提供了一种用于非易失性可编程存储器的写入保护装置，写入保护装置包括：信号接收单元，连接至参数写入装置，用于从参数写入装置接收脉冲信号，参数写入装置用于向非易失性可编程存储器写入参数；以及电平生成单元，与信号接收单元连接，用于基于脉冲信号生成存储器写入使能电平，并且在未接收到脉冲信号的情况下生成存储器写入禁用电平；电平输出单元，连接至电平生成单元和非易失性可编程存储器，用于将存储器写入使能电平或存储器写入禁用电平输出到非易失性可编程存储器。还提供一种包括写入保护装置的脱扣单元。括写入保护装置的脱扣单元。括写入保护装置的脱扣单元。
【技术实现步骤摘要】
写入保护装置和包括该装置的脱扣单元
[0001]本技术涉及用于非易失性可编程存储器的写入保护装置以及用于断路器的包括该写入保护装置的脱扣单元。
技术介绍
[0002]目前，在诸如电子电力领域中，电力电子设备中的各种装置的大量参数存储中非易失性存储器中，但是由于应用场景的更换、设备更新等，相关工作人员需要对非易失性存储器中参数编程以适应新的应用场景。考虑到数据用于实现电力电子设备中的各种装置的运行，如果不对存储这些参数的编程造成加以限制，可能会影响数据安全甚至影响电力电子设备的正常运行。因此，需要提出一种控制非易失性存储器的编程操作的写入保护装置，以确保诸如参数的数据在非易失性存储器中的安全性。
技术实现思路
[0003]本技术的目的是提供一种控制对非易失性可编程存储器的参数写入的写入保护装置。
[0004]根据本技术的一方面，提供了一种用于非易失性可编程存储器的写入保护装置，其特征在于，写入保护装置包括：信号接收单元，连接至参数写入装置，用于从参数写入装置接收脉冲信号，参数写入装置用于向非易失性可编程存储器写入参数；以及电平生成单元，与信号接收单元连接，用于基于脉冲信号生成存储器写入使能电平，并且在未接收到脉冲信号的情况下生成存储器写入禁用电平；电平输出单元，连接至电平生成单元和非易失性可编程存储器，用于将存储器写入使能电平或存储器写入禁用电平输出到非易失性可编程存储器。
[0005]可选地，电平生成单元包括含有第一限流电阻、第二限流电阻和储能电容的充放电单元，第一限流电阻的第一端连接至信号接收单元的输出端，第二限流电阻与储能电容并联连接，第二限流电阻与储能电容并联连接的第一节点连接至第一限流电阻的第二端并且作为充放电单元的输出端，从而输出第一电平，并且第二限流电阻与储能电容并联连接的第二节点连接至地。
[0006]可选地，储能电容由并联连接的多个电容器构成。
[0007]可选地，信号接收单元包括反向保护单元，反向保护单元具有用于实现单向导通的器件，以用于避免反向电流。
[0008]可选地，单向导通器件包括二极管，具有用于接收脉冲信号的阳极以及作为信号接收单元的输出端的阴极。
[0009]可选地，电平生成单元包括用于实现电平反向的电平转换单元，电平转换单元连接至充放电单元的输出端。
[0010]可选地，电平转换单元包括可控型器件，可控型器件包括：第一极，连接至第一节点，用于基于来自第一节点的第一电平控制可控型器件通断；第二极，连接至直流电压源，
或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“耦接”、“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0023]为了便于讨论写入保护装置，以电力电子设备的断路器中的脱扣单元为例进行讨论。在最基本最简单的脱扣单元中，通常不设置非易失性可编程存储器，并且只能借助于若干旋钮来调节特定的参数，例如，在基本脱扣单元中仅可以利用三个旋钮来编辑三个参数。然而，在实际应用中，脱扣单元的脱扣曲线存在大量的参数需要调整、诸如长延时(例如，s的量级)、短延时 (例如，ms的量级)、瞬态的保护电流值、脱扣时间的设定及微调等。在这种情况下，提出了一种脱扣单元，包括微控制处理器、液晶显示器、非易失性可编程存储器，并且通过微控制处理器来选择性地控制非易失性可编程存储器的写入状态。虽然包含微控制处理器的脱扣单元可以选择性编辑所有的参数，但是脱扣单元由于选用了复杂微控制处理器导致电子组件的成本较高。为了实现对所有参数的编辑的控制并且降低成本，本技术通过参数写入装置和写入保护装置而无需微控制处理器和液晶显示器就可以受控地编写存储在非易失性可编程存储器中的所有参数。
[0024]图1示出了根据本技术的一个实施例的用于非易失性可编程存储器M的写入保护装置100的示意图。写入保护装置包括信号接收单元110、电平生成单元120和电平输出单元130。信号接收单元110与参数写入装置W 连接，并且电平输出单元与非易失性存储器M连接。
