一种辅热型PECVD管式镀膜炉制造技术

本实用新型专利技术提供了一种辅热型PECVD管式镀膜炉，包括炉体、炉管和辅助加热装置，炉管沿炉体内壁环向间隔分布，辅助加热装置包括单行硅片加热装置和单列硅片加热装置，单行硅片加热装置沿石墨舟单行硅片方向布置在炉体内壁上；炉体内壁沿石墨舟单行硅片方向开有滑槽，单列硅片加热装置包括可移动加热电阻丝，该可移动加热电阻丝长度与石墨舟单列硅片宽度一致并平行于石墨舟单列硅片方向，可移动加热电阻丝滑动设置在滑槽上。本实用新型专利技术结构设计合理，设计可移动加热的电阻丝对石墨舟的单列硅片方向进行加热，可对应移动至石墨舟任意一列位置，在开启加热后提升厚度偏低区域的温度进而改善该区域厚度，使得镀膜整体均匀性得到改善。善。善。

【技术实现步骤摘要】
一种辅热型PECVD管式镀膜炉


[0001]本技术涉及硅片加工特别是PECVD沉积
，尤其涉及一种辅热型PECVD管式镀膜炉。

技术介绍

[0002]PECVD是借助微波或者射频等含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，利用等离子体的强活性、容易发生反应，而在基片上沉积出所期望的薄膜。在硅片生产加工中，通常采用PECVD管式炉进行镀膜操作。
[0003]在现有的PECVD管式炉种，石墨舟送入管式炉内，硅片呈矩阵型排布在石墨舟上，其中，设定管式炉轴向方向即石墨舟长度方向为石墨舟的单行硅片方向，石墨舟高度方向为石墨舟的单列硅片方向。当采用辅助加热装置进行均匀加热时，辅助加热装置通常包括固定在炉管固定位置的若干根红外加热丝，红外加热丝沿石墨舟的单行硅片方向设置，设定加热温度后，若干根红外加热丝均匀加热。同根红外加热丝沿石墨舟的单行硅片方向对石墨舟进行加热。在红外加热丝位置固定的情况下，整根红外加热丝同步加热，可有效改善石墨舟中单行硅片方向上的镀膜均匀性问题。但是石墨舟不同行的位置，则由于分别对应至不同的红外加热丝，不同的红外加热丝则存在温度差异，导致镀膜均匀性差异无法弥补。因此，如何对现有的PECVD管式炉进行进一步改进设计，成为目前设计的重点。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题是：为了克服现有技术之不足，本技术提供一种辅热型PECVD管式镀膜炉，在单列硅片方向上保证镀膜均匀，同时还可对单行硅片方向进行进一步温度控制，有效保证石墨舟不同行位置/单列硅片位置的镀膜均匀性。r/>[0005]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种辅热型PECVD管式镀膜炉，包括炉体、炉管和辅助加热装置，承载有硅片的石墨舟送入炉体内进行PECVD工艺，所述的炉管沿炉体内壁环向间隔分布，所述的辅助加热装置包括单行硅片加热装置和单列硅片加热装置，所述的单行硅片加热装置沿石墨舟单行硅片方向布置在炉体内壁上；所述的炉体内壁沿石墨舟单行硅片方向开有滑槽，所述的单列硅片加热装置包括可移动加热电阻丝，该可移动加热电阻丝长度与石墨舟单列硅片宽度一致并平行于石墨舟单列硅片方向，所述的可移动加热电阻丝滑动设置在滑槽上。
[0006]在上述方案中，炉管用于对炉体内的整体升温，单行硅片加热装置可沿石墨舟单行硅片方向进行匀热，单列硅片加热装置则滑动设置在滑槽上，并根据需求对单列硅片需要补充匀热的硅片列进行整体均匀改善升温效果，灵活便捷调整不同区域，实现对镀膜厚度的沉积改善。
[0007]优选的，所述的单行硅片加热装置包括若干根红外加热丝，每根加热丝均沿石墨舟单向方向布置。
[0008]进一步的，所述的辅助加热装置还包括控制器和供电装置，所述的控制器与供电
装置分别与单行硅片加热装置和单列硅片加热装置线路连接并单独控制。即单行硅片加热装置和单列硅片加热装置为单独加热，可按需调整加热温度，便于根据实际需求分区域调整温度。
[0009]优选的，所述的可移动加热电阻丝径向截面呈劣弧型，所述的炉体内腔为圆柱形，则该劣弧与炉体内壁同心。
[0010]本技术的有益效果是，本技术提供的一种辅热型PECVD管式镀膜炉，结构设计合理，在单行硅片方向设置红外加热丝的基础上，设计可移动加热的电阻丝对石墨舟的单列硅片方向进行加热，可对应移动至石墨舟任意一列位置，在开启加热后提升厚度偏低区域的温度进而改善该区域厚度，使得镀膜整体均匀性得到改善。
