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互补金属氧化物半导体成像器中的有效电荷转移制造技术
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文档序号:3582316
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本发明揭示操作像素单元的方法,所述方法包含在用于相关联的光传感器的电荷积分周期期间,使用多个脉冲将光电荷有效地转移到晶体管转移栅极。所述像素单元可在正常动态范围模式或高动态范围(HDR)模式中以有效的转移特征进行操作。可通过操作任选的HDR...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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