一种FPAD腐蚀新型处理工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种F PAD腐蚀新型处理工艺。本发明专利技术只处理PAD表面凸起腐蚀异物，不会造成PAD表面损伤，不会削减PAD厚度，且有效区得到有效保护。相比而言国际上流行使用EKC清洗方式去除F PAD，是通过不断削减PAD厚度原理去除F PAD。本发明专利技术工艺可进行重复多次直至完全清除，而EKC清洗只能清洗1

【技术实现步骤摘要】
一种F PAD腐蚀新型处理工艺


[0001]本专利技术涉及晶圆表面处理领域，具体涉及PAD再生处理，尤其涉及一种F PAD腐蚀新型处理工艺。

技术介绍

[0002]现有Pad在晶圆制作过程中通常会使用四氟化碳或八氟化碳进行pad open，再使用EKC清除pad上的氟残留。即使EKC清洗后，晶圆上或多或少还会残留些许氟元素，长时间储存后会与储存环境中的水分子等元素结合，在pad表面生成氟化合物，造成pad腐蚀，影响后道测试封装，造成晶圆的报废。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本专利技术设计了一种F PAD腐蚀新型处理工艺，目的是将客户确认腐蚀后不可使用的产品修复后重新利用。
[0004]本专利技术采用如下技术方案：一种F PAD腐蚀新型处理工艺，其工艺步骤为：S1、在PAD的腐蚀表面使用特殊胶水包裹F PAD腐蚀凸起物，静置烘干；S2、使用负胶经过涂曝显工艺后，让PAD 图形化，使有效区处于保护状态；S3、再用干法蚀刻方式将PAD上方的腐蚀凸起物与特殊胶水一起被蚀刻掉；S4、再用湿法刻蚀方式将负胶保护层与PAD表面残留颗粒清洗干净，通过烘烤去除水汽；S5、再用干法蚀刻方式将剩余特殊胶水一起刻蚀掉，并再次用湿法刻蚀方式进行剥离；S6、清洗干净后进行烘烤去水汽，最后进外观检查，外观检查通过后完成整个F PAD腐蚀新型处理工艺。
[0005]作为优选，步骤S1中静置烘干过程的时间为30min
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90min，静置烘干温度为200℃
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250℃。
[0006]作为优选，步骤S1中的特殊胶水为无感光性、耐受250℃高温烘烤的胶水。
[0007]作为优选，步骤S2中，负胶经过的涂曝显工艺为：A1、对应pad open 光罩涂覆负胶；A2、采用光刻工艺，对负胶进行曝光，光刻图形依Mask设计而定；光刻时被UV光照的图形区域的负胶会形成不易溶于显影液的物质，而未被UV光照的图形区域的负胶则是易溶于显影液的；A3、光刻后进行显影，将易溶于显影液的图形区域的光刻胶通过显影液去除掉，让PAD 图形化，使有效区处于保护状态。
[0008]作为优选，步骤S4中，烘烤过程的时间为15min
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60min，烘烤温度为100℃
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150℃。
[0009]作为优选，步骤S6中，烘烤过程的时间为15min
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60min，烘烤温度为100℃
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150℃。
[0010]本专利技术的有益效果是：本专利技术只处理PAD表面凸起腐蚀异物，不会造成PAD表面损伤，不会削减PAD厚度，且有效区得到有效保护。相比而言国际上流行使用EKC清洗方式去除F PAD，是通过不断削减PAD厚度原理去除F PAD。本专利技术工艺可进行重复多次直至完全清除，而EKC清洗只能清洗1
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2次后就因PAD厚度问题无法再次进行。本专利技术工艺将原有工艺确认腐蚀后不可使用的产品修复后重新利用，减少了产品的报废，大大节省了成本。
附图说明
[0011]图1是本专利技术针对一种PAD腐蚀处理的示意图；图2是本专利技术针对另一种PAD腐蚀处理的示意图。
具体实施方式
