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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种干膜保护的加工方法。
技术介绍
1、在半导体加工制造中,常对半导体的表面进行处理。但是对于半导体的一些不需处理的表面则需进行保护处理。例如,传统的光刻工艺主要是将封装胶涂覆在半导体侧壁或将半导体侧壁封装起来,以防止在加工过程中使得产品侧壁遭到损坏。但是,光刻胶在成型后难以去除和清洁,填充材料在固化后的脱胶过程,容易造成半导体侧壁边缘的损坏。
2、因此,有必要提供一种干膜保护的加工方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种干膜保护的加工方法,以避免产品在加工过程中造成产品侧壁损坏,从而提高良品率。
2、为实现上述目的,本专利技术的干膜保护的加工方法,包括以下步骤:
3、多个半导体产品以预定间隔排列并由透光夹具承载;
4、所述半导体产品的顶面贴附感光干膜;以及
5、从所述透光夹具的下方向所述半导体产品照射紫外光,以使所述紫外光通过多个所述半导体产品之间的间隔而使所述感光干膜的第一部分被曝光固化,其中所述第一部分横跨在所述间隔上且两端延伸连接于相邻的两个所述半导体产品的顶面上。
6、与现有技术相比,本专利技术用感光干膜代替传统的封装胶,感光干膜贴附在以预定间隔排列的半导体产品的顶面,在半导体产品的底面朝感光干膜照射紫外光,使得紫外光通过多个半导体产品之间的间隔而使感光干膜的第一部分被曝光固化,而该第一部分即为横跨在半导体产品间隔的感光干膜部分,且由于
7、较佳地,在所述半导体产品加工完毕后去除所述感光干膜。
8、较佳地,在去除所述感光干膜之后清洗所述半导体产品。
9、较佳地,所述感光干膜的与所述第一部分相邻的第二部分未被曝光固化,所述第二部分完全位于所述半导体产品的顶面。
10、较佳地,所述透光夹具和所述半导体产品的底面之间设有透明带。
11、较佳地,所述透明带粘附于所述半导体产品的底面。
12、较佳地,所述感光干膜的厚度为40-60μm。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种干膜保护的加工方法,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于还包括:在所述半导体产品加工完毕后去除所述感光干膜。
3.如权利要求2所述的加工方法,其特征在于还包括:在去除所述感光干膜之后清洗所述半导体产品。
4.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于:所述感光干膜的与所述第一部分相邻的第二部分未被曝光固化,所述第二部分完全位于所述半导体产品的顶面。
5.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于:所述透光夹具和所述半导体产品的底面之间设有透明带。
6.如权利要求5所述的加工方法,其特征在于:所述透明带粘附于所述半导体产品的底面。
7.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于:所述感光干膜的厚度为40-60μm。
【技术特征摘要】
1.一种干膜保护的加工方法,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于还包括:在所述半导体产品加工完毕后去除所述感光干膜。
3.如权利要求2所述的加工方法,其特征在于还包括:在去除所述感光干膜之后清洗所述半导体产品。
4.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于:所述感光干膜的与所述第一部分相邻的第二部分...
【专利技术属性】
技术研发人员:宿志影,
申请(专利权)人:东莞新科技术研究开发有限公司,
类型:发明
国别省市:
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