【技术实现步骤摘要】
沉积处理装置
[0001]本技术涉及膜层沉积
，尤其涉及一种沉积处理装置。
技术介绍
[0002]等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。等离子体增强化学气相沉积设备主要由装载腔室、传送腔室和工艺沉积腔室组成。
[0003]目前在沉积腔室中的进气与出气通常采用长细管从一端延伸至另一端，导致细管出来的气体无法均匀的覆盖基体的整个反应区域，造成气体分布的不均匀，导致沉积膜层的均匀性非常差，从而导致电池转换效率低。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种沉积处理装置，采用气孔均匀分布的板型进出气板，使基体的反应区域被气体均匀覆盖，提高沉积膜层的均匀性。
[0005]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0006]沉积处理装置，包括：
[0007]炉体，所述炉体用于容纳基体；
[0008]进气板，所述进气板设置于所述炉体内；
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.沉积处理装置，其特征在于，包括：炉体(7)，所述炉体(7)用于容纳基体(5)；进气板(4)，所述进气板(4)设置于所述炉体(7)内；抽气板(3)，所述抽气板(3)与所述进气板(4)相对设置于所述炉体(7)内，以能够使所述基体(5)置于二者之间；其中：所述进气板(4)和所述抽气板(3)上设有均匀布置的第一气孔(1)、与外部设备连通的第二气孔(2)以及连通所述第一气孔(1)和所述第二气孔(2)的布气通道(8)。2.根据权利要求1所述的沉积处理装置，其特征在于，所述布气通道(8)还包括一级布气通道(81)以及二级布气通道(82)，所述第二气孔(2)连通所述一级布气通道(81)，所述一级布气通道(81)连通至少一个所述二级布气通道(82)，所述二级布气通道(82)连通多个所述第一气孔(1)。3.根据权利要求2所述的沉积处理装置，其特征在于，所述布气通道(8)包括三级布气通道(83)，若干所述第一气孔(1)经所述三级布气通道(83)连接形成布气单元，多个所述布气单元与所述二级布气通道(82)连通。4.根据权利要求3所述的沉积处理装置，其特征在于，所述二级布气通道(82)与所述布气单元中的所述三级布气通道(83)的连接处至该所述布气单元中的所述第一气孔(1)的路...
【专利技术属性】
技术研发人员：林佳继，张武，刘群，
申请(专利权)人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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