一种晶圆结构制造技术

本申请实施例提供了一种晶圆结构，包括晶圆本体，所述晶圆本体上设置有多个间隔设置的裸芯，所述裸芯之间设置有划片道；所述裸芯包括裸芯本体和依次从下往上设置在裸芯本体上表面的第一钝化、金属层、第二钝化层和保护层；相邻所述裸芯之间的第二钝化层间隔设置，所述金属层包括多个间隔设置的金属层单元，部分所述金属层单元穿过所述第二钝化层和所述保护层以引出电极，所述保护层包覆所述金属层和第二钝化层，本申请实施例通过所述保护层包覆所述第二钝化层可以避免外部杂质容易通过第二钝化层和保护层的结合面进入晶圆内部，导致晶圆失效的问题出现。圆失效的问题出现。圆失效的问题出现。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆结构


[0001]本申请实施例属于半导体
，具体涉及一种晶圆结构。

技术介绍

[0002]芯片级封装技术作为一种新的封装技术，很多产品目前已经开始进入量产，现有晶圆结构，外部杂质容易通过钝化层和保护层的结合面进入晶圆内部，导致晶圆失效。

技术实现思路

[0003]本申请实施例的目的在于提供一种晶圆结构，用以解决或缓解上述由于外部杂质容易通过钝化层和保护层的结合面进入晶圆内部，导致晶圆失效的技术问题。
[0004]为实现上述目的，本申请实施例提供了一种晶圆结构，包括晶圆本体，所述晶圆本体上设置有多个间隔设置的裸芯，所述裸芯之间设置有划片道；
[0005]所述裸芯包括裸芯本体和依次从下往上设置在裸芯本体上表面的第一钝化、金属层、第二钝化层和保护层；
[0006]相邻所述裸芯之间的第二钝化层间隔设置，所述金属层包括多个间隔设置的金属层单元，部分所述金属层单元穿过所述第二钝化层和所述保护层以引出电极，所述保护层包覆所述另一部分金属层和第二钝化层。
[0007]作为本申请一优选实施例，相邻所述裸芯之间的第一钝化层间隔设置，所述保护层包覆所述第一钝化层，金属层和第二钝化层。
[0008]作为本申请一优选实施例，所述划片道侧面保护层的厚度小于所述第二钝化层表面的保护层的厚度。
[0009]作为本申请一优选实施例，所述保护层厚度大于所述第二钝化层厚度。
[0010]作为本申请一优选实施例，所述第一钝化层为二氧化硅，所述第二钝化层为氮化硅，所述保护层为聚酰胺。
[0011]与现有技术相比，本申请实施例提供了一种晶圆结构，包括晶圆本体，所述晶圆本体上设置有多个间隔设置的裸芯，所述裸芯之间设置有划片道；所述裸芯包括裸芯本体和依次从下往上设置在裸芯本体上表面的第一钝化、金属层，第二钝化层和保护层；相邻所述裸芯之间的第二钝化层间隔设置，所述金属层包括多个间隔设置的金属层单元，部分所述金属层单元用于引出电极，所述保护层包覆所述金属层和第二钝化层。本申请实施例通过所述保护层包覆所述另一部分金属层和第二钝化层可以避免外部杂质容易通过第二钝化层和隔离层的结合面进入晶圆内部，导致晶圆失效的问题出现。
附图说明
[0012]图1为本申请一实施例提供的一种晶圆结构示意图；
[0013]图2为本申请一实施例提供的一种晶圆结构示意图。
具体实施方式
[0014]为了使本
的人员更好地理解本申请的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0015]实施例1
[0016]如图1所示，本申请实施例提供了一种晶圆结构，包括晶圆本体101，所述晶圆本体101上设置有多个间隔设置的裸芯01，所述裸芯01之间设置有划片道；
[0017]所述裸芯01包括裸芯本体和依次从下往上设置在裸芯本体上表面的第一钝化层102，金属层，第二钝化层103和保护层104；
[0018]相邻所述裸芯01之间的第二钝化层103间隔设置，所述金属层包括多个间隔设置的金属层单元106和105，部分所述金属层单元105穿过用于引出电极，所述保护层104包覆所述另一部分金属层106和第二钝化层103。
[0019]在本申请实施例中，裸芯01为了为MOSFET裸芯，也可以为其它类型的裸芯，本申请对此不做限制，将裸芯从晶圆上取下后，进行封装得到芯片产品。
[0020]在本申请实施例中，所述划片道侧面保护层104的厚度小于所述第二钝化层103表面保护层104的厚度。
[0021]在本申请实施例中，所述保护层104厚度大于所述第二钝化层103厚度。
[0022]在本申请实施例中，所述第一钝化层102为二氧化硅，所述第二钝化层103为氮化硅，所述保护层104为聚酰胺。
[0023]在晶圆上制备裸芯后，晶圆表面都设置第一钝化层，金属层，第二钝化层和保护层，通过刻蚀工艺将晶圆上的裸芯之间的第二钝化层进行刻蚀，在划片道侧面镀一层保护层，所述保护层包覆另一部分金属层和第二钝化层可以避免外部杂质容易通过第二钝化层和保护层的结合面进入晶圆内部，导致晶圆失效的问题出现。
[0024]实施例2
[0025]如图2所示，实施例2与实施例1不同之处在于，相邻所述裸芯01之间的第一钝化层102间隔设置，所述保护层104包覆所述第一钝化层102，另一部分金属层106和第二钝化层103。
[0026]在本申请实施例中，所述划片道侧面保护层104的厚度小于所述第二钝化层103表面保护层104的厚度。
[0027]在本申请实施例中，所述保护层104厚度大于所述第二钝化层103厚度。
[0028]在本申请实施例中，所述第一钝化层102为二氧化硅，所述第二钝化层103为氮化硅，所述保护层104为聚酰胺。
[0029]通过刻蚀工艺将晶圆上的裸芯之间的第一钝化层和第二钝化层进行刻蚀，在划片道侧面镀一层保护层，所述保护层层包覆第一钝化层和第二钝化层可以避免外部杂质容易通过第二钝化层和保护层的结合面进入晶圆内部，导致晶圆失效的问题出现。
[0030]虽然，本文中已经用一般性说明及具体实施例对本申请作了详尽的描述，但在本申请基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，
在不偏离本申请精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本申请要求保护的范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆结构，其特征在于，包括晶圆本体，所述晶圆本体上设置有多个间隔设置的裸芯，所述裸芯之间设置有划片道；所述裸芯包括裸芯本体和依次从下往上设置在裸芯本体上表面的第一钝化、金属层、第二钝化层和保护层；相邻所述裸芯之间的第二钝化层间隔设置，所述金属层包括多个间隔设置的金属层单元，部分所述金属层单元用于引出电极，所述保护层包覆另一部分金属层和第二钝化层。2.如权利要求1所述的一种晶圆结构，其特征在于，相邻所述裸芯之间的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳瑞芳，诸舜杰，董建新，何增谊，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：