一种半导体结构制造技术

本技术公开了一种半导体结构，半导体结构包括基底、凹槽以及凸点下金属层。其中，基底中设置有半导体元件，基底的表面暴露有开口，该开口暴露与半导体元件电性连接的接口。凹槽环绕开口设置于基底的表面。凸点下金属层填充开口，并自开口内延伸至基底表面的凹槽内，填充凹槽。由此，凸点下金属层在基底的表面的端部并未形成尖端结构，而是填充凹槽形成应力缓冲部，通过形成于凹槽内的凸点下金属层可以缓解应力集中，避免凸点下金属层形成直角结构，对下层基底产生应力损伤，提高产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体封装，具体涉及一种半导体结构。

技术介绍

1、随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。而集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出越来越高的要求。

2、在晶圆片级芯片规模封装(wafer level chip scale packaging，简称wlcsp)技术中，布线层是由金属铜和介电层组成的多层堆栈。凸点下金属层在介质层的表面存在直角结构，该直角结构容易产生应力集中，对下层的介质层造成损伤，进而将会影响到产品的可靠性。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种半导体结构，以解决布线层中凸点下金属层的导角结构引起的产品的可靠性问题。

2、为了实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种半导体结构，包括：

3、基底，基底中设置有半导体元本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层包括：

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的截面的底部呈圆弧状。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的截面顶端的开口宽度大于底端的开口宽度，并且由所述顶端至所述底端的方向上，所述凹槽的截面的开口宽度逐渐减小，所述顶端为所述凹槽的开口端。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的截面为圆弧形、矩形、楔形、锯齿形...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层包括：

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的截面的底部呈圆弧状。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的截面顶端的开口宽度大于底端的开口宽度，并且由所述顶端至所述底端的方向上，所述凹槽的截面的开口宽度逐渐减小，所述顶端为所述凹槽的开口端。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，章春燕，林正忠，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：