一种基于CMOS新型稳定型欠压锁存电路制造技术

本实用新型专利技术涉及欠压锁存电路领域，具体涉及一种基于CMOS新型稳定型欠压锁存电路，包括偏置电路、先导控制电路、充电回路和整形滤波电路，通过设计了一种低功耗的欠压锁存电路，并在CSMC 0.5m CMOS工艺库下使用Cadence Spectre进行了仿真验证，结果表明满足设计要求，具有功耗低，响应速度快等优点，并且电路结构简单，可以做成IP核，易于移植到其他的开关电源控制芯片中去。电源控制芯片中去。电源控制芯片中去。

【技术实现步骤摘要】
一种基于CMOS新型稳定型欠压锁存电路


[0001]本技术涉及欠压锁存电路领域，具体涉及一种基于CMOS新型稳定型欠压锁存电路。

技术介绍

[0002]随着各种便携式电子设备的快速发展，对单片开关电源控制芯片的需求越来越大，相应地，对于芯片的性能要求也越来越高，为了避免在芯片正常工作时电源电压的波动对芯片内部电路产生不利的影响，通常需要欠压锁存电路对电源电压进行监控，一旦检测到低于所设置的欠压阈值芯片将停止工作，传统的欠压锁存电路要求简单实用，但忽略了功耗的问题，当芯片在正常工作时，欠压锁存电路仍然具有一定的功耗，这样就降低整个芯片的转换效率。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种基于CMOS新型稳定型欠压锁存电路。
[0004]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0005]提供一种基于CMOS新型稳定型欠压锁存电路，包括偏置电路、先导控制电路、充电回路和整形滤波电路。
[0006]进一步的，所述偏置电路包括M0、M16、M17、M19、M20、M31、M32和M33，其中M0、M16、M1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于CMOS新型稳定型欠压锁存电路，其特征在于：包括偏置电路、先导控制电路、充电回路和整形滤波电路；所述偏置电路包括M0、M16、M17、M19、M20、M31、M32和M33，其中M0、M16、M17、M19和M20为NMOS管，M31、M32和M33为PMOS管，M0、M16和M17的S极相接，M0和M17的D极相接，M16和M17的G极相接，M19的S极和M17的D极相接，M20的S极和M19的D极相接，M31、M32和M33的S极均接地，M31的D极和M20的D极相接，M32的D极和M16的D极相接，M32的D极和M33的G极相接，且M31、M32和M33的G极均相接；所述先导控制电路包括M8、R1、M1、M9、M2、M10和R0，其中R1和R0为电阻，M8、M9和M10为PMOS管，M1和M2为NMOS管，M1的S、G极和R1并联，且M1的S极和M0的S极相接，M1的G极和M9的G极相接，M1的G极和M8的D极相接，M8的G极和M19的D极相接，M8的S极和M33的D极相接，M1的D极和M9的D极相接，M9的S极接地，M2的S极和M1的S极相接，M2的G极和M1的D极相接，M2的D极和M19的G极相接，R0串联在M2和M10的D极之间，且M10的D极和M20的G极相接，M10的S极接地。2.根据权利要求1所述的一种基于CMOS新型稳定型欠压锁存电路，其特征在于：所述充电回路包括M24、M25、M26、M27、M28、M29、M30、M34、M35、R4和C1，其中R4为电阻，C1为储能电容，M24、M26和M27为NM...

【专利技术属性】
技术研发人员：何孝起，
申请(专利权)人：上海兴赛电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：