发光片及其制造方法技术

本发明专利技术涉及发光片及其制造方法。本发明专利技术涉及一种通过允许能够引起发光的片经受穿孔处理而获得的发光片；以及制造该发光片的方法，其中发光片经受包括钻孔、加热的针、冲孔、平模切割、旋转模切割、激光处理等的穿孔处理。根据本发明专利技术，提供以更简便的方式获得的低功耗发光片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及其中使用EL(电致发光)材料的发光片。
技术介绍
EL片是已经最近得到关注的发光装置的一个实例。EL片已经公知具有容易制造和高耐用性的特征。因而，它们已经用于多种涉及广告媒介、照明用途、装饰用途、背光用途等的领域中。 当用于上面的用途时，在许多情况下长时间使用EL片，因此出现关于功耗的严重问题。因而，已经尝试通过利用例如如在日本专利公开物(特许公报)No.11-45062A(1999)、日本专利公开物(特许公报)No.2005-108776A以及日本专利公开物(特许公报)No.2002-196705A中描述的通过允许多个光源闪动或通过引起光的漫反射改善发光效率的技术，来实现低功耗。然而，在上面的文献中公开的方法需要高度复杂的结构和驱动控制。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供以更方便的方式获得的低功耗发光片。 本专利技术概述如下 (1)发光片，其通过允许能够引起发光的片经受穿孔处理而获得。 (2)根据项(1)的发光片，其中该能够引起发光的片为电致发光片。 (3)根据项(1)或(2)的发光片，其中孔面积比率为5％至80％。 (4)根据项(1)至(3)中的任一个的发光片，其中穿孔处理时的孔直径为0.1至20mm并且孔中心之间的间隔长度为0.2至50mm。 (5)根据项(1)至(4)中的任一个的发光片，其已经以矩阵图案经受穿孔处理。 (6)根据项(1)至(5)中的任一个的发光片的制造方法，包括允许能够引起发光的片经受穿孔处理。 (7)根据项(6)的方法，其中使用的穿孔处理手段为钻孔、加热的针处理、冲孔、平模切割、旋转模切割或激光处理。 专利技术效果 根据本专利技术，可以提供以更方便的方式获得的低功耗发光片。 附图说明 图1示出未穿孔的发光片的截面图。 图2示出从第二电极(背面电极)层侧执行穿孔处理的情形。 图3示出用于确定相关的穿孔处理图案的孔面积比率的公式。 图4示出用于确定相关的穿孔处理图案的孔面积比率的公式(接图3)。 在图中的各个数字代表下述各项 1-透明基板 2-第一电极(透明电极)层 3-发光层 4-介电层 5-第二电极(背面电极)层 具体实施例方式 本专利技术的发光片是能够引起发光的片，其已经经受穿孔处理。通过执行能够引起发光的片的穿孔处理，可获得低功耗发光片。此外，通过在穿孔处理时调节孔直径和孔面积比率，可显著地防止亮度减小。 上面的能够引起发光的片的优选实例包括电致发光片。 当电致发光片用作能够引起发光的片时，它的实例为包括透明基板的电致发光片，在该透明基板上至少形成第一电极(透明电极)层、发光层以及第二电极(背面电极)层。 不特别地限制上述的透明基板，只要其是透明的。然而，优选这种透明基板为柔性的。用于这种透明基板的材料的实例包括聚酯，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二酯、或聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate)；全芳基聚酰安(wholly aromatic polyamide)；脂肪族聚酰胺，例如尼龙6、尼龙66、或尼龙共聚物；聚甲基丙烯酸甲酯；以及聚碳酸酯。不特别限制要用的基板膜的厚度并且该厚度通常为1至1000μm，优选5至500μm，对于实际使用特别优选50至200μm。 用于第一电极层的材料的实例包括，但不特别限于，金属、合金、金属氧化物、导电有机化合物及它们的混合物。