陶瓷多层基板及其制造方法技术

提供了具有极好的抗迁移性以及在树脂密封材料与陶瓷多层基板主体之间的高接合强度的陶瓷多层基板，及这种陶瓷多层基板的制造方法。用通过ＰＶＤ方法形成的硅氧烷膜完全覆盖包括焊区（１６，１７）和外部电极（２４，２５）的多层基板主体（２）。将硅氧烷膜的厚度设置为低于１００ｎｍ。然后，安装组件（１１）的外部电极（１３，１４）通过焊料（１９）电连接到多层板主体（２）的焊区（１６，１７）并固定。然后，在多层基板主体（２）上形成用于密封安装组件（１１）的树脂密封材料（４）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，尤其涉及用于在其表面上安装诸如 IC组件之类的电子组件的。
技术介绍
一般而言，在陶瓷多层基板中，在基板表面上形成用于安装安装组件的基于Ag或Cu的焊区和用于安装多层基板本身的另外的外部电极。在焊区和外部电极 上，形成可焊接且可引线接合的电镀膜。电镀膜也具有抑制焊区和外部电极迁移的 效果。然而，以前，当陶瓷多层基板在高电场下使用时，因为在焊区和外部电极上 形成的电镀膜不能充分地抑制迁移，所以除电镀膜以外还需要由玻璃或树脂制成的 保护膜的形成。因此，由于保护膜的形成，有关于设计限制以及制造成本增加的问 题。此外，如专利文献1所述，为了保护安装在陶瓷多层基板上的安装组件，在 某些情况下，用树脂密封材料来密封安装组件。然而，因为树脂密封材料和陶瓷多 层基板主体之间的润湿性不好，所以还存在树脂密封材料和陶瓷多层基板主体之间 的接合强度不够的问题。此外，关于通过溅射形成硅氧烷膜的技术，在专利文献2和专利文献3中有 描述。专利文献1:日本未审查专利申请公布第2003-249840号 专利文献2:日本未审査专利申请公布第06-152109号 专利文献3:日本未审査专利申请公布第08-213742号专利技术公开因此，本专利技术的目的是提供一种具有极好的抗迁移性以及树脂密封材料和陶 瓷多层基板主体之间的高接合强度的。 为了实现上述目的，根据第一专利技术的陶瓷多层基板的特征在于包括通过层叠 多个陶瓷层和内部导体层组成的层叠基板主体、设置在层叠基板主体的表面上用于 电连接到安装组件的外部电极的焊区；以及被设置成覆盖层叠基板主体和焊区且厚度低于100nm的硅氧垸膜。此外，关于根据第一专利技术的陶瓷多层基板，较佳地将硅氧垸膜设置成覆盖经 由焊料安装在焊区上的安装组件及悍料的至少一部分。根据第二专利技术的陶瓷多层基板的特征在于包括通过层叠多个陶瓷层和内部导 体层组成的层叠基板主体；设置在层叠基板主体的表面上用于电连接到安装组件的 外部电极的焊区；经由焊料安装在焊区上的安装组件；以及被设置成覆盖层叠基板 主体、安装组件和焊料的至少一部分且厚度低于100nm的硅氧垸膜。此外，关于根据第一和第二专利技术的陶瓷多层基板，它们较佳地包括用于密封 安装组件的树脂密封材料。此外，较佳地用硅氧烷膜覆盖树脂密封材料。根据第三专利技术的陶瓷多层基板的特征在于包括通过层叠多个陶瓷层和内部导 体层组成的层叠基板主体；设置在层叠基板主体的表面上用于电连接到安装组件的 外部电极的焊区；经由焊料安装在焊区上的安装组件；用于密封安装组件的树脂密 封材料；以及被设置成覆盖层叠基板主体和树脂密封材料且厚度低于100nm的硅 氧烷膜。在根据第一至第三专利技术的陶瓷多层基板中，安装组件较佳地包括IC组件并通 过引线接合电连接到焊区。IC组件可被包含在设置在层叠基板主体的一个主表面 上的空腔中。此外，也可在焊区上形成电镀膜。根据第四专利技术的陶瓷多层基板的制造方法的特征在于包括以下步骤通过层 叠多个陶瓷层和内部导体层形成层叠基板主体;在层叠基板主体的表面上形成电连 接到安装组件的外部电极的焊区；以及通过PVD工艺形成厚度低于100nm的硅氧 烷膜以覆盖层叠基板主体和焊区。关于根据第四专利技术的陶瓷多层基板的制造方法，它们还包括以下步骤经由 焊料在其上形成硅氧烷膜的焊区上安装一安装组件；以及通过PVD工艺形成厚度 低于100nm的硅氧垸膜以覆盖安装组件和焊料的至少一部分。根据第五专利技术的陶瓷多层基板的制造方法的特征在于包括以下步骤通过层 叠多个陶瓷层和内部导体层形成层叠基板主体;在层叠基板主体的表面上形成电连 接到安装组件的外部电极的焊区；经由焊料将安装组件安装到焊区上；以及通过 PVD工艺形成厚度低于lOOnm的硅氧烷膜以覆盖安装组件和焊料的至少一部分。