【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体封装，具体地，涉及一种晶圆切割胶带重工装置及晶圆切割机台。
技术介绍
1、半导体制造是一个复杂的过程，其中在硅晶圆上创建精细的电子电路是核心步骤之一。晶圆切割是这一过程中的重要环节，晶圆切割是利用专用金刚石刀片将整片晶圆切割成单个晶粒的过程，晶圆切割胶带就是在切割过程后作为晶粒的支持，保证晶粒在切割后不会散开。
2、在晶圆切割过程，为保证晶粒在切割后有承载，需要在晶圆还是一个整体时将晶圆与环形框架使用切割胶带贴附在一起，使晶圆被切割成晶粒后仍然可以被载体支撑。在切割过程中，为了达到更好的切割效果，提升切割良率，很多情况下会使用到紫外光切割胶带。此类胶带有一个特点，当胶带贴附在晶圆背面时，粘性较大，当此类胶膜照射紫外光后，粘性变得很小。在切割过程中，由于需要切割胶带更好的粘性带来更好的稳定性，因此选择紫外光切割胶带。当切割完成后，需要将晶粒更容易的从切割胶带上取下，因此需要先照紫外光使切割胶带粘性变低。
3、在紫外光切割胶带贴膜过程中，时常会因为发生褶皱或者是切割胶带与晶圆之间有异物残留，需要将切割...
【技术保护点】
1.一种晶圆切割胶带重工装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆切割胶带重工装置，其特征在于，所述紫外照射装置包括多个紫外灯，多个所述紫外灯在所述外盖内侧均匀分布，所述紫外照射装置在所述贴膜平台上的投影位于所述贴膜平台的中心区域。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆切割胶带重工装置，其特征在于，所述外盖的内侧设置有支撑架，所述紫外照射装置可拆卸地安装至所述支撑架上。
4.根据权利要求1所述的晶圆切割胶带重工装置，其特征在于，所述紫外照射装置与所述贴膜平台之间的距离介于1cm～7.9cm。
5.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割胶带重工装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆切割胶带重工装置，其特征在于，所述紫外照射装置包括多个紫外灯，多个所述紫外灯在所述外盖内侧均匀分布，所述紫外照射装置在所述贴膜平台上的投影位于所述贴膜平台的中心区域。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆切割胶带重工装置，其特征在于，所述外盖的内侧设置有支撑架，所述紫外照射装置可拆卸地安装至所述支撑架上。
4.根据权利要求1所述的晶圆切割胶带重工装置，其特征在于，所述紫外照射装置与所述贴膜平台之间的距离介于1cm～7.9cm。
5.根据权利要求1所述的晶圆切割胶带重工装置，其特征在于，所述切割装置包括：
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋怀铚，胡益彰，冯亚东，谢辛芳，娄云鹏，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：
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