【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体设备附件领域，涉及一种气流导流装置及单片式清洗机。
技术介绍
1、半导体芯片在制作过程中需要经历材料制备、掩膜、光刻、刻蚀、清洗、掺杂、机械研磨等多个工序，由于半导体设备制造工艺复杂，各个不同工序环节需要的设备也不同，从流程分类来看，半导体设备主要可分为硅片生产过程设备、晶圆制造过程设备、封测过程设备等，其中的很多半导体设备进行工艺制作的步骤中会应用到气体，如离子注入设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备或清洗设备，其中的部分设备需要对气体进行分流以达到较好的技术效果。
2、以单片式清洗机为例，请参阅图1，显示为一般的单片式清洗机的剖面结构示意图，该单片式清洗机包括清洗腔体101、晶圆承载台102、导流板103以及空气过滤器104，在进行晶圆清洗时，将待清洗晶圆105放置于晶圆承载台102上，通过空气过滤器104进入清洗腔体101的清洗气体经由导流板103到达待清洗晶圆105的表面进行清洗。但是，请参阅图2，显示为一般导流板103的俯视结构示意图，现在一般的导流板103仅在其上简单开孔以使气流均匀通过，在此情况下，单片晶圆的清洗时间较长，并且在清洗过程中还会发生晶圆被气流吹动脱离晶圆承载台导致破损或报废的现象。
3、因此，如何提供一种气流导流装置及单片式清洗机，以实现提高晶圆清洗效率并提高产品良率，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
4、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种气流导流装置及单片式清洗机，用于解决现有技术中采用单片式清洗机进行晶圆清洗时，由于气流导板的开孔设计导致的单片晶圆清洗时间较长且清洗过程中可能会发生晶圆破损或报废的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种气流导流装置，所述气流导流装置位于半导体设备内以进行气流导流，所述气流导流装置包括至少一气流导板，所述气流导板包括中心区域及环绕所述中心区域的外围区域，所述气流导板上包括垂向贯穿所述气流导板的多个间隔设置的中心气孔及多个间隔设置的外围气孔，所述中心气孔位于所述中心区域，所述外围气孔位于所述外围区域，所述中心区域的面积为m，所述外围区域的面积为n，所述中心区域内所述中心气孔的面积之和为a，所述外围区域内所述外围气孔的面积之和为b，其中a/m＞b/n。
3、可选地，所述中心气孔的开口面积等于所述外围气孔的开口面积，所述中心区域内所述中心气孔的密度大于所述外围区域内所述外围气孔的密度。
4、可选地，所述中心气孔的开口面积大于所述外围气孔的开口面积，所述中心区域内所述中心气孔的密度大于或等于所述外围区域内所述外围气孔的密度。
5、可选地，多个所述中心气孔呈第一四方阵列排布，多个所述外围气孔呈第二四方阵列排布，所述第一四方阵列的阵列间距小于所述第二四方阵列的阵列间距。
6、可选地，多个所述中心气孔在至少一个圆周上均匀排布，多个所述外围气孔在至少一个圆周上均匀排布，多个圆周呈同心圆排布。
7、可选地，位于同一个圆周上的气孔的开口面积相等，位于不同圆周上的气孔的开口面积随着所述气孔所处圆周的直径的增大而减小。
8、可选地，所述中心区域的面积大于、小于或等于所述外围区域的面积。
9、可选地，所述气流导流装置包括层叠且间隔设置的多个所述气流导板。
10、可选地，相邻两层所述气流导板之间设有垫板，所述垫板包括镂空区域，所述中心气孔及所述外围气孔分布于所述镂空区域。
11、本技术还提供一种单片式清洗机，包括：
12、清洗腔体；
13、晶圆承载台，位于所述清洗腔体内以承载待清洗的晶圆；
14、如上所述的气流导流装置，位于所述清洗腔体内且与所述清洗腔体的相对两侧壁连接，所述气流导流装置还位于所述晶圆承载台的上方；
