半导体芯片的分离方法技术

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体芯片的分离方法，通过对半导体晶圆背面的芯片区域进行两次研磨，经过第一次研磨和第二次研磨，使半导体晶圆形成内凹结构，从而使得对半导体晶圆进行切割，以分离形成多个半导体芯片时，半导体晶圆的芯片区域以外的边角料区域也能够承受一部分应力，从而减少了半导体芯片的内应力的作用，进而减少半导体芯片因应力产生的形变。此外，第二次研磨的研磨深度小于第一次研磨的研磨深度，第二次研磨的磨轮向下进给速率小于第一次研磨的磨轮向下进给速率，使得研磨更加精细，因此能够保证加工效率，同时减少半导体芯片应力。同时减少半导体芯片应力。同时减少半导体芯片应力。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片的分离方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，特别是涉及一种半导体芯片的分离方法。

技术介绍

[0002]目前，现有技术在对半导体晶圆切割时，一般先使晶圆变成独立的半导体芯片，再研磨使得半导体芯片表面变薄，也可以先行将晶圆研磨使之整体减薄，再进行切割。然而上述方法都会产生很大的内应力，使得半导体芯片产生形变，从而影响其内部集成电路的工作性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种半导体元件的分离方法，其能够减少加工时半导体芯片因应力产生的形变。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体芯片的分离方法，包括：
[0005]对半导体晶圆背面的芯片区域进行第一次研磨；
[0006]对半导体晶圆背面的芯片区域进行第二次研磨，其中，第二次研磨的研磨深度小于第一次研磨的研磨深度，第二次研磨的磨轮向下进给速率小于第一次研磨的磨轮向下进给速率；经过第一次研磨和第二次研磨，使半导体晶圆形成内凹结构；
[0007]对半导体晶圆进行切割，以分离形成多个半导体芯片。
[0008]作为优选方案，第一次研磨的研磨深度为1.4
‑
1.6mm，第一次研磨的磨轮向下进给速率为14
‑
16μm/s；第二次研磨的研磨深度为0.3
‑
0.4mm，第二次研磨的磨轮向下进给速率为3
‑
4um/s。
[0009]作为优选方案，第一次研磨的磨轮向下进给速率为15μm/s，第二次研磨的磨轮向下进给速率为3.5um/s。
[0010]作为优选方案，第一次研磨的研磨深度为1.5mm，第二次研磨的研磨深度为0.35mm。
[0011]作为优选方案，第一次研磨的研磨时间为95
‑
105s，第二次研磨的研磨时间为95
‑
105s。
[0012]作为优选方案，第一次研磨的研磨时间为100s，第二次研磨的研磨时间为100s。
[0013]作为优选方案，第二次研磨的磨轮转数小于第一次研磨的磨轮转数。
[0014]作为优选方案，第一次研磨的磨轮转数为2000rpm，第二次研磨的磨轮转数为1500rpm。
[0015]作为优选方案，所述对半导体晶圆进行切割，以分离形成多个半导体芯片，具体包括：
[0016]在半导体晶圆背面的涂光刻胶；
[0017]去除半导体晶圆的芯片切割道对应的光刻胶区域；
[0018]采用离子刻蚀工艺对芯片切割道进行轰击，以分离形成多个半导体芯片；
[0019]去除光刻胶，并清洗晶圆。
[0020]相比于现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于：本专利技术实施例提供了一种半导体芯片的分离方法，通过对半导体晶圆背面的芯片区域进行两次研磨，经过第一次研磨和第二次研磨，使半导体晶圆形成内凹结构，从而使得对半导体晶圆进行切割，以分离形成多个半导体芯片时，半导体晶圆的芯片区域以外的边角料区域也能够承受一部分应力，从而减少了半导体芯片的内应力的作用，进而减少半导体芯片因应力产生的形变。此外，第二次研磨的研磨深度小于第一次研磨的研磨深度，第二次研磨的磨轮向下进给速率小于第一次研磨的磨轮向下进给速率，使得研磨更加精细，因此能够保证加工效率，同时减少半导体芯片应力。
附图说明
[0021]图1是本专利技术实施例中的半导体芯片的分离方法的流程图；
[0022]图2是本专利技术实施例中的半导体晶圆的结构示意图。
