用于在间隙内形成材料的多层方法和系统技术方案

公开了一种用于在衬底表面上的间隙内形成材料的多层方法。示例性方法包括形成覆盖衬底的第一材料层，并在第一材料区域内形成第二(例如初始可流动的)材料层，从而以无缝和/或无空隙的方式用材料至少部分填充间隙。无空隙的方式用材料至少部分填充间隙。无空隙的方式用材料至少部分填充间隙。

【技术实现步骤摘要】
用于在间隙内形成材料的多层方法和系统


[0001]本公开总体涉及用于形成电子器件的方法和系统。更具体地，本公开涉及适于在器件制造期间至少部分填充衬底表面上的间隙的方法和系统。

技术介绍

[0002]半导体器件的尺寸缩小已经导致集成电路的速度和密度显著提高。然而，传统的器件缩放技术面临着未来技术节点的挑战。具体而言，随着器件特征的小型化，由于现有沉积过程的限制，用期望的材料无空隙地填充高纵横比间隙(例如纵横比为3或更高)变得越来越具有挑战性。
[0003]例如，保形沉积技术通常会在间隙内的材料中形成接缝和/或空隙。超保形沉积技术可能导致间隙内的材料形成接缝。虽然已经开发了一些例如自下而上的技术，试图在间隙内提供无缝材料，但这些方法可能无法以无缝和/或无空隙的方式在间隙内提供期望的材料。因此，需要用于在间隙内形成期望的材料，同时减轻或最小化材料内的空隙和/或接缝形成的改进的方法和系统。
[0004]本节中阐述的任何讨论，包括对问题和解决方案的讨论，已经包括在本公开中，仅仅是为了提供本公开的背景。这种讨论不应被视为承认任何或所有信息在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成结构的方法，该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底，该衬底包括衬底表面上的间隙；在间隙内形成第一材料层，该第一材料具有形成在其中的区域；在该区域内形成初始可流动材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述区域的横截面积小于所述间隙的横截面积的百分之十、百分之五、百分之二或百分之一。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述区域的体积小于所述间隙的体积的百分之十、百分之五、百分之二或百分之一。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，还包括将初始可流动材料转化为转化材料的步骤。5.根据权利要求4所述的方法，其中，转化步骤包括向反应室提供一种或多种转化反应物和/或由一种或多种转化反应物形成的受激物质。6.根据权利要求3或4所述的方法，包括将初始可流动材料和转化材料中的一种或多种暴露于能量，其中将初始可流动材料和转化材料中的一种或多种暴露于能量的步骤包括加热衬底(热能)、将初始可流动材料和/或转化材料暴露于由直接等离子体、间接等离子体、远程等离子体或离子束或辐射比如紫外线辐射产生的物质中的一种或多种。7.根据权利要求1
‑
6中任一项所述的方法，其中，形成第一材料层的步骤包括保形地沉积第一材料。8.根据权利要求1
‑
7中任一项所述的方法，其中，形成第一材料层的步骤包括循环沉积过程。9.根据权利要求1
‑
8中任一项所述的方法，其中，所述第一材料包括硅以及O、N和C中的一种或多种。10.根据权利要求1
‑
10中任一项所述的方法，其中，形成初始可流动材料的步骤包括向反应室提供含卤素反应物或源自含卤素反应物的物质。11.根据权利要求1
‑
10中任一项所述的方法，其中，形成初始可流动...

【专利技术属性】
技术研发人员：H霍塔里，V波雷，T布兰夸特，RHJ沃乌尔特，C德泽拉，GA沃尼，RJ张，M吉文斯，EJ希罗，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：