沉积组件及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种沉积组件及半导体装置，该沉积组件包括绝缘支撑件、电极板以及绝缘间隔套，电极板为至少两个，电极板套设在绝缘支撑件上，且至少两个电极板间隔设置，绝缘间隔套套设在绝缘支撑件上，且绝缘间隔套的两端分别止抵在相邻的两个电极板上，绝缘间隔套的外周壁上设有沉积槽。该沉积组件能够较好地避免相对设置的电极板导通的现象发生，避免电极板短路的现象发生，从而确保等离子稳定生产以确保产品镀膜效果。保产品镀膜效果。保产品镀膜效果。

【技术实现步骤摘要】
沉积组件及半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种沉积组件及半导体装置。

技术介绍

[0002]半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业，半导体和光伏材料通常都需要经过各种加工处理后才能够应用到产品上，例如太阳能电池片，将片状材料送入反应腔室中，在一定温度和压力等工艺条件下进行反应来给片状材料镀膜，因此需要用到PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积)加工设备。
[0003]沉积组件作为PECVD加工设备的主要部分，通过绝缘杆在反应腔室内部对片状材料进行间隔、支撑，通过向沉积组件的相对设置的电极板加载电力进行电离以形成等离子体，等离子体参与反应后生成薄膜(如具备导电性的氮化硅)，薄膜附着于待镀膜的产品上。此时，如果薄膜附着于绝缘杆上，导致相对设置电极板连通就会出现电极板短接的现象，则可能会导致等离子体形成不良现象，例如薄膜在片状材料部分区域形成彩虹片、膜厚相差大等不良附着效果。

