【技术实现步骤摘要】
研磨装置、研磨方法及非易失性的存储介质
[0001]本专利技术涉及一种对半导体晶片等基板进行研磨的研磨装置及研磨方法。
技术介绍
[0002]在半导体元件的制造工序中，半导体元件表面的平坦化技术变得愈发重要。此平坦化技术中最为重要的技术为化学机械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)。此CMP是一边将包含二氧化硅(SiO2)等磨粒的研磨液向研磨垫上供给一边使晶片等基板与研磨面滑动接触而进行研磨的技术。
[0003]用来进行CMP的研磨装置具备支承具有研磨面的研磨垫的研磨台，和用来保持基板的被称为顶环等的基板保持部件。在使用这样的研磨装置进行基板的研磨的情况下，一边由顶环保持基板一边以规定的压力将此基板相对于研磨面按压。进而，通过使研磨台与顶环相对运动从而使基板与研磨面滑动接触，基板的表面被研磨平坦并被研磨成镜面。
[0004]在这样的研磨装置中，在研磨中的晶片与研磨垫的研磨面之间的相对的按压力遍及晶片的整个面不均匀的情况下，会与施加到晶片的各部分的按压力相应地产生研磨不足或过度研磨。为了使对晶片的按压力均匀化，而在顶环的下部设置由弹性膜(膜片)形成的压力室，通过向此压力室供给空气等气体而通过膜片由气体的压力将基板按压在研磨垫的研磨面上进行研磨。
[0005]研磨工序结束后，将研磨面上的晶片真空吸附于顶环，使顶环与晶片一起上升后，向搬送台的上方位置移动，使晶片从膜片脱离(释放)。晶片的释放，通过一边向压力室供给气体而使膜片膨胀一边将释放淋浴向晶片与膜片之间的间...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种研磨装置，其特征在于，具备：研磨台，该研磨台用于支承研磨垫；基板保持部件，该基板保持部件具有由弹性膜构成的基板保持面及压力室，所述压力室具有配置成同心状的多个区域，通过所述压力室内的压力将基板按压于所述研磨垫；压力调节器，该压力调节器调节向所述基板保持部件的所述压力室供给的气体的压力；一个或多个释放喷嘴，该释放喷嘴能够喷射加压流体；以及控制装置，该控制装置执行基板释放处理，所述基板释放处理为，控制所述压力调节器，在通过对所述压力室的全部区域加压而对所述弹性膜整体加压后，通过以使使包含处于所述压力室的中心的区域的一个或多个中心侧的区域的压力高于其它的区域的压力的方式对所述压力室加压而对所述弹性膜的中心部加压，并且通过以将所述加压流体向所述弹性膜与所述基板的接触部位喷射的方式对所述一个或多个释放喷嘴进行控制，从而使所述基板从所述弹性膜释放。2.如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，还具备检测装置，该检测装置检测所述基板从所述弹性膜的释放，所述控制装置被构成为，在实施对所述弹性膜整体加压的整体加压步骤后，实施规定次数的对所述弹性膜的中心部加压的中心部加压步骤，并且在所述检测装置检测到所述基板从所述弹性膜的释放的时刻结束所述基板释放处理。3.如权利要求2所述的研磨装置，其特征在于，所述控制装置被构成为，将在所述整体加压步骤之后实施所述规定次数的所述中心部加压步骤作为一个控制周期，反复实施所述一个控制周期直到达到规定的上限次数为止，并且在由所述检测装置检测到所述基板从所述弹性膜的释放的时刻结束所述基板释放处理。4.如权利要求1～3中的任一项所述的研磨装置，其特征在于，在开始所述弹性膜整体的加压的时刻之后，在规定的延迟时间后对所述弹性膜整体加压的期间，所述控制装置控制所述释放喷嘴开始所述加压流体的喷射。5.如权利要求1～3中的任一项所述的研磨装置，其特征在于，所述控制装置通过以使处于所述压力室的中心的区域的压力比其它的区域的压力高的方式对所述压力室加压，从而对所述弹性膜的中心部加压。6.如权利要求1～3中的任一项所述的研磨装置，其特征在于，包含处于所述压力室的中心的区域的一个或多个中心侧的区域，是从所述压力室的中心到所述压力室的半径的50％以下的径向长度的范围中包含的一个或多个区域。7.如权利要求6所述的研磨装置，其特征在于，包含处于所述压力室的中心的区域的一个或多个中心侧的区域，是从所述压力室的中心到所述压力室的半径的40％～50％之间的径向长度的范围中包含的一个或多个区域。8.如权利要求1～3中的任一项所述的研...
【专利技术属性】
技术研发人员：山口都章，吉成大，浅野建太郎，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：
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