【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体清洗领域，尤其涉及一种半导体表面杂质的清除方法。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，例如真空工艺，在气相沉积工艺后，其表面会形成多余的物质，这类物质通常主要成分是氮化物。氮化物杂质附着在半导体表面无法去除，从而破坏半导体光滑的表面，造成不良率上升。统的清洗方法主要有化学清洗，例如采用碱和强氧化剂的液态混和液等，然而这些清洗方法并不能有效完全去除这些氮化物，同时对半导体的材质造成损伤，还可能污染环境。
2、因此，亟待提供一种改进的半导体表面杂质的清除方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种改进的半导体表面杂质的清除方法，可以高效清洗半导体表面上的氮化物杂质，操作简单，成本低，避免环境污染，且不会对半导体造成损伤。
2、为实现上述目的，本专利技术的半导体表面杂质的清除方法，所述杂质包括氮化物杂质，所述清除方法包括以下步骤：
3、所述半导体置于真空室中，控制真空室在预定的负压范围内以具有预定的真空状态；
4、采用脉冲激光器对半导体表面进行第一次扫描，所述第一次扫描中所述脉冲激光器具有特定的波长、脉冲频率、平均功率及扫描速度；
5、降低所述脉冲激光器的波长、脉冲频率、平均功率及扫描速度，对半导体表面进行第二次扫描；及
6、继续降低所述脉冲激光器的波长、脉冲频率、平均功率及扫描速度，对半导体表面进行第三次扫描。
7、较佳地，所述第一次扫描中所述脉冲激光器的波长为
8、较佳地，所述第二次扫描中所述脉冲激光器的波长为850-1000nm，脉冲频率为160-180khz，平均功率小于100-120w，扫描速度为0.03mm/s-0.04mm/s。更佳地，所述第一次扫描去除的杂质颗粒直径为2.5-3.0纳米。
9、较佳地，所述第三次扫描中所述脉冲激光器的波长为600-850nm，脉冲频率为120-150khz，平均功率小于100-120w，扫描速度为0.01mm/s-0.02mm/s。更佳地，所述第一次扫描去除的杂质颗粒直径小于1.0纳米。
10、与现有技术相比，本专利技术的半导体表面杂质的清除方法，在具有预定真空状态的真空室内采用脉冲激光器进行多次扫描，而且每次扫描中脉冲激光器具有不同的波长、脉冲频率、平均功率及扫描速度，以清除不同粒径的氮化物杂质，特定地，第一次扫描的激光的波长、脉冲频率、平均功率及扫描速度最大，第二次扫描和第三次扫描逐次减小，以此将氮化物杂质从大粒径到小粒径进行清除，清除方法简单有效，成本低，避免环境污染，且不会对半导体造成损伤。
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1.一种半导体表面杂质的清除方法，所述杂质包括氮化物杂质，所述清除方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体表面杂质的清除方法，其特征在于：所述第一次扫描中所述脉冲激光器的波长为1000-1150nm，脉冲频率为200-220KHz，平均功率小于130-150W，扫描速度为0.05mm/s-0.08mm/s。
3.如权利要求1所述的半导体表面杂质的清除方法，其特征在于：所述第二次扫描中所述脉冲激光器的波长为850-1000nm，脉冲频率为160-180KHz，平均功率小于100-120W，扫描速度为0.03mm/s-0.04mm/s。
4.如权利要求1所述的半导体表面杂质的清除方法，其特征在于：所述第三次扫描中所述脉冲激光器的波长为600-850nm，脉冲频率为120-150KHz，平均功率小于100-120W，扫描速度为0.01mm/s-0.02mm/s。
5.权利要求2所述的半导体表面杂质的清除方法，其特征在于：所述第一次扫描去除的杂质颗粒直径为3.0-5.0纳米。
6.权利要求3所述的半导体表面杂质的清除方法
7.权利要求4所述的半导体表面杂质的清除方法，其特征在于：所述第一次扫描去除的杂质颗粒直径小于1.0纳米。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体表面杂质的清除方法，所述杂质包括氮化物杂质，所述清除方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体表面杂质的清除方法，其特征在于：所述第一次扫描中所述脉冲激光器的波长为1000-1150nm，脉冲频率为200-220khz，平均功率小于130-150w，扫描速度为0.05mm/s-0.08mm/s。
3.如权利要求1所述的半导体表面杂质的清除方法，其特征在于：所述第二次扫描中所述脉冲激光器的波长为850-1000nm，脉冲频率为160-180khz，平均功率小于100-120w，扫描速度为0.03mm/s-0.04mm/s。
4.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：王汉德，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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