消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法技术

本申请提供一种消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法，包括：步骤S1，将晶圆放入研磨机台，该研磨机台具有粗磨腔室和精磨腔室；步骤S2，将晶圆移入粗磨腔室对晶圆背面进行粗磨，研磨一定时间后抬升磨轮与晶圆分离并改变旋转方向后下降磨轮继续研磨；步骤S3，将晶圆移入精磨腔室对晶圆背面进行精磨。通过粗磨时抬升磨轮与晶圆分离并改变旋转方向后下降磨轮继续研磨这一过程以及提高粗磨时磨轮的进给速度和减少精磨的研磨量，可以有效消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹。除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹。除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹。

【技术实现步骤摘要】
消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法。

技术介绍

[0002]在后段制程阶段，晶圆(正面已布好电路的硅片)在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄加工以降低封装贴装高度，减小芯片封装体积，改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及减小划片的加工量。
[0003]晶圆减薄的具体步骤是把所要加工的晶圆粘接到减薄膜上，然后把减薄膜及上面的晶圆利用真空吸附到多孔陶瓷承片台上，杯形金刚石磨轮工作面的内外圆舟中线调整到晶圆的中心位置，晶圆和磨轮绕各自的轴线回转，进行切进磨削。
[0004]一般当晶圆薄到一定程度，面积较大时，其机械强度大大下降，以8英寸晶圆为例，当晶圆厚度小于200微米时，晶圆会发生卷曲，因此无法进行搬送、转移和加工。为此，开发出Taiko磨削工艺对晶圆背面进行减薄处理，仅晶圆的中间部分减薄，利用晶圆的中间部分形成集成电路器件；同时利用晶圆边缘较厚的支撑环来保持整个晶圆的机械强度，防止晶圆发生卷曲，有利于后续晶圆的搬送、转移和加工。
[0005]相比图1(a)中示出的传统磨削工艺所使用的磨轮，图1(b)中示出的Taiko磨削工艺所使用的磨轮直径小，由于晶圆边缘留出的2mm
‑
3mm宽的支撑环的阻挡，研磨晶圆时排废水和碎屑困难，容易产生异常研磨印迹，进而增加表观异常率，严重时可能会影响晶圆测试(CP)结果。

技术实现思路

[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法，用于解决现有技术中晶圆背面减薄过程产生异常研磨印迹的问题。
[0007]为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法，包括：
[0008]步骤S1，将晶圆放入研磨机台，该研磨机台具有粗磨腔室和精磨腔室；
[0009]步骤S2，将晶圆移入粗磨腔室对晶圆背面进行粗磨，研磨一定时间后抬升磨轮与晶圆分离并改变旋转方向后下降磨轮继续研磨；
[0010]步骤S3，将晶圆移入精磨腔室对晶圆背面进行精磨。
[0011]优选的，在步骤S2中，磨轮的进给速度为2μm/s
‑
5μm/s。
[0012]优选的，在步骤S2中，重复实施抬升磨轮与晶圆分离并改变旋转方向后下降磨轮这一过程。
[0013]优选的，重复实施的次数依据粗磨的研磨量而定。
[0014]优选的，在步骤S2中，所述一定时间根据粗磨的研磨量以及磨轮磨齿的实际情况
而定。
[0015]优选的，精磨的研磨量为30μm
‑
80μm。
[0016]优选的，晶圆背面减薄为6英寸、8英寸或12英寸晶圆的Taiko减薄。
[0017]优选的，实施步骤S1之前，执行一贴膜过程，在晶圆正面形成保护膜。
[0018]优选的，完成步骤S3之后，实施去环工艺，去除晶圆边缘的支撑环。
[0019]优选的，实施去环工艺之前，还包括在晶圆背面进行背面贴膜的步骤。
[0020]如上所述，本申请提供的消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法，具有以下有益效果：通过粗磨时抬升磨轮与晶圆分离并改变旋转方向后下降磨轮继续研磨这一过程以及提高粗磨时磨轮的进给速度和减少精磨的研磨量，可以有效消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。
[0022]图1显示为实施传统磨削工艺和Taiko磨削工艺所分别使用的操作机台的剖面结构示意图；
[0023]图2显示为本申请实施例提供的消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法的流程图；
[0024]图3显示为实施Taiko磨削工艺所使用的研磨机台的示意图；
[0025]图4显示为本申请实施例提供的消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法相对现有技术有效的比对分析图。
具体实施方式
[0026]以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其它优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0027]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0028]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0029]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相
连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0030]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0031]Taiko减薄工艺是由日本迪斯科(disco)公司开发的一种超薄减薄工艺，Taiko减薄工艺并不是对晶圆即硅片的整个平面都减薄，而是仅对晶圆的中间部分进行减薄，晶圆的边缘约为2mm
‑
3mm宽的部分并不进行减薄，该留出的边缘部分形成支撑环以保持整个晶圆的机械强度，防止晶圆发生卷曲。
[0032]如图1(b)所示，由于晶圆边缘留出的2mm
‑
3mm宽的支撑环的阻挡，研磨晶圆时排废水和碎屑困难，导致磨轮的磨齿的自锐能力变差，容易产生异常研磨印迹。
[0033]为了解决这一问题，本申请提供一种消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法。
[0034]请参阅图2，其示出了本申请实施例提供的消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法的流程图。
[0035]如图2所示，该消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1，将晶圆放入研磨机台，所述研磨机台具有粗磨腔室和精磨腔室；步骤S2，将所述晶圆移入所述粗磨腔室对所述晶圆背面进行粗磨，研磨一定时间后抬升磨轮与所述晶圆分离并改变旋转方向后下降所述磨轮继续研磨；步骤S3，将所述晶圆移入所述精磨腔室对所述晶圆背面进行精磨。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述磨轮的进给速度为2μm/s
‑
5μm/s。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，重复实施所述抬升磨轮与晶圆分离并改变旋转方向后下降磨轮这一过程。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述重复实施的次数依据所述粗磨的研...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪立华，许有超，谭秀文，张召，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：