[0012]下面通过具体实施例，并结合附图，对本专利技术的技术方案作进一步的具体描述：实施例：一种F PAD腐蚀新型处理工艺，其工艺步骤为：S1、在PAD的腐蚀表面使用特殊胶水包裹F PAD腐蚀凸起物，静置烘干；S2、使用负胶经过涂曝显工艺后，让PAD 图形化，使有效区处于保护状态；S3、再用干法蚀刻方式将PAD上方的腐蚀凸起物与特殊胶水一起被蚀刻掉；S4、再用湿法刻蚀方式将负胶保护层与PAD表面残留颗粒清洗干净，通过烘烤去除水汽；S5、再用干法蚀刻方式将剩余特殊胶水一起刻蚀掉，并再次用湿法刻蚀方式进行剥离；S6、清洗干净后进行烘烤去水汽，最后进外观检查，外观检查通过后完成整个F PAD腐蚀新型处理工艺。
[0013]步骤S1中静置烘干过程的时间为30min
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90min，静置烘干温度为200℃
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250℃。
[0014]步骤S1中的特殊胶水为无感光性、耐受250℃高温烘烤的胶水。
[0015]步骤S2中，负胶经过的涂曝显工艺为：A1、对应pad open 光罩涂覆负胶；A2、采用光刻工艺，对负胶进行曝光，光刻图形依Mask设计而定；光刻时被UV光照的图形区域的负胶会形成不易溶于显影液的物质，而未被UV光照的图形区域的负胶则是易溶于显影液的；A3、光刻后进行显影，将易溶于显影液的图形区域的光刻胶通过显影液去除掉，让PAD 图形化，使有效区处于保护状态。
[0016]步骤S4中，烘烤过程的时间为15min
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60min，烘烤温度为100℃
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150℃。
[0017]步骤S6中，烘烤过程的时间为15min
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60min，烘烤温度为100℃
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150℃。
[0018]本专利技术只处理PAD表面凸起腐蚀异物，不会造成PAD表面损伤，不会削减PAD厚度，且有效区得到有效保护。相比而言国际上流行使用EKC清洗方式去除F PAD，是通过不断削减PAD厚度原理去除F PAD。本专利技术工艺可进行重复多次直至完全清除，而EKC清洗只能清洗1
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2次后就因PAD厚度问题无法再次进行。
[0019]如图1和图2所示，通过本专利技术工艺对PAD腐蚀的处理前后对比，可看出通过本专利技术工艺可实现对PAD腐蚀的产品F PAD腐蚀凸起物完全清除，将原有工艺确认腐蚀后不可使用
的产品修复后重新利用，减少了产品的报废，大大节省了成本。
[0020]以上所述的实施例只是本专利技术的一种较佳的方案，并非对本专利技术作任何形式上的限制，在不超出权利要求所记载的技术方案的前提下还有其它的变体及改型。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种F PAD腐蚀新型处理工艺，其特征是，其工艺步骤为：S1、在PAD的腐蚀表面使用特殊胶水包裹F PAD腐蚀凸起物，静置烘干；S2、使用负胶经过涂曝显工艺后，让PAD 图形化，使有效区处于保护状态；S3、再用干法蚀刻方式将PAD上方的腐蚀凸起物与特殊胶水一起被蚀刻掉；S4、再用湿法刻蚀方式将负胶保护层与PAD表面残留颗粒清洗干净，通过烘烤去除水汽；S5、再用干法蚀刻方式将剩余特殊胶水一起刻蚀掉，并再次用湿法刻蚀方式进行剥离；S6、清洗干净后进行烘烤去水汽，最后进外观检查，外观检查通过后完成整个F PAD腐蚀新型处理工艺。2. 根据权利要求1所述的一种F PAD腐蚀新型处理工艺，其特征是，步骤S1中静置烘干过程的时间为30min
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90min，静置烘干温度为200℃
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250℃。3.根据权利要求1所述的一种F PAD腐蚀新型处理工艺，其特征是，步骤S1中的特殊胶水为无感光性、耐受250℃高温烘...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵铭，朱毅，
申请(专利权)人：浙江美迪凯光学半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：