电极馈入装置和化学沉积设备制造方法及图纸

本申请公开了电极馈入装置和化学沉积设备，电极馈入装置包括电极导杆、电极块和载片舟。电极块设置于电极导杆上。载片舟具有舟脚，舟脚与电极块抵接，以将二者电性连接。其中，电极块和舟脚的至少其中一者设置有阻挡部，用于阻挡工艺气体进入舟脚与电极块之间的缝隙。通过上述方式，本申请能够增强电场的稳定性。本申请能够增强电场的稳定性。本申请能够增强电场的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
电极馈入装置和化学沉积设备


[0001]本申请涉及化学沉积设备
，特别是涉及电极馈入装置和化学沉积设备。

技术介绍

[0002]化学沉积设备能够在产品表面沉积薄膜，从而起到对产品进行改性，优化产品性能的作用。化学沉积设备可以采用例如等离子体增强化学的气相沉积法进行化学沉积。等离子体增强化学的气相沉积法是在真空腔内通过电场将工艺气体电离分解，然后在产品表面沉积薄膜的工艺。相关技术中，化学沉积设备中的电极馈入装置导电性不稳定，容易导致电场异常。

技术实现思路

[0003]本申请的实施例提供电极馈入装置和化学沉积设备。能够增强电场的稳定性。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种电极馈入装置。电极馈入装置包括电极导杆、电极块和载片舟。电极块设置于电极导杆上。载片舟具有舟脚，舟脚与电极块抵接，以将二者电性连接。其中，电极块和舟脚的至少其中一者设置有阻挡部，用于阻挡工艺气体进入舟脚与电极块之间的缝隙。
[0005]第二方面，本申请实施例提供一种化学沉积设备。化学沉积设备包括反应腔和上述的电极馈入装置。反应腔内通入有工艺气体。电极馈入装置设置于反应腔内。
[0006]本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，通过阻挡部对工艺气体的阻挡，能够减少工艺气体吹入电极块与舟脚之间的间隙，从而减少了电极块与舟脚之间发生启辉放电将气体电离的现象，进而减少和抑制了电极块与舟脚之间绝缘薄膜的生长。绝缘薄膜生长遭受抑制后，就能够减少电极块与舟脚之间导电性的下降，从而减少了载片舟内的电场异常，增加了其内电场的稳定性。通过设置阻挡部，还能够对载片舟的放置起到定位或导向作用，从而减少每一次工艺中载片舟的放置位置的偏差，减少对电场可重复性的影响，有利于提高批次工艺之间的均匀性。
附图说明
[0007]图1是本申请化学沉积设备一实施例的结构示意图；
[0008]图2是图1所示化学沉积设备的俯视结构示意图；
[0009]图3是电极馈入装置一实施例的电极块与舟脚一实施方式的结构示意图；
[0010]图4是图3所示电极块与舟脚另一实施方式的示意图；
[0011]图5是电极馈入装置又一实施例的电极块与舟脚一实施方式的结构示意图；
[0012]图6是图5所示电极块与舟脚另一实施方式的示意图；
[0013]图7是电极馈入装置再一实施例的电极块与舟脚一实施方式的结构示意图；
[0014]图8是图7所示电极块与舟脚另一实施方式的示意图。
具体实施方式
[0015]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0016]相关技术中，化学沉积设备通过等离子体增强化学的气相沉积法可以在产品上镀膜，以达到改性、提升性能的目的。等离子体增强化学的气相沉积法是在真空腔内通过电场将工艺气体电离分解，然后在产品表面沉积薄膜的工艺。化学沉积设备通过在反应腔内设置电极馈入装置来对产品进行镀膜。现有的电极馈入装置中，电极块与载片舟的舟脚接触是两个平面抵接接触，从而使电极块与舟脚电导通。其中，由于生产精度等原因，电极块与舟脚之间会具有缝隙，缝隙会导致电极块与舟脚之间构成电容。反应腔内通入有工艺气体，而缝隙暴露在工艺气体的流动方向上，工艺气体会进入到电极块与舟脚之间的缝隙当中。如此，会导致电极块与舟脚之间产生寄生电场。在启辉放电的过程中，缝隙当中会逐渐有绝缘薄膜生长，绝缘薄膜生长到一定程度后，会导致电极块与舟脚之间的导电性下降，导致电场异常。为了改善上述技术问题，本申请可以提供以下实施例。
[0017]本申请化学沉积设备1实施例描述化学沉积设备1的一种示例性结构。
[0018]化学沉积设备1具有反应腔20。反应腔20内通入有工艺气体，工艺气体可以例如是SiH4或者NH3等，可以根据所要沉积的薄膜类型进行选择，在此不做具体限定。可选地，反应腔20的一端通入工艺气体，另一端抽真空，从而使反应腔20内的工艺气体能够均匀流动，也能减少空气对沉积过程的干扰。化学沉积设备1还包括电极馈入装置10，电极馈入装置10设置于反应腔20内。
[0019]下面对电极馈入装置10的具体结构进行示例性介绍。