附图说明
[0011]下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。
[0012]图1是本技术最优实施例的结构示意图。
[0013]图中 1、单列硅片加热装置 2、滑槽 3、石墨舟 4、炉体 5、单列硅片加热装置。
具体实施方式
[0014]现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成，方向和参照(例如，上、下、左、右、等等)可以仅用于帮助对附图中的特征的描述。因此，并非在限制性意义上采用以下具体实施方式，并且仅仅由所附权利要求及其等同形式来限定所请求保护的主题的范围。
[0015]如图1所示的一种辅热型PECVD管式镀膜炉，是本技术最优实施例。辅热型PECVD管式镀膜炉包括炉体4、炉管和辅助加热装置，承载有硅片的石墨舟3送入炉体4内进行PECVD工艺。
[0016]所述的炉管对应石墨舟3沿炉体4内壁环向间隔分布。每组石墨舟3至少对应有一组对其进行升温加热的炉管。
[0017]所述的辅助加热装置则包括单行硅片加热装置5、单列硅片加热装置1、控制器和供电装置。所述的控制器与供电装置分别与单行硅片加热装置5和单列硅片加热装置1线路连接并单独控制。即单行硅片加热装置5和单列硅片加热装置1为单独加热，可按需调整加热温度，便于根据实际需求分区域调整温度。
[0018]所述的单行硅片加热装置5沿石墨舟3单行硅片方向布置在炉体4内壁上。单行硅片加热装置5通常设计为五根红外加热丝，每根加热丝均沿石墨舟3单向方向布置，可沿石墨舟3单行硅片方向进行均匀加热，保证石墨舟3单行硅片方向上的硅片镀膜均匀。
[0019]单列硅片加热装置1则沿石墨舟3的单列硅片方向布置。所述的炉体4内壁沿石墨舟3单行硅片方向开有滑槽2，所述的单列硅片加热装置1为可移动加热电阻丝，该可移动加热电阻丝长度与石墨舟3单列硅片的宽度一致，可移动加热电阻丝平行于石墨舟3单列硅片方向滑动设置在滑槽2上。在实际设计中，可移动加热电阻丝径向截面呈劣弧型，所述的炉体4内腔为圆柱形，则该劣弧与炉体4内壁同心。使用时，通过调整可移动加热电阻丝的位置，调整可移动加热电阻丝到需要对应均匀升温的石墨舟3单列硅片的位置，即可保证该列
硅片位置处的温度均匀，保证该列硅片的镀膜均匀性。
[0020]工作时，石墨舟3推入炉体4，炉管升温，根据温度控制要求，控制单行硅片加热装置5升温。在工艺过程中，还可根据工艺需求，调整单列硅片加热装置1的位置，对石墨舟3上某列硅片进行整体均匀改善升温效果，该单列硅片加热装置1可灵活便捷调整至不同区域，实现对镀膜厚度的沉积改善。
[0021]如此设计的一种辅热型PECVD管式镀膜炉，结构设计合理，在单行硅片方向设置红外加热丝的基础上，设计可移动加热的电阻丝对石墨舟3的单列硅片方向进行加热，可对应移动至石墨舟3任意一列位置，在开启加热后提升厚度偏低区域的温度进而改善该区域厚度，使得镀膜整体均匀性得到改善。
[0022]以上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种辅热型PECVD管式镀膜炉，包括炉体(4)，承载有硅片的石墨舟(3)送入炉体(4)内进行PECVD工艺，其特征在于：还包括炉管和辅助加热装置，所述的炉管沿炉体(4)内壁环向间隔分布，所述的辅助加热装置包括单行硅片加热装置(5)和单列硅片加热装置(1)，所述的单行硅片加热装置(5)沿石墨舟(3)单行硅片方向布置在炉体(4)内壁上；所述的炉体(4)内壁沿石墨舟(3)单行硅片方向开有滑槽(2)，所述的单列硅片加热装置(1)包括可移动加热电阻丝，该可移动加热电阻丝长度与石墨舟(3)单列硅片宽度一致并平行于石墨舟(3)单列硅片方向，所述的可移动加热电阻丝滑...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡新兴，张飞，孙铁囤，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：