/W，而真正能够取代白炽灯和荧光灯进入通用照明市场，其光效还有待提高。这一方面要求在芯片的制作上不断提高LED的量子效率，同时还要求在LED的封装及灯具的设计制作过程中尽可能提高出光效率。现有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率较高，LED发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分光被芯片与外界(环氧树脂)的界面反射，因此导致LED芯片光的损失。蓝光芯片激发黄色荧光粉使荧光粉发出黄光，芯片吸收黄光光子，会使芯片发出杂光。
技术实现思路
为了克服现有技术存在的不足，本专利技术所要解决的问题是在现有LED芯片上蒸镀有能提高LED出光效率及防止干扰光双层薄膜的的方法。 为了解决上述问题，本专利技术采用的方案为高效抗干扰LED芯片的制备方法，按照以下步骤制备第一步，将LED芯片清洗干净；第二步，将LED芯片放入镀膜机，放入本文档来自技高网...

【技术保护点】
高效抗干扰ＬＥＤ芯片的制备方法，其特征在于按照以下步骤制备：第一步，将ＬＥＤ芯片清洗干净；第二步，将ＬＥＤ芯片放入镀膜机，放入ＴｉＯ↓［２］靶材和ＺｎＳ－ＭｇＦ靶材；第三步，抽真空至２×１０↑［－２］Ｐａ，开始蒸镀；第四步，用光学监控法，先蒸镀ＴｉＯ↓［２］薄膜，再蒸镀ＺｎＳ－ＭｇＦ薄膜，待ＬＥＤ芯片上薄膜总厚度为蓝光波长的四分之一时，关挡板，停止蒸镀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：伍永安，高绍兵，
申请(专利权)人：山西乐百利特科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：14[中国|山西]