15、空气过滤器，位于所述气流导流装置上方用于过滤通入所述清洗腔体内以清洗所述晶圆的气体。
16、如上所述，本技术的气流导流装置能够对通过所述气流导流装置的气流进行分流导向，使得经过所述气流导流装置中央区域的气流量高于其外围区域的气流量，从而提高气体利用率，同时避免其他不利问题的发生。本技术的单片式清洗机，能够提高清洁气体的利用率，提高工作效率的同时避免产品良率降低的风险，实用性强。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种气流导流装置，其特征在于：所述气流导流装置位于半导体设备内以进行气流导流，所述气流导流装置包括至少一气流导板，所述气流导板包括中心区域及环绕所述中心区域的外围区域，所述气流导板上包括垂向贯穿所述气流导板的多个间隔设置的中心气孔及多个间隔设置的外围气孔，所述中心气孔位于所述中心区域，所述外围气孔位于所述外围区域，所述中心区域的面积为M，所述外围区域的面积为N，所述中心区域内所述中心气孔的面积之和为A，所述外围区域内所述外围气孔的面积之和为B，其中A/M＞B/N。
2.根据权利要求1所述的气流导流装置，其特征在于：所述中心气孔的开口面积等于所述外围气孔的开口面积，所述中心区域内所述中心气孔的密度大于所述外围区域内所述外围气孔的密度。
3.根据权利要求1所述的气流导流装置，其特征在于：所述中心气孔的开口面积大于所述外围气孔的开口面积，所述中心区域内所述中心气孔的密度大于或等于所述外围区域内所述外围气孔的密度。
4.根据权利要求1所述的气流导流装置，其特征在于：多个所述中心气孔呈第一四方阵列排布，多个所述外围气孔呈第二四方阵列排布，所述第一四方
5.根据权利要求1所述的气流导流装置，其特征在于：多个所述中心气孔在至少一个圆周上均匀排布，多个所述外围气孔在至少一个圆周上均匀排布，多个圆周呈同心圆排布。
6.根据权利要求5所述的气流导流装置，其特征在于：位于同一个圆周上的气孔的开口面积相等，位于不同圆周上的气孔的开口面积随着所述气孔所处圆周的直径的增大而减小。
7.根据权利要求1所述的气流导流装置，其特征在于：所述中心区域的面积大于、小于或等于所述外围区域的面积。
8.根据权利要求1所述的气流导流装置，其特征在于：所述气流导流装置包括层叠且间隔设置的多个所述气流导板。
9.根据权利要求8所述的气流导流装置，其特征在于：相邻两层所述气流导板之间设有垫板，所述垫板包括镂空区域，所述中心气孔及所述外围气孔分布于所述镂空区域。
10.一种单片式清洗机，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种气流导流装置，其特征在于：所述气流导流装置位于半导体设备内以进行气流导流，所述气流导流装置包括至少一气流导板，所述气流导板包括中心区域及环绕所述中心区域的外围区域，所述气流导板上包括垂向贯穿所述气流导板的多个间隔设置的中心气孔及多个间隔设置的外围气孔，所述中心气孔位于所述中心区域，所述外围气孔位于所述外围区域，所述中心区域的面积为m，所述外围区域的面积为n，所述中心区域内所述中心气孔的面积之和为a，所述外围区域内所述外围气孔的面积之和为b，其中a/m＞b/n。
2.根据权利要求1所述的气流导流装置，其特征在于：所述中心气孔的开口面积等于所述外围气孔的开口面积，所述中心区域内所述中心气孔的密度大于所述外围区域内所述外围气孔的密度。
3.根据权利要求1所述的气流导流装置，其特征在于：所述中心气孔的开口面积大于所述外围气孔的开口面积，所述中心区域内所述中心气孔的密度大于或等于所述外围区域内所述外围气孔的密度。
4.根据权利要求1所述的气流导流装置，其特征在于：多个所述中...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊冉，金浩，
申请(专利权)人：上海普达特半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。