【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及清洗工艺领域,尤其涉及一种激光清洗方法。
技术介绍
1、在半导体制造过程中,半导体制品的表面通常沾有粘结胶和蜡,因而要求制品根据一定次序进行表面清洗处理。传统的清洗方法主要有化学清洗,例如采用化学剂进行酸洗和碱洗等,以及物理清洗,如超声波清洗、水清洗等。但这些化学清洗方法往往针对不同制品而需多次调整,适应性差,而且污染环境;而上述物理方法的则工作效率低下。
2、因此,亟待提供一种激光清洗方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种改进的激光清洗方法,可以高效清洗待清洗产品上的污染物质,操作简单,成本低,适于推广应用。
2、为实现上述目的,本专利技术的激光清洗方法包括:
3、待清洗产品置于封闭室中,控制封闭室在预定的负压范围内以形成预定的真空状态;
4、所述待清洗产品位于激光发热装置的照射范围内;
5、在所述待清洗产品和所述激光发热装置之间以预定间距设置聚焦透镜;
6、启动所述激光发
...【技术保护点】
1.一种激光清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的激光清洗方法,其特征在于:所述待清洗产品由夹具固定并置于所述封闭室,所述夹具的温度为80℃-110℃。
3.如权利要求1所述的激光清洗方法,其特征在于:所述控制封闭室在预定的负压范围内以形成预定的真空状态包括:向所述封闭室通入氮气,氮气流量为2.5L/min-5.0L/min,控制所述封闭室的气压为3.0ⅹ10-3Pa-3.5ⅹ10-3Pa。
4.如权利要求1所述的激光清洗方法,其特征在于:所述激光发热装置的输出波长为1000-1200nm,平均输出功率为70-
...【技术特征摘要】
1.一种激光清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的激光清洗方法,其特征在于:所述待清洗产品由夹具固定并置于所述封闭室,所述夹具的温度为80℃-110℃。
3.如权利要求1所述的激光清洗方法,其特征在于:所述控制封闭室在预定的负压范围内以形成预定的真空状态包括:向所述封闭室通入氮气,氮气流量为2.5l/min-5.0l/min,控制所述封闭室的气压为3.0ⅹ10-3pa-3.5ⅹ10-3pa。
4.如权利要求1所述的激光清洗方法,其特征在于:所述激...
【专利技术属性】
技术研发人员:宿志影,
申请(专利权)人:东莞新科技术研究开发有限公司,
类型:发明
国别省市:
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