关于根据第四和第五专利技术的陶瓷多层基板的制造方法，它们可包括在通过 PVD工艺形成硅氧烷膜以覆盖安装组件的步骤之后，用树脂密封材料密封安装组件的步骤。此外，它们还可包括在通过PVD工艺形成厚度低于100nm的硅氧烷膜 以覆盖树脂密封材料的步骤。根据第六专利技术的陶瓷多层基板的制造方法的特征在于包括以下步骤通过层 叠多个陶瓷层和内部导体层形成层叠基板主体；在层叠基板主体的表面上形成电连 接到安装组件的外部电极的焊区；经由焊料将安装组件安装到焊区上；用树脂密封 材料密封安装组件；以及通过PVD工艺形成厚度低于lOOnm的硅氧烷膜以覆盖层 叠基板主体和树脂密封材料。根据第七专利技术的陶瓷多层基板的制造方法的特征在于包括以下步骤通过层 叠多个陶瓷层和内部导体层形成层叠基板主体；在层叠基板主体的表面上形成电连 接到安装组件的外部电极的焊区；在焊区上形成焊球；通过PVD工艺形成厚度低 于lOOnm的硅氧烷膜以覆盖焊区和焊球；通过PVD工艺形成厚度低于100nm的 硅氧烷膜以覆盖安装组件；以及经由焊球将安装组件安装到焊区上。根据第八专利技术的陶瓷多层基板的制造方法的特征在于包括以下步骤通过层 叠多个陶瓷层和内部导体层形成层叠基板主体；在层叠基板主体的表面上形成电连 接到安装组件的外部电极的焊区；在焊区上形成焊球；通过PVD工艺形成厚度低 于100nm的硅氧烷膜以覆盖层叠基板主体和焊区；在安装组件上形成焊球；通过 PVD工艺形成厚度低于lOOnm的硅氧烷膜以覆盖安装组件和焊球；以及经由焊球 将安装组件安装到焊区上。关于根据第七和第八专利技术的陶瓷多层基板的制造方法，它们可包括在安装安 装组件的步骤之后，用树脂密封材料密封安装组件的步骤。此外，它们还可包括通 过PVD工艺形成厚度低于lOOnm的硅氧垸膜以覆盖层叠基板主体和树脂密封材料 的步骤。关于根据第四至第八专利技术的陶瓷多层基板的制造方法，它们较佳地包括活化 硅氧垸膜的表面的步骤。活化硅氧垸膜的步骤较佳地通过使硅氧垸膜的表面受到利 用氧等离子体的清洗来进行。专利技术优点根据本专利技术，因为设置了厚度低于lOOnm的硅氧烷膜以覆盖层叠基板主体和 焊区，所以通过防水效应，可改进抗迁移性，并且还改进了诸如硫化和氧化之类的 化学环境特性。此外，因为硅氧烷膜的厚度低于100nm，所以可以没有问题地进行 焊接和引线接合。如果层叠基板主体和经由焊料安装的安装组件两者都用硅氧烷膜覆盖，则硅 氧烷膜覆盖焊料的暴露部分，从而能够抑制焊料的流出。此外，当包括用于密封安装组件的树脂密封材料时，树脂密封材料和硅氧烷 膜之间的润湿性是良好的，且硅氧烷膜和层叠基板主体之间的接合强度也高，从而 能够增强树脂密封材料和层叠基板主体之间的接合强度。如果设置了树脂密封材料以覆盖硅氧垸膜，则抑制了树脂密封材料的湿气吸 收，从而能够抑制由于树脂密封材料吸收的湿气而引起的安装组件的特性改变，或 由树脂密封材料的水解导致的杂质。此外，如果层叠基板主体和树脂密封材料同时用硅氧垸膜覆盖，则层叠基板 主体和树脂密封材料之间的界面的侧面用硅氧烷膜覆盖，从而能够抑制层叠基板主体和树脂密封材料之间的界面的剥离。如果安装组件经由覆盖有硅氧垸膜的焊球安装在基板主体上，则可进一步确 定地抑制焊料的流出。附图简述附图说明图1是示出根据本专利技术的陶瓷多层基板的第一实施例的截面图。 图2是示出形成硅氧烷膜的步骤的说明性视图。图3是示出基于硅氧垸的树脂的量与硅氧烷膜的厚度之间的关系的图。图4是示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷多层基板，包括：　　　　通过层叠多个陶瓷层和内部导体层组成的层叠基板主体；　　　　设置在所述层叠基板主体的表面上的焊区，用于电连接至安装组件的外部电极；以及　　　　被设置成覆盖所述层叠基板主体和所述焊区的硅氧烷膜，所述硅氧烷膜的厚度低于１００ｎｍ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：川上弘伦，藤田岩雄，户濑诚人，齐藤善史，木村真宏，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]