一种射频芯片铌酸锂衬底制造技术

本发明专利技术公开了一种射频芯片铌酸锂衬底

【技术实现步骤摘要】
一种射频芯片铌酸锂衬底SiO2层平坦化的工艺


[0001]本专利技术涉及射频芯片化学机械抛光
、
修频
，具体涉及一种射频芯片铌酸锂衬底
SiO2层平坦化的工艺
。

技术介绍

[0002]铌酸锂衬底非常脆
、
并且对温度极为敏感，一旦出现温差较大很容易发生破损，造成整片晶圆报废
。
[0003]传统的频芯片铌酸锂衬底
SiO2层平坦化工艺内容如下：
A、
化学机械抛光材料备用：备用作业时使用的黑色抛光垫和抛光液；
B、
化学机械抛光：使用化学机械抛光设备，搭配黑色阻尼布抛光垫和二氧化硅抛光液，进行表面初步平坦化；
C、
修频：使用修频机，对晶圆表面进行微调，进行精密平坦化加工；
D、
检测：对化学机械抛光后的晶圆和修频后的晶圆进行
SiO2层的膜厚测量
、
分析，如未达到要求，重新调整修频的参数重新加工
。
[0004]传统的射频芯片铌酸锂衬底<br/>SiO2层平本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种射频芯片铌酸锂衬底
SiO2层平坦化的工艺，其特征是，其工艺步骤为：
S1、
化学机械抛光材料备用：备用作业时使用的红色抛光垫
、
抛光液；
S2、
一次修频：使用修频机对晶圆
SiO2层表面进行特定面型的加工，得到
SiO2层的特定面型半成品；
S3、
化学机械抛光：将
S2
的半成品采用化学机械抛光机搭配
S1
所述红色抛光垫和抛光液进行初步平坦化，得到平坦化的半成品；
S4、
检测：对化学机械抛光后的晶圆
SiO2层进行膜厚测量
、
分析，查看均匀性和极差是否达到要求，如未达到要求，重新调整一次修频刻蚀量和化学机械抛光的时间重新加工；
S5、
二次修频：使用步骤
S1
中所述的修频机对晶圆
SiO2层表面进行精密平坦化加工，改善表面均匀性和极差；
S6、
检测：对二次修频后的晶圆
SiO2层进行膜后测量
、
分析，查看均匀性和极差是否达到要求，如未达到要求，重新调整二次修频的刻蚀量重新加工
。2.
根据权利要求1所述的一种射频芯片铌酸锂衬底
SiO2层平坦化的工艺，其特征是，步骤
S2
中，特定面型区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪枭，朱双信，盛媛媛，
申请(专利权)人：浙江美迪凯光学半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：