【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种修复长形条形变的方法。
技术介绍
1、半导体长形条条是半导体元器件的集合体，为了加工方便，在切割分离之前，半导体元器件是以长形条集合的方式来进行加工处理，例如，磁头在切割之前以长形条形式呈现。在加工过程中，半导体长形条受到诸多外力的影响，而产生了形变。该形变会作用在每一个半导体元器件上，对半导体元器件造成不同的伤害，从而影响其今后的性能。目前改善该形变的办法，通常是通过研磨和热处理。但是，研磨会造成半导体材料的减薄，造成不必要的过度加工；而热处理中，形变虽然有所缓解，但无法得到更大的改善。
2、因此，亟待提供一种修复长形条形变的方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种修复长形条形变的方法，以释放长形条的形变应力，从而在一定程度上修复长形条的形变，使其满足生产要求。
2、为实现上述目的，本专利技术的修复长形条形变的方法，包括以下步骤：
3、在长形条的表面包覆保护膜；
4、所述长形条固定并封装在两玻璃基板之间；以及
5、在所述玻璃基板之外侧对所述长形条的所在位置进行离子轰击。
6、与现有技术相比，本专利技术的长形条首先被包覆保护膜，继而被固定并封装在两玻璃基板之间，并在玻璃基板外侧对位于玻璃基板内的长形条所在位置进行离子轰击，从而使玻璃基板内的长形条的应力通过玻璃基板释放，从而使长形条的形变得以恢复，例如其弯曲度被降低以满足生产的要求；同时，由于
7、较佳地，至少一所述玻璃基板上设有凹槽，所述长形条至少部分收容于所述凹槽中。
8、更佳地，所述凹槽的深度不小于所述长形条的高度。
9、较佳地，两所述玻璃基板通过紫外减粘胶进行封装。
10、较佳地，所述离子轰击具体包括控制离子束的流量为300-400sccm，源功率为250-400w，偏压源功率为1000-1200w。
11、较佳地，所述离子束与水平面的夹角为45°-60°。
12、较佳地，所述离子束的轰击时间为120-150分钟。
13、较佳地，所述保护膜为防静电薄膜。更佳地，所述防静电薄膜的电阻率为106ω/sq-108ω/sq。
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1.一种修复长形条形变的方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：至少一所述玻璃基板上设有凹槽，所述长形条至少部分收容于所述凹槽中。
3.如权利要求2所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：所述凹槽的深度不小于所述长形条的高度。
4.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：两所述玻璃基板通过紫外减粘胶进行封装。
5.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：所述离子轰击具体包括控制离子束的流量为300-400sccm，源功率为250-400W，偏压源功率为1000-1200W。
6.如权利要求5所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：所述离子束与水平面的夹角为45°-60°。
7.如权利要求5所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：所述离子束的轰击时间为120-150分钟。
8.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：所述保护膜为防静电薄膜。
9.如权利要求8所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：所述防静电薄膜的电
...【技术特征摘要】
1.一种修复长形条形变的方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：至少一所述玻璃基板上设有凹槽，所述长形条至少部分收容于所述凹槽中。
3.如权利要求2所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：所述凹槽的深度不小于所述长形条的高度。
4.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：两所述玻璃基板通过紫外减粘胶进行封装。
5.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：所述离子轰击具体包括控制离子束的流量为300-40...
【专利技术属性】
技术研发人员：祁延刚，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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