电路基板和其制造方法以及使用该电路基板的电子部件技术

提供一种通孔密闭性高的电路基板和其制造方法以及使用该电路基板的电子部件。电路基板（１）包含：绝缘基板（１０）；通孔（１１），在绝缘基板（１０）的厚度方向形成、用来连接绝缘基板（１０）的第１主面（１０ａ）和绝缘基板（１０）的第２主面（１０ｂ），其特征为，包含：导电膜（１２），形成于通孔（１１）的内壁和第１及第２主面（１０ａ、１０ｂ）内通孔（１１）的开口部周围；填充构件（１４），填充在通孔（１１）；填充构件（１４）以非发泡状态填充。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及装载晶片或半导体元件等的电路基板和其制造方法 以及使用该电路基板的电子部件。
技术介绍
作为现有的电路基板中通孔的密闭方法，有一种在通孔中坝充玻璃桨的方法(例如，参见专利文献1)。图5A C是说明专利文献1 中记载的现有通孔密闭方法所用的截面图。首先，如图5A所示，在 绝缘基板IOI的厚度方向，采用由喷射处理等手段形成通孔102。接 着，如图5B所示，在通孔102的内壁和通孔102的开口部周围形成 导电膜103。然后，如图5C所示，在通孔102内填充由玻璃浆构成 的填充构件104，并进行烧固来封闭通孔102。专利文献1:日本特开平05-67868号公报但是，釆用上述现有的方法，当烧固填充构件104吋，因为填充 构件104中包含的粘合树脂出现发泡，所以使填充构件104多孔质化。 其结果为，通孔102的密闭性变低，因此在将采用上述现有的方法得 到的电路基板使用于后述的晶体振子等电子部件中时，存在难以维持 电子部件气密性的担心。
技术实现思路
本专利技术用来解决上述现有的问题，其目的为，提供一种通孔密闭性高的电路基板和其制造方法以及使用该电路基板的电子部件。本专利技术的电路基板包含绝缘基板；通孔，按上述绝缘基板的厚 度方向来形成，用来连接上述绝缘基板的第1主面和上述绝缘基板的 第2主面；其特征为，包括导电膜，形成于上述通孔的内壁和上述第1及第2主而内上述通 孔的开口部周围填充构件，坝充在上述通孔内； 上述壤充构件以非发泡状态坝充。 本专利技术电路基板的制造方法其特征为，在绝缘基板的厚度方向，形成用来连接上述绝缘基板的笫1主面 和上述绝缘基板的第2主面的通孔，在上述通孔的内壁和上述第1及第2主面内上述通孔的开口部周 围形成导电膜，一边对填充构件进行加热 加压， 一边将其塡充于上述通孔内。 木专利技术的屯子部件，包括-电路基板，包含绝缘基板；通孔，在上述绝缘基板的厚度方向 形成，用来连接上述绝缘基板的第1主面和上述绝缘基板的第2主面; 电子元件，装载于上述电路基板上； 盖体，覆盖上述电子元件； 其特征为，上述电路基板包含导电膜，形成于上述通孔的内壁和上述第1 及第2主面内上述通孔的开口部周围；填充构件，填充在上述通孔内； 上述填充构件以非发泡状态进行填充。根据本专利技术的电路基板，可以提供一种电路基板，该电路基板因 为在以发泡状态将填充构件填充于通孔内，所以通孔的密闭性较高。 另外，根据本专利技术的电子部件，可以提供一种电子部件，因为使用上述本专利技术的电路基板，所以气密性较高。另外，根据本专利技术电路基板 的制造方法，可以轻易制造上述本专利技术的电路基板。附图说明图1是本专利技术第1实施方式所涉及的电路基板截面图。图2A G是用于说明本专利技术第1实施方式所涉及的电路基板制 造方法的一例的截面图。图3是本专利技术第2实施方式所涉及的电子部件截面图。图4A C是用于说明本专利技术第2实施方式所涉及的电路基板制 造方法的一例的截面图。图5A C是用于说明现有的通孔密闭方法的截面图。具体实施例方式本专利技术的电路基板包含绝缘基板；通孔，在该绝缘基板的厚度 方向形成，用来连接绝缘基板的第1主面和绝缘基板的第2主面。这 里，"第1主而"是指，在将上述电路基板使用于后述的电子部件时， 装载电子元件一侧的绝缘基板主面。上述绝缘基板优选的是玻璃基板。玻璃基板因为具有氧化硅分子 排列而成的没有交界线的结构，所以与陶瓷基板等相比，紧密地形成。 因而，上述绝缘基板为玻璃基板的情况下，在使用于后述的电子部件 吋，能够提高电子部件的气密性。作为玻璃基板，例如可以使用热膨 胀系数为3xl(rV'C 8xlOYC的硼硅酸盐玻璃，或同样热膨胀系数为 3 x 10-6/ 'C 8 x 10—6/ 'C的无碱玻璃或者热膨胀系数为8 x 10_6/ 。