半导体封装及其制造方法以及半导体器件技术

技术编号:3730289 阅读:172 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种半导体封装,提供有多层互连结构,将半导体芯片安装在它的上表面上,其中:    多层互连结构的最上面叠置结构包括电容器结构,该电容器结构具有由高介电常数的无机填料和绝缘树脂的混合电解沉积层组成的介质层,并且包括将上部电极和下部电极与所述半导体芯片的电极直接连接的芯片连接焊盘。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于安装半导体芯片的封装,也就是,半导体封装及其制造方法以及由半导体封装和安装其内的半导体芯片组成的半导体器件。
技术介绍
在许多应用中,半导体器件制造得越来越致密。为此,当非常接近地提供互连图形时,防止互连之间的串扰以及电源线等的电位波动很重要。特别是,当半导体封装安装用于高频开关操作需要的高频半导体芯片时,随着频率的增加,更容易发生串扰。此外,开关元件的高速开/关操作也会产生开关噪声。由于此,电源线等的电位更容易波动。在过去,作为消除这种问题的手段,将单独的芯片电容器或其它电容器安装在半导体封装中,作为通过信号线或电源线(去耦)消除电路之间不需要的耦合的旁路电容器。然而,现有技术的方法存在以下问题。首先,随着单独的芯片电容器等的安装,互连图形的设计自由度降低。此外,如果连接芯片电容器和半导体芯片的互连距离较长,那么电感变得较大,并且不能获得芯片电容器的去耦效果。因此,芯片电容器等要尽可能地靠近半导体芯片安装。然而,芯片电容器的尺寸限制了安装位置,所以也限制了半导体芯片附近的布局。此外,如果将芯片电容器或其它电容器安装在半导体封装中,那么封装的尺寸和重量不可避免地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:清水规良六川昭雄饭岛隆广
申请(专利权)人:新光电气工业株式会社
类型:发明
国别省市:

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