发光化合物及发光元件制造技术

本发明专利技术的课题为提供可以发出白色光的、例如可以用于有机ＥＬ元件的、单一化合物的白色发光化合物、白色发光聚合物以及利用这些物质的白色发光元件。解决上述课题的本发明专利技术中的第一种方法，其特征为以具有上述分子式（１）表示的结构的白色发光化合物。

【技术实现步骤摘要】

此专利技术为关于发光化合物及发光元件的专利技术，进一步详细说明为关于发光化合物、以及利用该化合物的发光元件的专利技术，如果向该发光化合物施加电子能量，可以发出高亮度的光，且具有耐久性。
技术介绍
以前，一直未找到通过施加能量可以发出高亮度的光的有机化合物。而且，也未发现在发出高亮度、高纯度的光的同时，具有牢固性的有机化合物。
技术实现思路
所以，本专利技术的目的在于提供发出高纯度颜色的高亮度的光、还具有耐久性的有机化合物。本专利技术的其他目的在于提供具有发出高纯度颜色的高亮度的光的同时，具有牢固性的发光元件。本专利技术中的解决上述课题的第一种方法为以具有下述分子式(1)表示的结构为特征的发光化合物。 (分子式中，R1表示氢原子、乙烯基、芳基或者碳原子数为1～10的可以用卤原子置换的烷基，Ar1表示在芳香族碳氢化物的环中结合的氢原子解离2个而生成的基，Ar2表示芳基。)本专利技术中的解决上述课题的第二种方法为以具有下述分子式(2)表示的结构为特征的发光化合物。 (分子式中，R1表示与上述申请第1种方法中的R1相同的含义，Ar3表示下述分子式(2-1)或者(2-2)表示的置换基，Ar4表示下述分子式(2-3)或者(2-4)表示的芳基。) (分子式中，R4及R5表示氢原子或者碳原子数为1～10的可以用卤原子置换的烷基，r表示1～4的整数，s表示1或者2的整数。而且，R4及R5既可以相同，也可以不同。r个R4既可以相同，也可以不同；s个R5既可以相同，也可以不同。) (分子式中，R1表示与上述的R1相同的含义。两个R1既可以相同，也可以不同。) (分子式中，R2表示氢原子或者碳原子数为1～10的可以用卤原子置换的烷基，p表示1～5的整数。而且，p个R2既可以相同，也可以不同。) (分子式中，R3表示氢原子或者碳原子数为1～10的可以用卤原子置换的烷基，q表示1～3的整数。R4及r表示与上述的R4及r相同的含义。而且，q个R3既可以相同，也可以不同；r个R4既可以相同，也可以不同。)本专利技术中解决上述课题的第三种方法为以具有下述分子式(3)表示的重复单元为特征的发光化合物，即发光聚合物。 (分子式中，Ar1及Ar2表示与上述第一种方法中的Ar1及Ar2相同的含义。)本专利技术中的解决上述课题的第四种方法为，以在一对电极之间，设置了含有上述分子式(1)、(2)或者(3)表示的发光化合物的发光层而构成为特征的发光元件。利用本专利技术，可以提供具有高亮度、耐久性持久的优秀性能的发光化合物、及其简单的制造方法、以及具有高亮度、耐久性持久的优秀性能的发光元件。附图说明图1是表示作为与本专利技术相关的事例的发光元件的说明图。图2是表示作为与本专利技术相关的其他事例的发光元件的说明图。图3是表示作为与本专利技术相关的另外其他事例的发光元件的说明图。图4是表示作为与本专利技术相关的除上述事例以外的发光元件的说明图。图5是实施形态1中的分子式(6)表示的化合物的NMR光谱记录图。图6是实施形态1中的分子式(6)表示的化合物的IR光谱记录图。图7是实施形态1中的分子式(7)表示的化合物的NMR光谱记录图。图8是实施形态1中的分子式(7)表示的化合物的IR光谱记录图。图9是实施形态1中的分子式(9)表示的化合物的NMR光谱记录图。图10是实施形态1中的分子式(9)表示的化合物的IR光谱记录图。图11是实施形态1中的分子式(10)表示的化合物的NMR光谱记录图。图12是实施形态1中的分子式(10)表示的化合物的IR光谱记录图。图13是实施形态1中的分子式(11)表示的化合物的NMR光谱记录图。图14是实施形态1中的分子式(11)表示的化合物的IR光谱记录图。图15是实施形态1中的分子式(11)表示的化合物的荧光光谱记录图。