技术实现思路

[0004]本专利技术的第一个目的在于提出一种沉积组件，该沉积组件能够较好地避免相对设置的电极板导通的现象发生，避免电极板短路的现象发生，从而确保等离子稳定生产以确保产品镀膜效果。
[0005]本专利技术的第二个目的在于提出一种半导体装置，该半导体装置的工作可靠性较好，能够较好地避免沉积组件出现电极板短路的现象，从而确保产品镀膜效果，提升产品制造良率。
[0006]为实现上述技术效果，本专利技术的技术方案如下：
[0007]本专利技术公开了一种沉积组件，包括：绝缘支撑件；电极板，所述电极板为至少两个，所述电极板套设在所述绝缘支撑件上，且至少两个所述电极板间隔设置；绝缘间隔套，所述绝缘间隔套套设在所述绝缘支撑件上，且所述绝缘间隔套的两端分别止抵在相邻的两个所述电极板上，所述绝缘间隔套的外周壁上设有沉积槽。
[0008]在一些实施例中，所述绝缘间隔套包括套设在所述绝缘支撑件上的绝缘螺纹件，所述绝缘螺纹件的外周面具有外螺纹，所述外螺纹构成所述沉积槽。
[0009]在一些实施例中，所述绝缘间隔套包括：第一调节套，所述第一调节套套设在所述绝缘支撑件上；第二调节套，所述第二调节套与所述第一调节套螺纹配合，且所述第二调节套能够止抵在所述电极板上。
[0010]在一些具体的实施例中，所述第二调节套具有开口，所述第一调节套能够从所述开口插入所述第二调节套内。
[0011]在一些具体的实施例中，所述第二调节套上设有锁紧孔，所述第二调节套通过穿
设在所述锁紧孔内的锁紧件锁死在所述第一调节套上。
[0012]在一些具体的实施例中，所述第二调节套的一端止抵在所述电极板上，另一端与所述第一调节套配合，所述第二调节套上与所述第一调节套配合的一端设有环绕所述第一调节套设置的环形槽。
[0013]在一些实施例中，所述沉积槽形成为螺纹槽，且所述螺纹槽的波峰斜面垂直于所述螺纹槽的波谷底面。
[0014]在一些实施例中，所述沉积组件还包括限位件，所述限位件成对设置，至少两个所述电极板设在成对设置的两个限位件之间。
[0015]本专利技术还公开了一种半导体装置，包括前文所述的沉积组件。
[0016]本专利技术的沉积组件的有益效果：在实际工作过程中，由于绝缘间隔套的外周壁上设有沉积槽，在沉积组件实际工作过程中，沉积物会沉积到沉积槽的波谷(最低处)，避免了绝缘间隔套上出现连续沉积镀膜导致两个电极板导通的现象发生，从而确保产品镀膜效果，提升产品制造良率；且还能够通过调整绝缘间隔套，实现根据实际需要调整两个电极板之间的间距，提升沉积组件的兼容性，并给能够沿绝缘支撑件的径向方向安装绝缘间隔套，提升安装效率；当绝缘间隔套包括第一调节套和第二调节套时，第二调节套能够通过开口实现快速拆换，不需要将整个沉积组件拆散，且第二调节套还能够较好地保护第一调节套，延长第一调节套的使用寿命。
[0017]本专利技术的半导体装置的有益效果：由于具有前文所述的沉积组件，该半导体装置的工作可靠性较好，能够较好地避免沉积组件出现电极板短路的现象，从而确保产品镀膜效果，提升产品制造良率。
[0018]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0019]图1是本专利技术实施例的沉积组件的剖面结构示意图；
[0020]图2是本专利技术实施例的第一种绝缘间隔套的结构示意图；
[0021]图3是本专利技术实施例的第二种绝缘间隔套的分解结构示意图；
[0022]图4是图3所示的绝缘间隔套的第二种第二调节套的结构示意图；
[0023]图5是图3所示的绝缘间隔套的第三种第二调节套的结构示意图；
[0024]图6是图3所示的绝缘间隔套的第四种第二调节套的结构示意图；
[0025]图7是本专利技术实施例的第三种绝缘间隔套的分解结构示意图；
[0026]图8是图7所示的绝缘间隔套的第二种第二调节套的结构示意图；
[0027]图9是图7所示的绝缘间隔套的第三种第二调节套的结构示意图；
[0028]图10是图7所示的绝缘间隔套的第四种第二调节套的结构示意图；
[0029]图11是本专利技术实施例的第四种绝缘间隔套的分解结构示意图；
[0030]图12是本专利技术实施例的第五种绝缘间隔套的分解结构示意图；
[0031]图13是本专利技术实施例的第六种绝缘间隔套的分解结构示意图。
[0032]附图标记：
[0033]1、绝缘支撑件；
[0034]2、电极板；
[0035]3、绝缘间隔套；301、沉积槽；31、绝缘螺纹件；32、第一调节套；33、第二调节套；331、开口；332、锁紧孔；333、环形槽。
具体实施方式
[0036]为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。
[0037]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0038]此外，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征，用于区别描述特征，无顺序之分，无轻重之分。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0039]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.沉积组件，其特征在于，包括：绝缘支撑件(1)；电极板(2)，所述电极板(2)为至少两个，所述电极板(2)套设在所述绝缘支撑件(1)上，且至少两个所述电极板(2)间隔设置；绝缘间隔套(3)，所述绝缘间隔套(3)套设在所述绝缘支撑件(1)上，且所述绝缘间隔套(3)的两端分别止抵在相邻的两个所述电极板(2)上，所述绝缘间隔套(3)的外周壁上设有沉积槽(301)。2.根据权利要求1所述的沉积组件，其特征在于，所述绝缘间隔套(3)包括套设在所述绝缘支撑件(1)上的绝缘螺纹件(31)，所述绝缘螺纹件(31)的外周面具有外螺纹，所述外螺纹构成所述沉积槽(301)。3.根据权利要求1所述的沉积组件，其特征在于，所述绝缘间隔套(3)包括：第一调节套(32)，所述第一调节套(32)套设在所述绝缘支撑件(1)上；第二调节套(33)，所述第二调节套(33)套设在所述第一调节套(32)上，且所述第二调节套(33)能够止抵在所述电极板(2)上；其中，所述第一调节套(32)和/或所述第二调节套(33)的外侧壁设有所述沉积槽(301)。4.根据权利要求3所述的沉积组件，其特征在于，所述第二调节套(33)具有开口(331)，所述第二调节套(33)通过所述开口(331)插入所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙占勇，林佳继，刘群，
申请(专利权)人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：