元件基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种可形成精度良好的微细图形金属层的元件基板及其制造方法。所述制造方法包括：在第一支持基板（１０）上形成剥离层（２４）的工序；在剥离层上形成一定图形的金属层（３４）的工序；在第一支持基板上涂布含有无机基板原料的溶胶－凝胶溶液的工序；通过施加热处理去除溶胶－凝胶溶液的溶剂而形成无机基板（１１４）的工序；以及通过分解剥离层而将金属层（３４）从所述第一支持基板上剥离，使所述金属层从所述第一支持基板（１０）上移动至无机基板上的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种元件基斧反(element substrate )及其制造方法。技术背景在基纟反上形成金属配线等时，例如，可通过减除法(subtractive method)来形成。在减除法中，在基^反的整个面上形成金属层，在 金属层上涂布光致抗蚀剂并形成图形，将该光致抗蚀剂作为掩模来 蚀刻金属层。在这种方法中，在最后去除光致抗蚀剂的方面或去除 金属层的一部分的方面上，存在有资源以及材料的消耗的问题。而 且，对1 jum以下的微细图形的金属层而言，难以精度良好地形成。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种形成有精度良好的微细图形金属 层的。本专利技术的元件基板包括在上表面具有孔部的无机基板、以及 嵌入在所述孔部内部的金属层；所述孔部的宽度为40nm到1 ium， 深度为20 ■ ~ 300 ■。此外，本专利技术中，所谓"形成在A上的B"，包括以下两种情 况，即以与A4妻触的习犬态形成B的情况；和由于在A与B之间 夹有其它层而以不与A^妄触的a犬态形成B的情况。 本专利技术的元件基一反中，可以在所述金属层的上表面形成有凹部。如此，通过形成凹部而在刮才察(scratch)方面增强。与上表面 平坦的情况相比，表面积变大，因此，可以4是高》丈热岁文果。本专利技术的元件基4反中，所述无才几基板可以是透过光的透光性基板。本专利技术的元件基板的制造方法包括(a) 在第一支持基板上形成剥离层的工序；(b) 在所述剥离层上形成一定图形的金属层的工序；(c )将含有无机基板的原料的溶胶-凝力交溶液涂布在所述第 一支持基板上的工序；(d) 通过施加热处理去除所述溶胶-凝胶溶液的溶剂、从而 形成无才几基寺反的工序；以及(e) 通过分解所述剥离层，将所述金属层从第一支持基板上 剥离，将所述金属层从所述第一支持基板移动至所述无机基板上的 工序。本专利技术的元件基板的制造方法中，在所述工序(e)之后，还 可以包4舌对所述无才几基^反的所述金属层移动后的面进4亍研磨的工 序。本专利技术的元件基板的制造方法中，在所述工序(b)中可以使 用化学镀法形成所述金属层。 本专利技术的元件基板的制造方法中，在所述工序(a)中，可以 通过将所述第一支持基板浸渍在表面活性剂溶液中，形成表面活性 剂作为所述剥离层；所述步骤(b)可以包括通过将所述第一支 持基板浸渍在催化剂溶液中，在所述剥离层上形成催化剂层的工 序；以及通过将第一支持基板浸渍在化学镀液中，在所述催化剂层 上析出金属层的工序。本专利技术的元件基板的制造方法中，还可以在所述工序(a)之 前包括工序(g),即在所述第一支持基板上形成具有与所述金属层 的一定图形相同的一定图形的树脂成形体；在所述工序(a)中， 可以在所述树脂成形体上形成所述剥离层。本专利技术的元件基板的制造方法中，所述工序(g)可以包括 在第一支持基板上涂布流动状态的树脂材料的工序；将具有一定图 形的凹图形纳米压模按压在所述第 一支持基板上，将所述一定图形 转印至所述树脂材料上的工序；以及固化所述树脂材料的工序。本专利技术的元件基板的制造方法中，在所述工序(g)与(a)之 间，通过灰化处理去除固化后的树脂材4+的上部以及所述一定图形 以外的区域的树脂材料。本专利技术的元件基板的制造方法中，所述树 脂成形体包括光致抗蚀剂，所述工序(g)中可使用干涉曝光法来 形成所述树脂成形体。本专利技术的元件基板的制造方法中，在所述工序(g)与(a)之 间，还可以包括通过将所述第一支持基板浸渍在碱溶液中，去除所 述树脂成形体的 一部分的工序。附图说明图1是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图2是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图3是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图4是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图5是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图6是示出本实施方式的元件基^反的制造方法的图。