【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种修复长形条形变的方法。
技术介绍
1、半导体长形条条是半导体元器件的集合体，为了加工方便，在切割分离之前，半导体元器件是以长形条集合的方式来进行加工处理，例如，磁头在切割之前以长形条形式呈现。在加工过程中，半导体长形条受到诸多外力的影响，而产生了形变。该形变会作用在每一个半导体元器件上，对半导体元器件造成不同的伤害，从而影响其今后的性能。目前改善该形变的办法，通常是通过研磨和热处理。但是，研磨会造成半导体材料的减薄，造成不必要的过度加工；而热处理中，形变虽然有所缓解，但无法得到更大的改善。
2、因此，亟待提供一种修复长形条形变的方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种修复长形条形变的方法，以释放长形条的形变应力，从而在一定程度上修复长形条的形变，使其满足生产要求。
2、为实现上述目的，本专利技术的修复长形条形变的方法，包括以下步骤：
3、在长形条的表面包覆保护膜；
4、所述...
【技术保护点】
1.一种修复长形条形变的方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：至少一所述玻璃基板上设有凹槽，所述长形条至少部分收容于所述凹槽中。
3.如权利要求2所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：所述凹槽的深度不小于所述长形条的高度。
4.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：两所述玻璃基板通过紫外减粘胶进行封装。
5.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：所述离子轰击具体包括控制离子束的流量为300-400sccm，源功率为250-400W，偏压源功率为1000
【技术特征摘要】
1.一种修复长形条形变的方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：至少一所述玻璃基板上设有凹槽，所述长形条至少部分收容于所述凹槽中。
3.如权利要求2所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：所述凹槽的深度不小于所述长形条的高度。
4.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：两所述玻璃基板通过紫外减粘胶进行封装。
5.如权利要求1所述的修复长形条形变的方法，其特征在于：所述离子轰击具体包括控制离子束的流量为300-40...
【专利技术属性】
技术研发人员：祁延刚，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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