其具体实例包括半导体金属氧化物，例如掺杂有锑、氟等的氧化锡(例如ATO或FTO)，氧化锡，氧化锌，氧化铟，氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)；金属，例如金、银、铬或镍；这种金属和导电金属氧化物的混合物或叠层；导电无机物质，例如碘化铜或硫化铜；导电有机材料，例如聚苯胺、聚噻吩或聚吡咯；以及上面的实例和ITO的叠层。第一电极层的厚度通常为50至50000nm。 根据适当地选自例如基于适用于上述材料的下列方法的方法可在上述基板上形成第一电极层和第二电极层湿法方法，例如印刷方法以及涂覆方法；物理方法，例如真空沉积方法、溅射方法以及离子电镀方法；以及化学方法，例如热CVD(化学汽相沉积)方法、等离子体CVD方法以及光CVD方法。 根据本专利技术，在第一电极层和第二电极层之间提供发光层。可以平面层以发光层覆盖每个电极层的一个表面的方式形成发光层。可替代地，可部分地提供发光层。 用于发光层的材料不被特别限制，只要使用在施加电场时能引起发光现象的材料。可使用的这种材料的实例包括无机EL材料，例如活性的硫化锌ZnS:X(其中X是活化剂元素，例如Mn、Tb、Cu、Sm或Ag)、Y2O2S:Eu、Y2O3:Eu、Zn2SiO4:Mn、CaWO4:Pb、BaMgAl10O17:Eu、CaS:Eu、SrS:Ce、SrGa2S4:Ce、CaGa2S4:Ce、CaS:Pb、BaAl2S4:Eu或YVO4:Eu；低分子量有机EL材料，例如铝-羟基喹啉络合物(aluminum-quinolinol complex)或芳族二胺衍生物(例如，三苯基二胺(triphenyldiamine)衍生物)；以及聚合物有机EL材料，例如聚苯撑1，2-亚乙烯基(polyphenylene vinylene)。不特别限制发光层的厚度；然而，其通常为5至100μm并且就易于处理而言优选为10至80μm。例如，当使用无机EL材料时，形成发光层的方法的优选实例包括棒涂覆(bar coating)方法、滚刀涂敷方法、照相凹版涂敷方法、刀涂敷方法、旋转涂敷方法、浸渍涂敷方法、丝网印刷方法、滑动涂敷方法以及喷溅方法。当使用有机EL材料时，可使用真空沉积方法以及喷墨方法。 根据本专利技术，优选提供用于发光效率的改善的电介质层。在第一电极层和第二电极层之间并且优选在发光层和第二电极层之间提供电介质层。用于电介质层的材料的优选实例包括具有高介电常数的绝缘材料，例如TiO2、BaTiO3、SrTiO3、PbTiO3、KNbO3、PbNbO3、Ta2O3、BaTa2O6、LiTaO3、Y2O3、Al2O3、ZrO2、AlON、ZnS、氧化硅、氮化硅或掺锑的氧化锡。不特别限制介电层的厚度；然而，其通常为5至100μm并且就易于处理而言优选为10至80μm。根据适当地选自例如基于适用于上述材料的下列方法的方法可在上述基板上形成电介质层湿法方法，例如印刷方法以及涂覆方法；物理方法，例如真空沉积方法、溅射方法以及离子电镀方法；化学方法，例如热CVD(化学汽相沉积)方法、等离子体CVD方法以及光CVD方法。形成电介质层的方法的优选实例包括棒涂覆方法、滚刀涂敷方法、照相凹版涂敷方法、刀涂敷方法、旋转涂敷方法、浸渍涂敷方法、丝网印刷方法、滑动涂敷方法以及喷溅方法。 不特别限制用于第二电极层的材料，只要其为导电材料。这种材料的实例包括由导电胶制造或由物理沉积形成的金属膜以及上述的用于第一电极层的材料。第二电极层的厚度通常为50至50000nm。形成第二电极层的方法的优选实例包括棒涂覆方法、滚刀涂敷方法、照相凹版涂敷方法、刀涂敷方法、旋转涂敷方法、浸渍涂敷方法、丝网印刷方法、滑动涂敷方法以及喷溅方法。 当形成第二电极层之后，用作第二电极层的保护层的粘合片等施加到第二电极层，因此可获得具有发光面的能够引起发光的片，该发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光片，该发光片通过允许能够引起发光的片经受穿孔处理而获得。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：星慎一，奥地茂人，关谷昌彦，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]