半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括：基板；第一模制物，位于基板的第一侧上；电连接件，由第一模制物暴露，其中，第一模制物的侧壁邻近电连接件的一端具有凹部；屏蔽层，由基板和第一模制物的一侧经由基板上方延伸到基板和第一模制物的另一侧，并且屏蔽层还延伸到凹部内。并且屏蔽层还延伸到凹部内。并且屏蔽层还延伸到凹部内。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体来说，涉及一种半导体封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]当半导体封装结构有屏蔽(Shielding)需求时，形成屏蔽层的金属离子会在模制物(Module)10与胶带(Tape)交界12处累积，如图1A所示。并且，当模制物10从胶带移除时，会有多余的金属薄膜层被拉起，进而产生毛刺(Burr)16。因此，需要避免拾取和放置(P&P，pick andplace)封装件时产生毛刺。
[0003]另一方面，鉴于电子产品微小化需求，多侧模制(Multi
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side molding)封装产品已成为缩小封装产品尺寸的标准封装技术。在现行制程中，为了避免封装时产生毛刺并增加去除毛刺的工序，如图1B所示，一种做法系在切割封装件时，在基板22未设置模制物23的一侧(land side)先形成凹部24，使得后续形成屏蔽层26时，屏蔽层26不会与承载封装件的载体表面上的屏蔽层之间形成连续面，避免了后续封装时产生毛刺。然而，上述做法目前不能应用于多侧模制的封装产品中。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中的上述问题，本专利技术提出一种半导体封装结构及其形成方法。
[0005]本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0006]根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体封装结构，包括：基板；第一模制物，位于基板的第一侧上；电连接件，由第一模制物暴露，其中，第一模制物的侧壁邻近电连接件的一端具有凹部；屏蔽层，由基板和第一模制物的一侧经由基板上方延伸到基板和第一模制物的另一侧，并且屏蔽层还延伸到凹部内。
[0007]在一些实施例中，凹部在第一模制物的侧壁方向上具有厚度，厚度大于屏蔽层的厚度。其中，凹部在与厚度方向垂直的方向上具有宽度，宽度大于厚度的2倍以上。
[0008]在一些实施例中，屏蔽层包括晶种层、位于晶种层上方的导电材料层和位于导电材料层上方的保护层。
[0009]在一些实施例中，第一模制物下方设置有电子元件。
[0010]在一些实施例中，还包括第二模制物，位于基板的与第一侧相对的第二侧上。第二模制物下方可以设置有电子元件。
[0011]在一些实施例中，基板中具有由基板的侧壁暴露的接地迹线，屏蔽层与接地迹线接触。
[0012]在一些实施例中，基板中具有由基板的侧壁暴露的接地通孔，屏蔽层与接地通孔接触。
[0013]在一些实施例中，第一模制物中具有由第一模制物的侧壁暴露的接地部件，屏蔽层与接地部件接触。
[0014]在一些实施例中，电连接件为焊料球，其中，由第一模制物暴露的焊料球的高度小
于焊料球的半径。
[0015]根据本专利技术的另一个方面，提供了一种形成半导体封装结构的方法，包括：形成基板和位于基板的第一侧上的第一模制物，其中，电连接件由第一模制物暴露；在第一模制物的侧壁邻近电连接件的一端形成凹部；将电连接件设置在胶带的凹口内，已将基板设置在胶带上；由基板和第一模制物的一侧经由基板上方到基板和第一模制物的另一侧形成屏蔽层，并且屏蔽层还延伸到凹部内。
[0016]在一些实施例中，凹部在第一模制物的侧壁方向上具有厚度，厚度大于屏蔽层的厚度。凹部在与厚度方向垂直的方向上具有宽度，宽度大于厚度的2倍以上。
[0017]在一些实施例中，形成基板包括：对形成模制物后的基板进行切割，以形成多个单个的基板和位于基板的第一侧上的第一模制物。
[0018]在一些实施例中，电连接件为焊料球，其中，由第一模制物暴露的焊料球的高度小于焊料球的半径。
[0019]在一些实施例中，第一模制物下方设置有电子元件。
[0020]在一些实施例中，基板的与第一侧相对的第二侧上具有第二模制物，第二模制物下方设置有电子元件。
[0021]在一些实施例中，基板中具有由基板的侧壁暴露的接地部件，屏蔽层与接地部件接触。
[0022]在一些实施例中，第一模制物中具有由第一模制物的侧壁暴露的接地部件，屏蔽层与接地部件接触。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1A和图1B分别是现行方法形成封装结构的示意图。