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]请参阅图1所示，其是本专利技术实施例中的半导体芯片的分离方法的流程图。
[0025]本专利技术实施例的半导体芯片的分离方法包括：
[0026]步骤S101，对半导体晶圆背面的芯片区域进行第一次研磨；
[0027]步骤S102，对半导体晶圆背面的芯片区域进行第二次研磨，其中，第二次研磨的研磨深度小于第一次研磨的研磨深度，第二次研磨的磨轮向下进给速率小于第一次研磨的磨轮向下进给速率；经过第一次研磨和第二次研磨，使半导体晶圆形成内凹结构；
[0028]步骤S103，对半导体晶圆进行切割，以分离形成多个半导体芯片。
[0029]在本专利技术实施例中，通过对半导体晶圆背面的芯片区域进行两次研磨，经过第一次研磨和第二次研磨，使半导体晶圆形成内凹结构，从而使得对半导体晶圆进行切割，以分离形成多个半导体芯片时，半导体晶圆的芯片区域以外的边角料区域也能够承受一部分应力，从而减少了半导体芯片的内应力的作用，进而减少半导体芯片因应力产生的形变。此外，第二次研磨的研磨深度小于第一次研磨的研磨深度，第二次研磨的磨轮向下进给速率小于第一次研磨的磨轮向下进给速率，使得研磨更加精细，因此能够保证加工效率，同时减少半导体芯片应力。
[0030]请参阅图2所示，其是本专利技术实施例中的半导体晶圆的结构示意图。半导体晶圆分为芯片区域和边角料区域，设有芯片的区域为芯片区域，在具体实施当中，为了便于研磨，可以以半导体晶圆的芯片区域的外接圆以内的区域作为研磨区域(即图2中的内圆区域)，经过研磨后，研磨区域低于未被研磨的边角料区域(即图2中的外圆与内圆之间的区域)，使得研磨区域先行减薄，而边角料区域保持原有高度，可以承受一部分应力，从而减少了半导体芯片的内应力的作用，进而减少半导体芯片因应力产生的形变。
[0031]在本专利技术实施例中，半导体晶圆的厚度为2.0mm，在加工时，将半导体晶圆翻转，使得正面朝下固定，预留背面进行研磨。研磨分两次完成，第一次的研磨目标值为1.5mm,第二次研磨的目标值为0.35mm，磨轮直径小于或等于图2中内圆的直径，示例性地，本实施例中的磨轮直径等于图2中内圆的直径。
[0032]在一种可选的实施方式中，第一次研磨的研磨深度为1.4
‑
1.6mm，例如可以是1.4mm、1.45mm、1.5mm、1.55mm、1.6mm等，其具体数值可根据实际使用要求进行设置，在此不做更多的赘述。第一次研磨的磨轮向下进给速率为14
‑
16μm/s，例如可以是14μm/s、14.5μm/s、15μm/s、15.5μm/s、16μm/s等，其具体数值可根据实际使用要求进行设置，在此不做更多的赘述。第二次研磨的研磨深度为0.3
‑
0.4mm，例如可以是0.3mm、0.35mm、0.4mm等，其具体数值可根据实际使用要求进行设置，在此不做更多的赘述。第二次研磨的磨轮向下进给速率为3
‑
4um/s，例如可以是3μm/s、3.5μm/s、4μm/s等，其具体数值可根据实际使用要求进行设置，在此不做更多的赘述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的分离方法，其特征在于，包括：对半导体晶圆背面的芯片区域进行第一次研磨；对半导体晶圆背面的芯片区域进行第二次研磨，其中，第二次研磨的研磨深度小于第一次研磨的研磨深度，第二次研磨的磨轮向下进给速率小于第一次研磨的磨轮向下进给速率；经过第一次研磨和第二次研磨，使半导体晶圆形成内凹结构；对半导体晶圆进行切割，以分离形成多个半导体芯片。2.如权利要求1所述的半导体芯片的分离方法，其特征在于，第一次研磨的研磨深度为1.4
‑
1.6mm，第一次研磨的磨轮向下进给速率为14
‑
16μm/s；第二次研磨的研磨深度为0.3
‑
0.4mm，第二次研磨的磨轮向下进给速率为3
‑
4um/s。3.如权利要求2所述的半导体芯片的分离方法，其特征在于，第一次研磨的磨轮向下进给速率为15μm/s，第二次研磨的磨轮向下进给速率为3.5um/s。4.如权利要求2所述的半导体芯片的分离方法，其特征在于，第一次研磨的研磨深度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓刚，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：