减轻冲击应力的存储器模块制造技术

本发明专利技术是有关于一种减轻冲击应力的记忆体模组，主要包含一多层印刷电路板、复数个记忆体封装件以及一应力吸收被覆层。该些记忆体封装件是设置于该多层印刷电路板的至少一表面。该应力吸收被覆层是至少形成于该多层印刷电路板的两短侧边并延伸至其上下表面，藉以减轻冲击应力。较佳地，该应力吸收被覆层更形成于该多层印刷电路板的远离金手指的一长侧边。本发明专利技术利用应力吸收被覆层在多层印刷电路板的侧边能减轻冲击应力，而可有效防止记忆体模组在摔落时产生电性断路导致产品失效问题，具有不容易受到外力碰撞而无法使用的功效。另外本发明专利技术利用应力吸收被覆层的特性，能有效避免湿气由多层印刷电路板的侧边侵入，而可提升产品耐湿性与可靠度，更加适于实用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种记忆体模组，特别是涉及一种利用应力吸收被覆层在 多层印刷电路板侧边能减轻冲击应力，而可防止记忆体模组在摔落时产生 电性断路导致产品失效，以及利用应力吸收被覆层特性能避免湿气由多层 印刷电路板侧边侵入，而可提升产品耐湿性与可靠度的减轻沖击应力的记忆体模组(MEMORY MODULE CAPABLE OF LESSENING SHOCK STRESS)。
技术介绍
在电脑主机、笔记型电脑等电子产品中，记忆体模组(或称为内存，以 下均称为记忆体模组)是一关键零组件，可以重复插拔至主机板的记忆体插 槽，以供电脑系统的运算使用。目前高频记忆体模组可包含单直列记忆体模 组(SI画，Single In-Line Memory Module)、双直列记忆体模组(DI羅，Dual In-Line Memory Module)以及小型双直列记忆体模组(SO-DI画，Small Outline Dual In-Line Memory Module)。在携带、搬运与更换的过程，记 忆体模组会有不慎掉落至地面的可能，然而目前的记忆体模组不甚耐摔，经 常会有故障损坏的情形。请参阅图1所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记忆体模组，其特征在于其包含：一多层印刷电路板，其具有一概呈矩形的第一表面、一第二表面、一第一长侧边、一第二长侧边以及两短侧边，其中，该第一长侧边的两侧设有复数个金手指，且该两短侧边各形成设有至少一扣槽；复数个记忆体封装 件，其至少设置于该多层印刷电路板的该第一表面；以及一应力吸收被覆层，其形成于该多层印刷电路板的该两短侧边并延伸至该第一表面与该第二表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范文正，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]