一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器制造技术

本发明专利技术提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明专利技术结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器。

技术介绍

1、双波段红外探测器能够通过对比两个波段内的光谱信息差异，对复杂的背景进行抑制，提高探测效果，这对鉴别军事目标、跟踪快速移动的目标和预警等应用尤为重要。inas/gasb二类超晶格探测器近年发展很快，1997年德国fraunhofer研究所发表了性能良好的长波二极管，2004年第一次演示了中波256×256阵列，性能已达到了很高水平，2005年完成384×288中波双色阵列。随着技术迅速成熟，产业界迅速进入并在工程化领域占据主导位置。中/短波inas/gasb超晶格探测器已逐渐进入研制阶段。我国在超晶格探测器的研究中仍然处于一个起步阶段，超晶格探测器的制备技术还不够成熟，制备的探测器的各性能还远远没有达到其理论上的极限，所以需要我们在材料的制备工艺以及理论设计的研究中进行进一步的研究与实践。

2、目前的超晶格探测器的探测性能与mct(碲镉汞)探测器相比仍然有一定的差距，普遍认为主要原因来源于超晶格结构中存在各种缺陷，这些缺陷对于器件暗电流和噪声等性能的影响很大。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，其特征在于，所述双色探测器包括衬底，以及在所述衬底上外延生长的缓冲层；

2.根据权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述衬底为GaSb衬底，所述缓冲层为GaSb缓冲层。

3.根据权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述中波通道包括，在所述中间势垒层上外延生长的第一InAs/GaSb II类超晶格层，以及在所述第一InAs/GaSb II类超晶格层上外延生长的第二InAs/GaSb II类超晶格层。

4.根据权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述双色探测器还包括在所述第二InAs/GaSb II类...

【技术特征摘要】

1.一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，其特征在于，所述双色探测器包括衬底，以及在所述衬底上外延生长的缓冲层；

2.根据权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述衬底为gasb衬底，所述缓冲层为gasb缓冲层。

3.根据权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述中波通道包括，在所述中间势垒层上外延生长的第一inas/gasb ii类超晶格层，以及在所述第一inas/gasb ii类超晶格层上外延生长的第二inas/gasb i...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹿利单，唐帆，祝连庆，董明利，陈伟强，何彦霖，张旭，
申请(专利权)人：广州市南沙区北科光子感知技术研究院，
类型：发明
国别省市：