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本技术公开了一种半导体结构，半导体结构包括基底、凹槽以及凸点下金属层。其中，基底中设置有半导体元件，基底的表面暴露有开口，该开口暴露与半导体元件电性连接的接口。凹槽环绕开口设置于基底的表面。凸点下金属层填充开口，并自开口内延伸至基底表面的凹...
该专利属于盛合晶微半导体（江阴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛合晶微半导体（江阴）有限公司授权不得商用。

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