一种扇出型晶圆级封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种扇出型晶圆级封装结构，所述封装结构至少包括：具有预设翘曲值和翘曲方向的玻璃载体；重新布线层，形成于所述玻璃载体上；芯片，焊接于所述重新布线层上；模塑层，形成于所述重新布线层上且包覆所述芯片；其中，形成所述模塑层后，具有预设翘曲值的所述玻璃载体转变为具有平坦表面的玻璃载体。本实用新型专利技术利用预成型的玻璃载体作为封装基板，该玻璃载体具有预设的翘曲值，通过这种翘曲补偿，在晶圆级封装过程中，尤其是对于大尺寸的封装结构，可以控制晶圆凹或者凸的翘曲程度，满足芯片封装生产中的晶圆翘曲规格。满足芯片封装生产中的晶圆翘曲规格。满足芯片封装生产中的晶圆翘曲规格。

【技术实现步骤摘要】
一种扇出型晶圆级封装结构


[0001]本技术属于半导体封装
，特别是涉及一种扇出型晶圆级封装结构。

技术介绍

[0002]集成电路封装近年来发展迅速。在如今的扇出型晶圆级封装中，通常会制作重新布线层(RDL层，例如，2P2M，4P4M，“P”表示聚合物，“M”表示铜层)来与硅片形成电气连接。在此工艺过程中，通常使用玻璃载体来帮助控制晶圆翘曲。随着封装尺寸和硅芯片厚度的增加，在扇出晶圆级封装中，由于硅芯片、基于EMC的模塑层、铜基RDL层和玻璃载体之间的热膨胀系数(CTE)不匹配，将会导致晶圆翘曲增加。从CTE的角度来看，低CTE的玻璃载体通常用于与厚的硅芯片相匹配。然而，在模塑层成型过程中，随着聚合物+金属层数的增加，晶圆翘曲量会不断增加，而模塑层与硅芯片及玻璃载体之间的CTE不匹配会进一步导致翘曲量急剧增加。
[0003]如图1所示为现有技术中利用平坦的高热膨胀系数(9ppm/℃)的玻璃载体1A制备扇出型晶圆级封结构的变化图。可以看到，形成了重新布线层2A后，玻璃载体1A由平坦转变成凹形状，然后贴附硅芯片3A，玻璃载体1A则由凹方向翻转到了凸方向，最后形成模塑层4A，玻璃载体凸方向的翘曲降低，但依然具有很大的翘曲值。
[0004]如图2所示为现有技术中利用平坦的低热膨胀系数(4ppm/℃)的玻璃载体1A制备扇出型晶圆级封结构的变化图。可以看到，形成了重新布线层2A后，玻璃载体1A由平坦转变成凹轮廓，然后贴附硅芯片3A，玻璃载体1A在凹方向的翘曲值减小，最后形成模塑层4A，玻璃载体凹方向的翘曲则进一步增加。
[0005]由上可见，不管是利用高热膨胀系数的玻璃载体1A还是低热膨胀系数的玻璃载体1A，制备的扇出型晶圆级封装结构最终都存在翘曲。
[0006]因此，提供一种可以控制玻璃载体翘曲的扇出型晶圆级封装结构实属必要。

