互补金属氧化物半导体成像器中的有效电荷转移制造技术

本发明专利技术揭示操作像素单元的方法，所述方法包含在用于相关联的光传感器的电荷积分周期期间，使用多个脉冲将光电荷有效地转移到晶体管转移栅极。所述像素单元可在正常动态范围模式或高动态范围（ＨＤＲ）模式中以有效的转移特征进行操作。可通过操作任选的ＨＤＲ晶体管或通过使施加到复位栅极的电压波动来实现所述高动态范围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种操作像素单元的方法，其包括：　　　　起始所述像素单元的积分周期，光传感器在所述积分周期期间收集光电荷；　　　　在所述积分周期期间将第一信号电平施加到所述像素单元的转移栅极，以使得第一量的光电荷从所述光传感器转移到存储区；以及　　　　在所述积分周期期间将第二信号电平施加到所述转移栅极，以使得第二量的光电荷从所述光传感器转移到所述存储区，所述第二信号电平是经脉冲的信号。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：理查德A毛里松，根纳季亚A阿格拉诺夫，圣权C洪，卡南S洪，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]