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本发明提供了一种基于GaAs衬底生长GaSb单晶薄膜的制备方法，所述制备方法包括如下方法步骤：在半绝缘掺杂Si的GaAs衬底上生长的GaAs缓冲层；在所述GaAs缓冲层上生长GaSb低温缓冲层；在所述GaSb低温缓冲层上生长GaSb外延层；...
该专利属于广州市南沙区北科光子感知技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广州市南沙区北科光子感知技术研究院授权不得商用。

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