技术实现思路

[0007]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种扇出型晶圆级封装结构，用于解决现有技术中扇出型晶圆级封装结构存在翘曲的问题。
[0008]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种扇出型晶圆级封装结构，所述封装结构至少包括：
[0009]具有预设翘曲值的玻璃载体；
[0010]重新布线层，形成于所述玻璃载体上；
[0011]芯片，焊接于所述重新布线层上；
[0012]模塑层，形成于所述重新布线层上且包覆所述芯片；
[0013]其中，形成所述模塑层后，具有预设翘曲值的所述玻璃载体转变为具有平坦表面的玻璃载体。
[0014]作为本技术扇出型晶圆级封装结构的一种优选的方案，所述预设翘曲值介
于
‑
1mm～1mm之间。
[0015]作为本技术扇出型晶圆级封装结构的一种优选的方案，所述翘曲方向包括凹方向或者凸方向中的一种。
[0016]作为本技术扇出型晶圆级封装结构的一种优选的方案，所述玻璃载体的热膨胀系数介于3ppm/℃～9ppm/℃之间。
[0017]作为本技术扇出型晶圆级封装结构的一种优选的方案，所述玻璃载体的厚度介于0.8mm～1.5mm。
[0018]作为本技术扇出型晶圆级封装结构的一种优选的方案，所述芯片的厚度介于50um～800um之间。
[0019]作为本技术扇出型晶圆级封装结构的一种优选的方案，所述重新布线层包括介质层和位于所述介质层中且与所述芯片连接的布线金属层。
[0020]作为本技术扇出型晶圆级封装结构的一种优选的方案，所述重新布线层包括单层或多层结构。
[0021]作为本技术扇出型晶圆级封装结构的一种优选的方案，利用有限元分析的方法或者样片制作的方法确定所述玻璃载体的预设翘曲值。
[0022]作为本技术扇出型晶圆级封装结构的一种优选的方案，所述玻璃载体和所述重新布线层之间设有释放层。
[0023]如上所述，本技术提供一种扇出型晶圆级封装结构，所述封装结构至少包括：具有预设翘曲值和翘曲方向的玻璃载体；重新布线层，形成于所述玻璃载体上；芯片，焊接于所述重新布线层上；模塑层，形成于所述重新布线层上且包覆所述芯片；其中，形成所述模塑层后，具有预设翘曲值的所述玻璃载体转变为具有平坦表面的玻璃载体。本技术利用预成型的玻璃载体作为封装基板，该玻璃载体具有预设的翘曲值，通过这种翘曲补偿，在晶圆级封装过程中，尤其是对于大尺寸的封装结构，可以控制晶圆凹或者凸的翘曲程度，满足芯片封装生产中的晶圆翘曲规格。
附图说明
[0024]图1显示为现有技术中利用平坦的高热膨胀系数的玻璃载体制备扇出型晶圆级封结构的变化图。
[0025]图2显示为现有技术中利用平坦的低热膨胀系数的玻璃载体制备扇出型晶圆级封结构的结构变化图。
[0026]图3为本技术的实施例中具有预设翘曲值的玻璃载体结构图。
[0027]图4为本技术的实施例中利用具有预设翘曲值的玻璃载体制备扇出型晶圆级封结构的结构变化图。
[0028]图5为现有技术和本技术的实施例中玻璃载体翘曲值的变化曲线对比图。
[0029]元件标号说明
[0030]1，1A玻璃载体
[0031]2，2A重新布线层
[0032]3，3A芯片
[0033]4，4A模塑层
具体实施方式
[0034]以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。
[0035]请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。
[0036]如图3～图4所示，本技术提供一种扇出型晶圆级封装结构，所述封装结构至少包括：
[0037]具有预设翘曲值和翘曲方向的玻璃载体1；
[0038]重新布线层2，形成于所述玻璃载体1上；
[0039]芯片3，焊接于所述重新布线层2上；
[0040]模塑层4，形成于所述重新布线层2上且包覆所述芯片3；
[0041]其中，形成所述模塑层4后，具有预设翘曲值的所述玻璃载体1转变为具有平坦表面的玻璃载体1。
[0042]所述玻璃载体1具有预成型的轮廓(凹或者凸)，可以在所述玻璃载体1和所述重新布线层2的之间设置释放层(未予以图示)，所述释放层可以有助于后续工艺中根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述封装结构至少包括：具有预设翘曲值和翘曲方向的玻璃载体；重新布线层，形成于所述玻璃载体上；芯片，焊接于所述重新布线层上；模塑层，形成于所述重新布线层上且包覆所述芯片；其中，形成所述模塑层后，具有预设翘曲值的所述玻璃载体转变为具有平坦表面的玻璃载体。2.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述预设翘曲值介于
‑
1mm～1mm之间。3.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述翘曲方向包括凹方向或者凸方向中的一种。4.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述玻璃载体的热膨胀系数介于3ppm/℃～9ppm/℃之间。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨进，林正忠，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：