[0025]图2A是根据本专利技术实施例的半导体封装结构的示意图。
[0026]图2B是图2A中的凹部处的局部放大视图。
[0027]图3A是根据现行对比实施例的半导体封装结构与胶带附接的示意图。
[0028]图3B是根据本专利技术实施例的半导体封装结构与胶带附接的示意图。
[0029]图4A至图4E示出了形成半导体封装结构的方法的多个阶段的示意图。
[0030]图5和图6是根据本专利技术其他实施例的半导体封装结构的示意图。
[0031]图7A和图7B分别是根据本专利技术其他实施例的半导体封装结构的侧视和俯视示意图。
具体实施方式
[0032]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的
范围。
[0033]根据本专利技术的实施例提供了一种半导体封装结构。如图2A所示，本专利技术的半导体封装结构100包括基板110，第一模制物120位于基板110的下表面(第一侧)。电连接件124(例如为焊料球)由第一模制物120的远离基板110的下表面暴露。屏蔽层130覆盖在基板110和第一模制物120上方。其中，第一模制物120的侧壁邻近电连接件的一端处设置凹部122。屏蔽层130由基板110和第一模制物120的一侧经由基板110上方延伸到基板110和第一模制物120的另一侧，并且屏蔽层130还延伸到凹部122内。
[0034]本专利技术的上述技术方案，通过在第一模制物120的邻近电连接件的端部处形成凹部122、并且屏蔽层130延伸到凹部122内，使得在后续形成屏蔽层130时，封装结构侧壁上的屏蔽层130不会与承载封装结构的载体(例如胶带)上表面所形成的屏蔽层130之间形成连续面，因此可以避免在后续封装制程中产生毛刺。
[0035]图2B是图2A中的凹部处的局部放大视图。参考图2B所示，凹部122具有在第一模制物120的侧壁方向上的厚度X，凹部122还具有在与厚度方向垂直方向上的宽度Y。在一些实施例中，凹部122的厚度X大于屏蔽层130的厚度。在一些实施例中，凹部122的宽度Y大于屏蔽层130的厚度的2倍以上。此外，屏蔽层130可以包含多层结构。在一些实施例中，屏蔽层130可以包括晶种层131、位于晶种层131上方的导电材料层132和位于导电材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板；第一模制物，位于所述基板的第一侧上；电连接件，由所述第一模制物暴露，其中，所述第一模制物的侧壁邻近所述电连接件的一端具有凹部；屏蔽层，由所述基板和所述第一模制物的一侧经由所述基板上方延伸到所述基板和所述第一模制物的另一侧，并且所述屏蔽层还延伸到所述凹部内。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凹部在所述第一模制物的侧壁方向上具有厚度，所述厚度大于所述屏蔽层的厚度。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凹部在与厚度方向垂直的方向上具有宽度，所述宽度大于所述厚度的2倍以上。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述屏蔽层包括晶种层、位于所述晶种层上方的导电材料层和位于所述导电材料层上方的保护层。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一模制物下方设置有电子元件。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第二模制物，位于所述基板的与所述第一侧相对的第二侧上。7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二模制物下方设置有电子元件。8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板中具有由所述基板的侧壁暴露的接地迹线，所述屏蔽层与所述接地迹线接触。9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板中具有由所述基板的侧壁暴露的接地通孔，所述屏蔽层与所述接地通孔接触。10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一模制物中具有由所述第一模制物的侧壁暴露的接地部件，所述屏蔽层与所述接地部件接触。11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电连接件为焊料球，其中，由所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张维浩，简辉平，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：