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本申请提供一种消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法，包括：步骤S1，将晶圆放入研磨机台，该研磨机台具有粗磨腔室和精磨腔室；步骤S2，将晶圆移入粗磨腔室对晶圆背面进行粗磨，研磨一定时间后抬升磨轮与晶圆分离并改变旋转方向后下降磨轮继续研...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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