一种集成电路制造中砷化镓晶圆加工方法技术

本发明专利技术公开了一种集成电路制造中砷化镓晶圆加工方法，属于半导体制造技术领域，主要包括：物理减薄及表面处理，其中，所述物理减薄包括：对砷化镓晶圆进行机械研磨，所述机械研磨过程中依次进行砂轮切入

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路制造中砷化镓晶圆加工方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种集成电路制造中砷化镓晶圆加工方法
。

技术介绍

[0002]砷化镓是一种无机化合物，是一种黑灰色固体，熔点
1238℃
，它在
600℃
以下能在空气中稳定存在并且不被非氧化性的酸腐蚀，是一种非常重要的半导体材料，属于三五族化合物半导体，它在半导体集成电路制造中占有很重要的角色
。
[0003]传统对砷化镓晶圆加工是采用缓进式的机械研磨方式，是通过一个杯型砂轮的底部进行研磨，晶圆本身是不旋转的，整过研磨过程分为粗磨
、
中磨及细磨，耗时比较长，当需要研磨掉大部分材料的时候，晶圆加工效率低下，另外机械研磨完以后还要对晶圆做清洗工艺及晶圆载台的维护处理，增加了晶圆破损的风险及加工过程中的时间和成本，具有较多不可控的因素
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有晶圆加工工艺存在的问题，提供了一种集成电路制造中砷化镓晶圆加工方法
。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种集成电路制造中砷化镓晶圆加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、
物理减薄及表面处理，其中，所述物理减薄包括：对砷化镓晶圆进行机械研磨，所述机械研磨过程中依次进行砂轮切入
、
注射研磨液
、
注射清洗液；
S2、
在减薄及表面处理完成后，在砷化镓晶圆表面涂敷光刻胶；
S3、
依次进行曝光
、
烘烤以及等离子体刻蚀
。2.
根据权利要求1所述的一种集成电路制造中砷化镓晶圆加工方法，其特征在于，所述表面处理包括：在物理减薄之后进行抛光处理，并通过化学腐蚀的方式腐蚀掉一定厚度的晶圆
。3.
根据权利要求1所述的一种集成电路制造中砷化镓晶圆加工方法，其特征在于，所述机械研磨依次包括粗磨
、
精磨，设置两个研磨轴
。4.
根据权利要求3所述的一种集成电路制造中砷化镓晶圆加工方法，其特征在于，粗磨时：晶圆的研磨压力设置为
0.25
‑
1kg/cm2，研磨速率为
15
‑
50
μ
m/min
；精磨时：晶圆的研磨压力设置为
0.2
‑
0.5kg/cm2，研磨速率为5‑
10
μ
m/min
；晶圆的抛光压力设置为
0.15
‑
0.8kg/cm2，抛光速率为
0.1
‑
0.8
μ
m/min
；研磨过程中以5‑
80ml/min
的流量标准滴入研磨液和抛光液，以
50
‑
100ml/min
的流量标准注射清洗液
。5.
根据权利要求4所述的一种集成电路制造中砷化镓晶圆加工方法，其特征在于，在研磨的过程中通过接触式的探针实时监控研磨晶圆的尺寸，当晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘发江，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：