图16是实施形态2中的分子式(12)表示的化合物的NMR光谱记录17是实施形态2中的分子式(12)表示的化合物的IR光谱记录图。图18是实施形态2中的分子式(14)表示的化合物的NMR光谱记录图。图19是实施形态2中的分子式(14)表示的化合物的IR光谱记录图。图20是实施形态2中的分子式(15)表示的化合物的NMR光谱记录图。图21是实施形态2中的分子式(15)表示的化合物的IR光谱记录图。图22是实施形态2中的分子式(16)表示的化合物的NMR光谱记录图。图23是实施形态2中的分子式(16)表示的化合物的IR光谱记录图。图24是实施形态2中的分子式(17)表示的化合物的NMR光谱记录图。图25是实施形态2中的分子式(17)表示的化合物的IR光谱记录图。图26是实施形态2中的分子式(18)表示的化合物的NMR光谱记录图。图27是实施形态2中的分子式(18)表示的化合物的IR光谱记录图。图28是具有实施形态2中的分子式(19)表示的重复单元的化合物的NMR光谱记录图。图29是具有实施形态2中的分子式(19)表示的重复单元的化合物的IR光谱记录图。图30是具有实施形态2中的分子式(19)表示的重复单元的化合物的荧光光谱记录图。图31是实施形态3中的分子式(20)表示的化合物的NMR光谱记录图。图32是实施形态3中的分子式(20)表示的化合物的IR光谱记录图。图33是实施形态4中的分子式(23)表示的化合物的NMR光谱记录图。图34是实施形态4中的分子式(23)表示的化合物的IR光谱记录图。图35是实施形态4中的分子式(24)表示的化合物的NMR光谱记录图。图36是实施形态4中的分子式(24)表示的化合物的IR光谱记录图。图37是实施形态4中的分子式(25)表示的化合物的NMR光谱记录图。图38是实施形态4中的分子式(25)表示的化合物的IR光谱记录图。图39是实施形态4中的分子式(26)表示的化合物的NMR光谱记录图。图40是实施形态4中的分子式(26)表示的化合物的IR光谱记录图。图41是实施形态4中的分子式(27)表示的化合物的NMR光谱记录图。图42是实施形态4中的分子式(27)表示的化合物的IR光谱记录图。图43是实施形态4中的分子式(28)表示的化合物的NMR光谱记录图。图44是实施形态4中的分子式(28)表示的化合物的IR光谱记录图。图45是具有实施形态4中的分子式(28)表示的重复单元的化合物的荧光光谱记录图。符号的说明A、B、C、D发光元件1基板2透明电极3、3a、3b发光层4电极层5电洞传送层6、8电子传送层 具体实施例方式与本专利技术相关的发光化合物的特征为具有下述分子式(1)表示的结构。 上述分子式(1)表示的化合物以N-咔唑为基本骨架，在该N-咔唑中的氮原子与R1结合。而且，处于该N-咔唑的第3位或者第6位的碳原子与具有噁二唑环的另一个碳原子结合。而且，具有该噁二唑环的其他的碳原子，在分子式(1)中，与在Ar1表示的芳香族碳氢化物的环中结合的氢原子解离了2个生成的基所具有的碳原子结合。而且，上述Ar1还与和上述的噁二唑环不同的噁二唑环结合。在该噁二唑环中，与Ar1结合碳原子以外的碳原子与Ar2结合。上述R1表示氢原子、乙烯基、碳原子数为1～10的可以用卤原子置换的烷基或者下述分子式(1-1)～(1-6)表示的芳基。在上述碳原子数为1～10的可以用卤原子置换的烷基中，作为不用卤原子置换的碳原子数为1～10的烷基，可以列举的有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光化合物，其特征为具有下述分子式（１）表示的结构：＊＊＊…（１）（分子式中，Ｒ↑［１］表示氢原子、乙烯基、芳基或者碳原子数为１～１０的可以用卤原子置换的烷基，Ａｒ↑［１］表示在芳香族碳氢化物的环中结合的氢原子解离了 ２个而生成的基，Ａｒ↑［２］表示芳基。）。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲矢忠雄，松本良二，石飞达郎，
申请(专利权)人：广濑工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]