【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工领域，尤其涉及一种半导体的粘接处理方法。
技术介绍
1、将半导体固定在夹具上进行性能测试是半导体加工的常见工序，而半导体通过粘合剂粘接在夹具上是常用的固定手段。通常，通过加热粘合剂使其熔融于半导体和夹具之间的待粘面中以实现固定。粘接完毕，会对半导体和夹具进行降温处理。然而，由于夹具和半导体的温度过快下降，有可能导致粘接不牢固从而在后续的性能测试中出现测试异常的情况。
2、因此，亟待提供一种改进的半导体的粘接处理方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种改进的半导体的粘接处理方法，可防止半导体和夹具在粘接后的温度下降过快，以保证良好的性能。
2、为实现上述目的，本专利技术的半导体的粘接处理方法包括：
3、半导体借助粘合剂及脉冲光纤激光器粘接在夹具上，所述脉冲光纤激光器具有使粘合剂熔融的第一激光功率及第一时长；
4、以小于所述第一激光功率的第二激光功率及第二时长照射所述半导体及所述夹具；及
5、以小于所述第二激光功率的第三激光功率及第三时长照射所述半导体及所述夹具。
6、与现有技术相比，本专利技术的半导体的粘接处理方法采用脉冲光纤激光器首先进行具有适于粘接的激光功率和时长的激光加热操作，继而在粘接结束后采用二次低功率激光照射，以减缓夹具和半导体的温度下降，从而避免夹具和半导体在短时间内热膨胀和冷收缩而造成损伤或对粘接效果造成不良影响。
7、较佳地，所述脉
8、更佳地，所述聚焦透镜和所述夹具之间的距离为500-700μm。
9、较佳地，所述第一激光功率为4.0v-5.0v，所述第一时长为1.5-2.0s。
10、所述第二激光功率为3.0v-3.5v，所述第二时长为0.2-0.3s。
11、所述第三激光功率小于1.0v，所述第三时长不大于0.2s。
12、所述脉冲光纤激光器具有输出波长为900-1100nm，脉冲频率为100-120khz，激光脉宽调节为10-15ns。
13、所述脉冲光纤激光器输出圆形光斑，更佳地，所述圆形光斑的直径为0.5-1.0mm。
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1.一种半导体的粘接处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体的粘接处理方法，其特征在于：所述脉冲光纤激光器和所述夹具之间以预定间距设置聚焦透镜。
3.如权利要求2所述的半导体的粘接处理方法，其特征在于：所述聚焦透镜和所述夹具之间的距离为500-700μm。
4.如权利要求1所述的半导体的粘接处理方法，其特征在于：所述第一激光功率为4.0V-5.0V，所述第一时长为1.5-2.0s。
5.如权利要求1所述的半导体的粘接处理方法，其特征在于：所述第二激光功率为3.0V-3.5V，所述第二时长为0.2-0.3s。
6.如权利要求1所述的半导体的粘接处理方法，其特征在于：所述第三激光功率小于1.0V，所述第三时长不大于0.2s。
7.如权利要求1所述的半导体的粘接处理方法，其特征在于：所述脉冲光纤激光器具有输出波长为900-1100nm，脉冲频率为100-120KHz，激光脉宽调节为10-15ns。
8.如权利要求1所述的半导体的粘接处理方法，其特征在于：所述脉冲光纤激光器输出圆
9.如权利要求8所述的半导体的粘接处理方法，其特征在于：所述圆形光斑的直径为0.5-1.0mm。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体的粘接处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体的粘接处理方法，其特征在于：所述脉冲光纤激光器和所述夹具之间以预定间距设置聚焦透镜。
3.如权利要求2所述的半导体的粘接处理方法，其特征在于：所述聚焦透镜和所述夹具之间的距离为500-700μm。
4.如权利要求1所述的半导体的粘接处理方法，其特征在于：所述第一激光功率为4.0v-5.0v，所述第一时长为1.5-2.0s。
5.如权利要求1所述的半导体的粘接处理方法，其特征在于：所述第二激光功率为3.0v-3.5v，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：祁延刚，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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