图7是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图8是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图9是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图10是示出本实施方式的元件基4反的制造方法的图。图11是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图12是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图13是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图14是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图15是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。图16是示出本实施方式的元件基板的剖面图。图17是示出应用本实施方式的元件基板的电子装置的一个实 施例的图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的优选实施方式进行说明。 1 .图1~图15是示出第二元件基板300(参照图16)的制造方法 的图。本实施方式中，应用化学镀来制造元件基板。(1)首先，准备第一支持基板10。优选在第一支持基板10 的表面上没有凹凸。例如，优选凹凸的高度小于10nm。接着，在第一支持基板10上形成一定图形的树脂成形体22c。 作为形成^f脂成形体22c的方法，可4吏用众所周知的方法，例如， 可^吏用干涉曝光法或者纳米压印4支术，本实施方式中，对-使用纳米 压印技术来形成树脂成形体22c的情况加以说明。首先，如图1所示，在基一反10上涂布流动状态的树脂材4牛22a。 作为树脂材料22a,可使用热固化性树脂、热塑性树脂、光固化 性树脂等。作为涂布方法，可使用旋涂法等众所周知的方法。然后，通过将纳米压模12沿第一支持基板10的方向(图2的 箭头方向)按压，将一定图形转印在树脂材料上。在此，所谓一定 图形，也可以是以一定间隔配置的多条线的周期性图形。在杉于脂材 料22a为光固化性树脂时，纳米压才莫12也可以4吏用具有透光性的。然后，固化树脂成形体22b,将纳米压才莫12乂人树脂成形体22b 剥离(参照图3)。这样可形成具有一定图形的树脂成形体22b，如 图4所示。也可以使用树脂成形体22b进入到下述工序(2),也可以如图 5所示i也通过回蚀(etch back)等去除一定图形间隙的杉于脂成形体 22b的一部分。在树脂成形体22b包括光致抗蚀剂时，也可以通过 灰化处理来去除一部分。此处，可以去除一定图形间隙的树脂成形 体22b的一部分，并且也可以去除一定图形区域的树脂成形体22b 的上部。通过进4于该去除工序，可以形成4对脂成形体22c。使用纳米压印技术形成树脂成形体22c的方法如上所述，但是 即使如上所述地4吏用干涉曝光法，也可以形成树脂成形体22c。在 使用干涉曝光法的情况下，优选应用光致抗蚀剂作为树脂材料22a, 并且预先将防反射膜设置在第一支持基板10上。(2 )然后，清洗第 一支持基板10以及树脂成形体22c的表面。 第一支持基4反10以及初t脂成形体22c的表面的清洗可以用干式清 洗，也可以用湿式清洗，更优选干式清洗。可以通过干式清洗防止 剥离等对树脂成形体22c造成的破坏。如图6所示，干式清洗可以-使用真空紫外线灯18 (波长为172 nm，输出功率为10 mW,试料间距离为1 mm),在氮气气体环境 下，照射真空紫外线20,进行30秒钟~900秒钟。通过清洗第一 支持基板10，可以去除附着在第一支持基板10的表面上的油脂等 污物。另外，可4吏第一支持基4反10以及杉于脂成形体22c的表面乂人 憎水性变为亲水性。另外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种元件基板，包括：在上表面具有孔部的无机基板；以及嵌入在所述孔部内部的金属层；所述孔部的宽度为４０ｎｍ到１μｍ，深度为２０ｎｍ～３００ｎｍ。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金田敏彦，木村里至，降旗荣道，木岛健，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]