[0020]参阅图1，电极馈入装置10包括电极导杆110、电极块111和载片舟120。电极块111设置于电极导杆110上。电极导杆110能够与电源、继电器或者电控电路等进行电连接，从而将电流导入至电极块111上。同时电极导杆110也能够对电极块111以及置于电极块111上的载片舟120起到承载的作用。载片舟120具体可以是由石墨制成的石墨舟或者由金属制成的金属舟。载片舟120也可以是由其他的导电材料制成，材质具体包括石墨或金属，在设置形式上，也可以采用复合的方法，例如导电片中心材质采用金属，在金属材料外层设置石墨层，中心采用石墨舟能够降低损耗，外层采用石墨材质则能更好地利用石墨的优势，例如耐酸碱、高导热铝等性能。载片舟120用于承载需要镀膜的产品，并且载片舟120中能够在通电时产生电场，将工艺气体电离，以为载片舟120中的产品镀膜。在一实施方式中，载片舟120可以由并排设置的多个导电片(图未示)组成，相邻的导电片之间用于放置硅片等产品。其中，彼此相邻的导电片互为正负极，互相不导通。与同一导电片相邻的、彼此间隔设置的导电片电极极性相同，且互相导通。相邻的两个导电片之间流入有工艺气体，工艺气体在电场的作用下电离为等离子体。等离子体沉积在产品的表面上形成薄膜。进一步地，载片舟120具有舟脚121，舟脚121与电极块111抵接，以将二者电性连接。载片舟120的舟脚121与不同的导电片电导通，以向导电片供电。
[0021]具体而言，参阅图2，在一实施方式中，电极馈入装置10包括至少两个电极导杆110，其中两个电极导杆110可以分别与电源的正极和负极连接，以为载片舟120中的导电片
提供不同的电极极性。每个电极导杆110沿其长度方向设置有至少两个电极块111，载片舟120沿电极导杆110的长度方向设置有至少两个，从而使多个电极块111能够为同一载片舟120进行供电，以增加供电稳定性。和/或，使多个电极块111能够向不同的载片舟120进行供电，进而在一次工艺中放置多个载片舟120，以增加生产效率。载片舟120具有至少两个舟脚121，舟脚121分别与电极块111一一对应，以将舟脚121与电极块111电连接。
[0022]参阅图3，电极块111和舟脚121的至少其中一者设置有阻挡部130，具体地，阻挡部130可以设置在电极块111上，也可以设置在舟脚121上，或者电极块111和舟脚121上均设置有阻挡部130，在此不做具体限定。阻挡部130可以可拆卸的安装于电极块111或舟脚121上、可以与电极块111和舟脚121一体设置、也可以通过粘接等方式固定安装于电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电极馈入装置，其特征在于，包括：电极导杆；电极块，设置于所述电极导杆上；载片舟，所述载片舟具有舟脚，所述舟脚与所述电极块抵接，以将二者电性连接；其中，所述电极块和所述舟脚的至少其中一者设置有阻挡部，用于阻挡工艺气体进入所述舟脚与所述电极块之间的缝隙。2.根据权利要求1所述的电极馈入装置，其特征在于：所述电极块和所述舟脚的至少其中一者凸设有所述阻挡部，所述电极块和所述舟脚中的另一者凹设有用于容纳所述阻挡部的容纳空间，所述舟脚与所述电极块电连接时，所述阻挡部容纳于所述容纳空间。3.根据权利要求2所述的电极馈入装置，其特征在于：所述阻挡部在所述电极块或所述舟脚具有所述阻挡部的表面上的投影占比该表面的20％
‑
75％。4.根据权利要求2所述的电极馈入装置，其特征在于：所述阻挡部凸出于所述电极块或所述舟脚的高度与所述电极块或所述舟脚的厚度之比为20％
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65％。5.根据权利要求2所述的电极馈入装置，其特征在于：所述阻挡部凸设于所述电极块和所述舟脚的至少其中一者的中部，所述阻挡部呈长方体设置，所述容纳空间的形状与所述阻挡部相适配，所述容纳空间的一侧设置有矩形的插入口，所述阻挡部自所述插入口伸入所述容纳空间。6.根据权利要求2所述的电极馈入装置，其特征在于：所述电极块靠近所述舟脚的表面凸设有所述阻挡部，所述舟脚设置有所述容纳空间。7.根据权利要求6所述的电极馈入装置，其特征在于：所述阻挡部的横截面自所述电极块的表面朝向所述舟脚的方向呈渐缩设置，所述容纳空间的横截面自所述舟脚的表面朝向远离所述电极块的方向呈渐缩设置。8.根据权利要求7所述的电极馈入装置，其特征在于：所述阻挡部的横截面的侧边与所述电极块靠近所述舟脚的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亨，廖宝臣，张良俊，李挺，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：