半导体器件制造技术

技术编号:3581909 阅读:157 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种半导体器件,包括:信号采集单元,包括单元组件,该单元组件包括:电荷产生单元,用于产生响应于入射电磁波的信号电荷;电荷累积单元,用于累积由所述电荷产生单元产生的信号电荷;信号产生单元,用于根据在所述电荷累积单元中累积的信号电荷来产生信号;以及复位单元,用于使所述电荷累积单元复位;以及驱动控制单元,用于利用控制脉冲以便使所述电荷累积单元达到复位电平,以增加在所述电荷累积单元中待累积的电荷量,其中所述控制脉冲包括用于驱动所述复位单元的复位脉冲,并且所述驱动控制单元工作,使得当所述复位脉冲变为有效时,所述复位单元就变成预定电压范围之内的阈值电压降。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件,包括:信号采集单元,包括单元组件,该单元组件包括:电荷产生单元,用于产生响应于入射电磁波的信号电荷;电荷累积单元,用于累积由所述电荷产生单元产生的信号电荷;信号产生单元,用于根据在所述电荷累积单元中累积的信号电荷来产生信号;以及复位单元,用于使所述电荷累积单元复位;以及驱动控制单元,用于利用控制脉冲以便使所述电荷累积单元达到复位电平,以增加在所述电荷累积单元中待累积的电荷量,其中所述控制脉冲包括用于驱动所述复位单元的复位脉冲,并且所述驱动控制单元工作,使得当所述复位脉冲变为有效时,所述复位单元就变成预定电压范围之内的阈值电压降。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:马渕圭司
申请(专利权)人:索尼株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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