【技术实现步骤摘要】
一种基于GaAs衬底生长GaSb单晶薄膜的制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体材料分子束外延生长制备
，特别是涉及一种基于GaAs衬底生长GaSb单晶薄膜的制备方法。
技术介绍
[0002]锑化物半导体材料具有直接带隙结构、高迁移率、较长的载流子复合寿命、良好的材料均匀性等特点，在高速低功耗中长波探测器及激光器中有着广泛的应用。目前，GaSb衬底在外延生长高质量的锑化物中占据主导地位，但由于其成本昂贵、缺少半绝缘体衬底、较低的热导率、氧化不稳定性、晶圆尺寸较小、对大于5mm波长具有高吸收性等缺点，使其在实际焦平面阵列大规模应用和表征器件的光学及电学性能受到很大的限制，亟需开展替代衬底材料的研究，应用于红外探测军事和民用领域。GaAs衬底其技术成熟、价格相对低廉、半绝缘体衬底等显著优势成为可制备红外探测器的优选衬底。
[0003]在GaAs衬底上生长超晶格的中波长波红外探测器可以广泛应用于红外制导、导弹预警、航空航天、红外成像、生化气体检测等领域。然而由于GaAs衬底与GaSb低温缓冲层之间存在较大的晶格失...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于GaAs衬底生长GaSb单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下方法步骤：在半绝缘掺杂Si的GaAs衬底上生长的GaAs缓冲层；在所述GaAs缓冲层上生长GaSb低温缓冲层；在所述GaSb低温缓冲层上生长GaSb外延层；其中，所述GaSb低温缓冲层的生长厚度为10
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12nm，生长温度为300
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310℃。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述GaSb低温缓冲层的生长厚度为10nm，生长温度为300℃。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：祝连庆，龚蕊芯，柳渊，鹿利单，张东亮，
申请(专利权)人：广州市南沙区北科光子感知技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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