C 1.2xlO'V'C的钠玻璃等。另夕卜，其厚度例如是100 300wm左右。还 有，上述绝缘基板的软化点例如是700 卯0'C左右。上述通孔优选的是，从上述第1主面直到上述第2主面其直径逐 渐变小。其原因为，可以轻易进行后述填充构件的填充。通孔的直径虽然可以按照绝缘基板的厚度适当设定，但是例如在绝缘基板的厚度为150;^m时，可以将上述第1主而侧的开口径设为100 150//m的 范围，并可以将上述第2主面侧的开口径设为50 100;/m的范围。 另外，通孔的形成例如可以采用喷砂法或腐蚀法等来进行。特别是， 根据喷砂法，因为可以通过适当调整喷压等，来形成希望形状的通孔， 所以是优选的。而且，本专利技术的电路基板包含导电膜，形成于上述通孔的内壁 和上述第1及第2主面的上述通孔的开口部周围；填充构件，填充在 上述通孔内；上述填充构件以非发泡状态进行填充。因此，可以提供 一种通孔密闭性高的电路基板。特别是，在填充到上述通孔内的上述 填充构件的气孔率为20%以下(更为优选的是10%以下)吋，因为通 孔的密闭性得到进一步提高，所以是优选的。还有，上述填充构件的 气孔率例如可以实际测量上述琐充构件的比重，按照该实测值和上述 埙充构件的结构材料本身的比贯之比，来求取。另外，上述填充构件 的软化点例如是500 700'C左右。另外，在本专利技术屮，在作为上述绝缘基板使用玻璃基板吋，优选 的是，上述埙充构件由玻璃构成。因为可以按某利'程度调整上述绝缘 基板的热膨胀系数和上述填充构件的热膨胀系数，所以例如可以防止 因热变形导致的通孔密闭性下降。另外，在本专利技术中，在上述填充构件由玻璃构成时，作为上述导 电膜优选的是，使用含有钛、铜等易于形成氧化物层的金属的薄膜。 其原因为，因为构成上述填充构件的玻璃(氧化物为主成分)和覆盖 上述导电膜的氧化物层坚固粘结，所以上述通孔的密闭性得到进一步 提高。上述导电膜例如可以采用溅射法或电镀法等的技术手段来形 成。例如在将钛薄膜形成为0.05 0.1wm左右的厚度时，可以采用 溅射法来形成。另外，例如在将铜薄膜形成为1 2/im左右的厚度 时，可以采用非电解电镀法及电解电镀法来形成。下面，对本专利技术电路基板的制造方法进行说明。并且，在下面的 说明中，有时省略和上述本专利技术电路基板的说明重复的内容。本专利技术电路基板的制造方法为，首先按绝缘基板的厚度方向，形成用来连接绝缘基板的第1主而和绝缘基板的第2主而的通孔，并在 该通孔的内壁和上述第1及第2主面的上述通孔的开口部周围形成导 电膜。通孔及导电膜的形成方法如上所述。当形成通孔时优选的是， 形成为从上述第1主面直到上述第2主面其通孔的直径逐渐变小。其 原因为，可以轻易进行后述填充构件的填充。另外，使用的绝缘基板 和上述本专利技术的电路基板相同，优选的是玻璃基板。而且， 一边对坝充构件进行加热，加压， 一边将其填充于上述通 孔内。因此，填充构件以非发泡状态进行填充，获得上述本专利技术的电 路基板。还有，填充上述填充构件时的填充条件，根据上述填充构件 的材料等有所不同，而对于上述填充构件由玻璃构成时的最佳坝充条 件，将在后而进行说明。另外，根据本专利技术电路基板的制造方法，也可以在上述通孔内埙 充大致球状的上述填充构件。其原因为，可以使通孔内壁上所形成的 导电膜禾tm充构件均匀粘结。此时，要填充的上述填充构件直径可以 按照上述通孔的开口径适当设定，但是例如在上述第1主面侧的上述 通孔的幵口径为100本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路基板，包含：绝缘基板；通孔，在上述绝缘基板的厚度方向上形成，用来连接上述绝缘基板的第１主面和上述绝缘基板的第２主面；其特征为，　　　　包括：　　　　导电膜，形成于上述通孔的内壁和上述第１及第２主面的上述通孔的开口部周围；　　　　填充构件，填充在上述通孔中；　　　　上述填充构件以非发泡状态填充。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：臼井巧，山下薰，浅井康夫，二川智之，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]