【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及玻璃陶瓷多层基板的制造方法及由此获得的玻璃陶瓷多层基板。特别涉及为了能够以更高可靠性抑制制造玻璃陶瓷多层基板时烧结步骤中的收缩现象所进行的改良。
技术介绍
在制造具备导体膜及穿孔(via hole)导体等配线导体的陶瓷多层基板时，配线导体必须与制造多层基板时的烧结条件相适应。因此，以Ag、Cu等低电阻导体为配线导体时，陶瓷多层基板必须由能够在Ag、Cu等的熔点以下的温度烧结的材料构成，只有满足这一条件的陶瓷多层基板才可被实际应用。一般，具备由Ag、Cu等低电阻导体构成的配线导体的玻璃陶瓷多层基板通过以下步骤制得。即，在玻璃粉末和陶瓷粉末的混合粉末中混入树脂及溶剂等，使所得浆料成形为片状制得生料片后，在其上涂布含有Ag或Cu等导电成分的导电糊形成配线导体，然后层叠形成了配线导体的多个生料片，对所得的未烧结层叠体进行烧结处理就可获得玻璃陶瓷多层基板。但是，上述烧结步骤中，导电糊和生料片间的烧结收缩行为是不同的，导电糊中包含的金属成分向生料片包含的玻璃中扩散，由于配线导体周围的玻璃收缩行为的变化等，很难制造无翻转的、即平坦的玻璃陶瓷多层基板。此外，玻璃...
【技术保护点】
玻璃陶瓷多层基板的制造方法，其特征在于，具备以下５个步骤，即制作以第１玻璃粉末及第１陶瓷粉末为固形成分的第１生料片的步骤；制作以第２玻璃粉末及第２陶瓷粉末为固形成分、且显现出与前述第１生料片不同的烧结收缩行为的第２生料片的步骤；在前述第１及第２生料片的至少１方上形成导体膜及穿孔导体中的至少１种的步骤；通过将前述第１生料片及前述第２生料片层叠获得未烧结层叠体的步骤；在温度超过前述第１及第２玻璃粉末的玻璃化温度中较低一方的温度后，以Ｘ℃／分钟（Ｘ＞１）的升温速度升温达到最高温度，在此过程中对前述生料片进行烧结的步骤；前述烧结过程中，将前述第１及第２生料片的收缩起始温度（℃）分别...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：守屋要一，杉本安隆，近川修，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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