【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及量子级联激光器,特别是涉及一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层,基于该有源层的设计可以实现宽增益谱,可应用于制备宽波段可调谐量子级联激光器。
技术介绍
1、基于电子辐射跃迁理论,载流子复合模型、声子辅助共振隧穿模型相结合进行能带工程设计开发,实现量子级联激光器(qcl)宽增益谱大功率输出,可用于单一激光器实现大范围的波长调谐。
2、量子级联激光器(qcl)不同于传统的半导体激光器,电子在同一导带的量子化子带能级间跃迁而发射光子。由于子带内的跃迁能量远小于带隙能量,量子级联激光器的激射波长可达到中红外甚至太赫兹波段。也因为量子级联激光器具有高单色性、高相干性、高方向性、高亮度、长寿命等特点,让它很快成为了最受欢迎的中红外乃至太赫兹波段的重要激光光源之一。随着量子级联激光器技术的日益成熟,它被广泛地应用于痕量气体检测、自由空间光通信和光电红外对抗等领域。
3、(1)针对痕量气体的检测,在很多领域都起着非常重要的作用,它利用半导体激光器的波长调谐特性,可获得被选定的待测气体特征吸收峰的吸收光
...【技术保护点】
1.一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层,其特征在于,所述量子级联激光器包括InP衬底,
2.根据权利要求1所述的有源层,其特征在于,所述第一GaInAs深势阱层包括第二Al0.63In0.37As层和第一Ga0.35In0.65As层;
3.根据权利要求1所述的有源层,其特征在于,有源层为30个周期。
4.根据权利要求2所述的有源层,其特征在于,所述第四Ga0.47In0.53As层、第五Ga0.35In0.65As层、第七Al0.63In0.37As层、第五Ga0.47In0.53As层、第六Ga0.35In0.6
...【技术特征摘要】
1.一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层,其特征在于,所述量子级联激光器包括inp衬底,
2.根据权利要求1所述的有源层,其特征在于,所述第一gainas深势阱层包括第二al0.63in0.37as层和第一ga0.35in0.65as层;
3.根据权利要求1所述的有源层,其特征在于,有源层为30个周期。
4.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:张东亮,崔锦涛,祝连庆,董明利,鹿利单,
申请(专利权)人:广州市南沙区北科光子感知技术研究院,
类型:发明
国别省市:
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