[0025]信号接收单元110可以连接至参数写入装置W，用于从参数写入装置 W接收脉冲信号S1，参数写入装置W用于向非易失性可编程存储器M写入参数。信号接收单元110用于接收脉冲信号S1。在一些示例中，信号接收单元110可以配置为导线，以直接传输脉冲信号S1。在一些示例中，信号接收单元110还可以配置为对接收到的脉冲信号S1进一步处理，以向电平生成单元120发送处理过的脉冲信号S2。在一些示例中，信号接收单元 110包括反向保护单元(图中未示出)，反向保护单元具有用于实现单向导通的器件，以用于避免反向电流。在一些示例中，单向导通器件可以包括二极管。例如，二极管具有用于接收脉冲信号S1的阳极以及作为信号接收单元110的输出端的阴极。
[0026]例如，在使用脱扣器的情况下，参数写入装置W可以是断路器测试装置或断路器测试模块用于写入脱扣曲线的所有参数。具体地，参数写入装置 W与主机(未示出)接口连接并且从主机接收写入指令向存储器M写入参数。具体地，在要对存储器M编程时，参数写入装置W的特定管脚会向信号接收单元110发送脉冲信号S1；在不对存储器M编程或参数写入装置W 未连接到写入保护装置100时，信号接收单元110仅接收到低电平信号或地信号。参数写入装置W可选地外置于所述写入保护装置100。替代地，参数写入装置W也可以包括在写入保护装置100内。本技术对此不做限制。
[0027]电平生成单元120可以连接至信号接收单元110，用于基于脉冲信号S1 或S2生成存储器写入使能电平LE1，并且在未接收到脉冲信号S1或S2的情况下生成存储器写入禁用电平LD1。
[0028]电平输出单元130可以连接至电平生成单元120和非易失性可编程存储器M，用于
将存储器写入使能电平LE1/LE2或存储器写入禁用电平 LD1/LD2输出到非易失性可编程存储器。在一些示例中，信号输出单元130 可以配置为导线，以直接存储器写入使能电平或禁用电平LE1/LD1。在一些示例中，信号输出单元130还可以配置为对接收到的存储器写入使能电平 LE1或禁用电平LD1进一步处理，以向存储器传输经处理的存储器写入使能电平或禁用电平LE2/LD2。在一些示例中，电平输出单元130包括滤波单元，用于过滤存储器写入使能电平或禁用电平中的低频噪声，以降低甚至消除周围环境对电平信号的干扰，从而更加可靠地使能/禁用存储器M的写入操作。
[0029]在一些示例中，非易失性可编程存储器M可以是指掉电后不易丢失的存储器芯片且可以具有写入有效和写入无效两种模式，诸如只读模式和读写模式两者。在一些示例中，非易失性可编程存储器M可以包括可编程存储器(PROM本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于非易失性可编程存储器的写入保护装置，其特征在于，所述写入保护装置包括：信号接收单元，连接至参数写入装置，用于从所述参数写入装置接收脉冲信号，所述参数写入装置用于向所述非易失性可编程存储器写入参数；以及电平生成单元，与所述信号接收单元连接，用于基于所述脉冲信号生成存储器写入使能电平，并且在未接收到所述脉冲信号的情况下生成存储器写入禁用电平；电平输出单元，连接至所述电平生成单元和所述非易失性可编程存储器，用于将所述存储器写入使能电平或所述存储器写入禁用电平输出到所述非易失性可编程存储器。2.根据权利要求1所述的写入保护装置，其特征在于，所述电平生成单元包括含有第一限流电阻、第二限流电阻和储能电容的充放电单元，所述第一限流电阻的第一端连接至所述信号接收单元的输出端，所述第二限流电阻与所述储能电容并联连接，所述第二限流电阻与所述储能电容并联连接的第一节点连接至所述第一限流电阻的第二端并且作为所述充放电单元的输出端，从而输出第一电平，并且所述第二限流电阻与所述储能电容并联连接的第二节点连接至地。3.根据权利要求2所述的写入保护装置，其特征在于，所述储能电容由并联连接的多个电容器构成。4.根据权利要求1所述的写入保护装置，其特征在于，所述信号接收单元包括反向保护单元，所述反向保护单元具有用于实现单向导通的器件，以用于避免反向电流。5.根据权利要求4所述的写入保护装置，其特征在于，所述单向导通器件包括二极管，具有用于接收所述脉冲信号的阳极以及作为所述信号接收单元的输出端的阴极。6.根据权利要求2所述的写入保护装置，其特征在于，所述电平生成单元包括用于实现电平反向的电平转换单元，所述电平...
【专利技术属性】
技术研发人员：方昀，程颖，刘必洋，石莹，
申请(专利权)人：施耐德电气中国有限公司，
类型：新型
国别省市：
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